磁性隧道结的种子层形成方法技术

本申请提供一种磁性隧道结的种子层形成方法，所述磁性隧道结结构的种子层通过多次的沉积或表面离子处理而形成，此方式所形成的种子层可引导所述反铁磁层在生成时形成面心立方结构，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。良率的提升以及器件的缩微化。良率的提升以及器件的缩微化。

【技术实现步骤摘要】
磁性隧道结的种子层形成方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别是关于一种磁性隧道结的种子层形成方法。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetic random access memory，MRAM)在具有垂直各向异性(Perpendicular Magnetic Anisotropy；PMA)的磁性隧道结(Magnetic tunnel junction；MTJ)中，作为存储信息的自由层，在垂直方向拥有两个磁化方向，即：向上和向下，分别对应二进制中的“0”和“1”或者“1”和“0”，在实际应用中，在读取信息或者空置的时候，自由层的磁化方向会保持不变；在写的过程中，如果与现有状态不相同的信号输入时，则自由层的磁化方向将会在垂直方向上发生180度的翻转。磁随机存储器的自由层磁化方向保持不变的能力叫做数据保存能力(Data Retention)或者是热稳定性(Thermal Stability)，在不同的应用情况中要求不一样，对于一个典型的非易失存储器(Non-volatile Memory，NVM)而言，数据保存能力要求是在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性隧道结的种子层形成方法，所述磁性隧道结设置于磁性随机存储单元，所述磁性隧道结的结构形成由下至上为缓冲层、种子层、反铁磁层、晶格隔断层、参考层、势垒层与自由层，其特征在于，所述种子层形成方法包括：在不隔断真空的环境中，形成多数个种子亚层，以形成所述种子层于所述缓冲层上，其中，每一种子亚层是通过沉积以及后续的表面离子处理形成。2.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，在每一次种子亚层的沉积或表面离子处理过程中，可选择性的进行加热或不加热，加热的温度优选为150℃～400℃之间。3.如权利要求2所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，在每一次种子亚层，先采用氖，氩，氪或氙的气体进行溅射沉积，气压为0.1mTorr至20.0mTorr，较优为1.0mTorr或2.0mTorr，再采用低能量的表面等离子刻蚀处理。4.如权利要求2所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，沉积或表面离子处理之后，进行自然冷却到室温，或者进行超低温冷却，所述超低温冷却优选为100K或200K。5.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，所述种子层具备n个种子亚层，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云森，郭一民，陈峻，肖荣福，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：