芯片加工方法、芯片及激光器技术

本申请总体来说涉激光技术领域，具体而言，涉及一种芯片加工方法、芯片及激光器，芯片采用该芯片加工方法加工而成，激光器安装有该芯片，芯片加工方法包括：在衬底加工芯片层组，去除部分所述芯片层组形成波导区，通过生长方式加工覆盖层，将波导区的覆盖层加工成端面朝向芯片层组的波导条，将所述波导条朝向所述芯片层组的一侧部分去除，以在所述波导条与所述芯片层组之间形成间隙，加工波导包层，并去掉所述芯片层组及所述间隙对应的波导包层，波导条用于对芯片层组发出的激光进行整形，使出射激光的光斑接近圆形，提高激光器与光纤耦合效率。

【技术实现步骤摘要】
芯片加工方法、芯片及激光器
本申请总体来说涉激光
，具体而言，涉及一种芯片加工方法、芯片及激光器。
技术介绍
通常的DFB激光器芯片主要是通过InGaAlAs/InAlAs的多层量子阱结构在正向电流的作用下形成离子数反转，形成受激辐射，产生激光，再通过布拉格光栅进行指定波长筛选，得到窄线宽激光，再通过激光器芯片的出射端面发射激光。而通常由于产生激光的多层量子阱厚度只有十几纳米，而宽度主要由施加电流的脊波导宽度决定，而通常高速DFB激光器芯片的脊波导宽度为2μm～3μm，从而造成激光出射端面的的横纵宽度比有至少几十倍的差异，由于现有DFB激光器芯片的横向尺寸比纵向尺寸大非常多，所以，会导致现有DFB激光器芯片出射的光斑形状在纵向方向上的发散角比横向方向的发散角大很多，从而导致现有DFB激光器芯片的出射光斑都为椭圆形光斑，而通常的耦合光纤纤芯都为圆形尺寸，与DFB激光器芯片端面出射椭圆形光斑不匹配，从而造成在将激光器芯片的出射光耦合到传输光纤的过程中会因为光斑的不匹配造成较多的耦合光功率损耗。专利技术内容在专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片加工方法，其特征在于，包括：/n在衬底加工芯片层组；/n去除部分所述芯片层组形成波导区；/n通过生长方式加工覆盖层；/n将波导区的覆盖层加工成端面朝向芯片层组的波导条，同时去除所述波导条与所述芯片层组贴合的部分，以在所述波导条与所述芯片层组之间形成间隙；/n加工波导包层，并去掉所述芯片层组及所述间隙对应的波导包层。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片加工方法，其特征在于，包括：
在衬底加工芯片层组；
去除部分所述芯片层组形成波导区；
通过生长方式加工覆盖层；
将波导区的覆盖层加工成端面朝向芯片层组的波导条，同时去除所述波导条与所述芯片层组贴合的部分，以在所述波导条与所述芯片层组之间形成间隙；
加工波导包层，并去掉所述芯片层组及所述间隙对应的波导包层。


2.如权利要求1所述的芯片加工方法，其特征在于，去除部分所述芯片层组形成波导区包括：
从所述衬底的一侧至所述衬底的另一侧去掉部分所述芯片层组形成所述波导区。


3.如权利要求1所述的芯片加工方法，其特征在于，通过生长方式加工覆盖层包括：
通过气相外延生长方式加工0.5μm-2μm的覆盖层。


4.如权利要求1所述的芯片加工方法，其特征在于，将波导区的覆盖层加工成端面朝向芯片层组的波导条：
通过光刻工艺和干法刻蚀工艺将所述波导区的覆盖层加工成横截面为正方形的波导条；
所述波导条的横截面边长为0.5μm-2μm。


5.如权利要求1所述的芯片加工方法，其特征在于，在衬底加工芯片层组包括：
依次在所述衬底上加工1μm-1.5μm厚的缓冲层；
加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦伟，刘宏亮，邹颜，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44