【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于二氯硅烷的脱氢的方法
本专利技术涉及二氯硅烷的脱氢方法,其中使二氯硅烷在铵盐和/或鏻盐(phosphoniumsalt)的存在下与至少一种卤化烃或与卤化氢反应。
技术介绍
有机卤硅烷,尤其是有机三卤硅烷用作疏水剂或用作有机硅烷的原料。有机硅烷或有机官能硅烷是将反应性有机基团的官能团与烷基硅酸盐的无机官能团结合在一起的杂化化合物。它们可用作有机聚合物和无机材料之间的分子桥。工业上重要的另一应用是用作硅酮的组分。迄今为止,有效大规模构建C-Si键的唯一方法是氢化硅烷化和Müller-Rochow工艺。氢化硅烷化总是需要有机基团上的双键或三键和Si-H,从而可以形成Si-C键。Müller-Rochow工艺基于单质硅和简单的有机氯化合物诸如MeCl。约300℃的温度对于Müller-Rochow工艺是必要的,这限制了可以使用的物质范围,因为大多数物质都会分解。从文献中已知一些制备有机硅烷的方法。例如,US2002/0082438A1描述了由三氯硅烷、二氯硅烷或二氯甲基硅烷合成有机氯硅烷。使用的另一种原料是式R2R3CHX的化合物,其中X=Cl或Br,并且R2选自(C1-17)-烷基、部分或完全氟化的(C1-10)-氟化烷基、(C1-5)-烯基、(CH2)nSiMe3-mClm(其中n=0-2并且m=0-3)、(CH2)pX(其中p=1-9并且X=Cl或Br)或ArCH2X(其中Ar=芳族(C6-14)烃并且X=Cl或Br),以及R3选自H、(C1-6)-烷基、Ar(R')q(其中Ar=芳族(C6-14) ...
【技术保护点】
1.一种用于二氯硅烷的脱氢的方法,其中/n在70-300℃范围内的温度下,在铵盐和/或鏻盐的存在下使二氯硅烷与(A)式(I)的至少一种卤化烃或(B)卤化氢反应:/nR
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于二氯硅烷的脱氢的方法,其中
在70-300℃范围内的温度下,在铵盐和/或鏻盐的存在下使二氯硅烷与(A)式(I)的至少一种卤化烃或(B)卤化氢反应:
R1-X(I),
其中,
X=F、Cl、Br或I;并且
R1=支链或非支链(C2-C20)-烷基基团,
支链或非支链(C2-C13)-杂烷基基团,碳骨架包含独立地选自N、P、S或O的一个或多个杂原子,
部分或完全氟化的支链或非支链(C1-C10)-氟烷基基团,
支链或非支链(C2-C20)-烯基基团,不包括n=2-4时的C2H4-nCln,
支链或非支链(C2-C20)-炔基基团,
(C3-C14)-环烷基基团,
(C2-C13)-杂环烷基基团,环骨架包含独立地选自N、P、S或O的一个或多个杂原子,
(C6-C14)-芳基基团,
(C5-C13)-杂芳基基团,环骨架包含独立地选自N、P、S或O的一个或多个杂原子,
(CH2)n-Ar,其中,Ar=(C6-C14)-芳基基团,并且n=1-5,
其中,所有上述基团可以是未取代的或是由卤素、(C1-C4)-烷氧基、乙烯基、苯基或(C1-C4)-烷基单取代或多取代的,甲基基团,
(CH2)nX,其中,n=1-10,并且X=F、Cl、Br或I,
R2-S-CH2基团,其中,R2=(C1-C6)-烷基或(C6-C14)-芳基,
(CH2)nSiMe3-m-Clm,其中,n=0-5并且m=0、1、2、3,
(CH2)nNH(C=O)OCH3,其中,n=1-5,
(CH2)nOCH2(环氧乙烷),其中,n=1-5,
(CH2)nO(C=O)(C(CH3)=CH2),其中,n=1-5,
(CH2)nNH2,其中,n=1-5,
(CH2)nNH(C=O)NH2,其中,n=1-5,
(CH2)nNHR,其中n=1-5,并且R=环己基或C2H4NH2。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述温度在100-300℃的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,二氯硅烷与所述卤化氢或所述卤化烃的摩尔比在1:1至1:10的范围内。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中,催化剂与二氯硅烷的摩尔比在0.01:1至0.2:1的范围内。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:扬·蒂尔曼,理查德·魏德纳,
申请(专利权)人:瓦克化学股份公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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