生产卤代硅烷化合物的方法技术

制备卤代硅烷化合物的方法包括以下步骤：(a)提供第一卤代硅烷化合物；(b)提供含有设置在内部的卤化物源的反应容器；(c)将卤代硅烷化合物进料到所述反应容器中；和(d)从所述反应容器收集产物流，其中所述产物流含有第二卤代硅烷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】生产卤代硅烷化合物的方法
本申请涉及以高产率生产高纯度卤代硅烷化合物的方法。
技术介绍
卤代硅烷化合物在各种工业应用中使用。例如，卤代硅烷化合物(例如，氯代硅烷)用于生产用于光电和电子应用(例如，半导体晶片)的多晶硅。最近，这些工业已经开始使用高级卤代硅烷化合物(例如，碘代硅烷)作为氯代硅烷的替代物。尤其是在光伏和电子工业所要求的纯度水平下，这些高级卤代硅烷化合物通常比低级卤代硅烷化合物(例如，氯代硅烷)更难以制造。例如，通常在有机溶剂中进行用于合成此类高级卤代硅烷的已知方法。这需要在反应进行后从有机溶剂中分离出所需的卤代硅烷化合物。这种分离/隔离过程可能是繁琐的，特别是在当需要将溶剂污染减少到光伏和电子工业所要求的极低水平时。因此，仍然需要一种制备卤代硅烷化合物，尤其是高级卤代硅烷化合物的方法，该方法在工业规模上是商业可行的并且以工业所需的高纯度来制备卤代硅烷化合物。还需要一种不在有机溶剂中进行的方法，因此避免需要从所生产的卤代硅烷化合物中除去这些溶剂。相信本文所述的方法满足所有这些需要。专利技术内容在第一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产卤代硅烷化合物的方法，所述方法包括以下步骤：/n(a)提供第一卤代硅烷化合物，所述第一卤代硅烷化合物包含共价键合至硅原子的第一卤素；/n(b)提供具有入口、出口和内部容积的反应容器，所述反应容器包含设置在所述内部容积中的卤化物源，所述卤化物源包含原子序数大于所述第一卤素的第二卤素；/n(c)将所述第一卤代硅烷化合物进料到所述反应容器的入口中并由所述反应容器的内部容积中通过，使得其接触所述卤化物源并反应以形成第二卤代硅烷化合物，所述第二卤代硅烷化合物包含共价键合至硅原子的至少一个第二卤素；以及/n(d)从所述反应容器的出口收集产物流，所述产物流包含所述第二卤代硅烷化合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180501 US 62/665,2661.一种用于生产卤代硅烷化合物的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)提供第一卤代硅烷化合物，所述第一卤代硅烷化合物包含共价键合至硅原子的第一卤素；
(b)提供具有入口、出口和内部容积的反应容器，所述反应容器包含设置在所述内部容积中的卤化物源，所述卤化物源包含原子序数大于所述第一卤素的第二卤素；
(c)将所述第一卤代硅烷化合物进料到所述反应容器的入口中并由所述反应容器的内部容积中通过，使得其接触所述卤化物源并反应以形成第二卤代硅烷化合物，所述第二卤代硅烷化合物包含共价键合至硅原子的至少一个第二卤素；以及
(d)从所述反应容器的出口收集产物流，所述产物流包含所述第二卤代硅烷化合物。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括以下步骤：
(e)从所述产物流中回收未反应的第一卤代硅烷化合物；以及
(f)将回收的未反应的第一卤代硅烷化合物进料到所述反应容器的入口中。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一卤代硅烷化合物在进料到所述反应容器的入口中时是流体。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述卤化物源选自无水溴化物盐、无水碘化物盐及其混合物。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述卤化物源选自碱金属卤化物、碱土金属卤化物及其混合物。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述卤化物源是无水碘化物盐。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述卤化物源是碘化锂。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中在约0℃至约40℃的温度下进行所述反应。


9.根据权利要求8所述的方法，其中在约20℃至约30℃的温度下进行所述反应。


10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中所述第一卤代硅烷化合物选自氯代硅烷、溴代硅烷及其混合物。


11.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述第一卤代硅烷化合物是式(I)、式(X)、式(XX)或式(XL)的化合物：
SiaHbRcXd式(I)
其中变量a为1至3的整数，变量b、c和d的和为2a+2，变量b为0至2a+1的整数，变量c为0至2a+1的整数，以及变量d为1至2a+2的整数；
N(...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·西维尔奇，R·W·J·M·汉森，E·托里斯，C·K·鲍科姆，B·M·伯克哈特，
申请(专利权)人：美利肯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US