一种可调谐单纵模激光器及其制备方法技术

本公开提供了一种可调谐单纵模半导体激光器，包括：多层半导体层，其用于产生不同频率间隔的多纵模激光；包层，其设置在多层半导体层之上，用于限制光场和载流子扩散；欧姆接触层，其设置在包层之上；其中，在包层及欧姆接触层上光刻及刻蚀形成有第一脊型波导及第二脊型波导，第一脊型波导中心位置及第二脊型波导中心位置十字正交弯曲连接，第一脊型波导及第二脊型波导用于将不同频率间隔的多纵模激光实现特定频率的单纵模激光发射；多层半导体层与第一脊型波导构成第一法布里珀罗腔半导体激光器，多层半导体层与第二脊型波导构成第二法布里珀罗腔半导体激光器。本公开还提供了一种可调谐单纵模激光器的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种可调谐单纵模激光器及其制备方法
本公开涉及半导体光电子器件
，具体涉及一种可调谐单纵模激光器及其制备方法。
技术介绍
单纵模可调谐半导体高速半导体激光器是现代光通信网络的核心器件，尤其是在波分复用系统中的应用。通常采用布拉格光栅结构来实现半导体激光器的单模激射，常用的布拉格光栅结构有均匀光栅、四分之一相移光栅、取样光栅。均匀光栅一般采用全息技术获得，四分之一相移光栅和取样光栅由电子束光刻获得；布拉格光栅进行选模的缺点是需要对芯片进行二次外延，以及需要高分辨率的光刻机进行光栅结构的制作，增加了制作的时间和成本。一般还需要对激光器进行端面镀膜，以实现高功率的单模输出。光通信系统中，1.3微米和1.55微米波长激光为光通信窗口的主要发射源。激光器的量子阱结构主要有InGaAsP和AlGaInAs两种材料体系，AlGaInAs材料的量子效率较高。一般采用窄脊波导结构来对光场的横向模式进行限制。
技术实现思路
为了解决现有技术中上述问题，本公开提供了一种可调谐单纵模激光器及其制备方法，基于游标效应筛选出激光模式中的单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调谐单纵模半导体激光器，其特征在于，包括：/n多层半导体层(100)，其设置在衬底(1)上，用于产生不同频率间隔的多纵模激光；/n包层(7)，其设置在所述多层半导体层之上，用于限制光场和载流子扩散；/n欧姆接触层(8)，其设置在所述包层(7)之上；/n其中，在所述包层(7)及所述欧姆接触层(8)上光刻及刻蚀形成有第一脊型波导(9)及第二脊型波导(10)，所述第一脊型波导(9)中心位置及所述第二脊型波导(10)中心位置十字正交弯曲连接，所述第一脊型波导(9)及所述第二脊型波导(10)用于将所述不同频率间隔的多纵模激光实现特定频率的单纵模激光发射；所述多层半导体层(100)与所述第一脊型...

【技术特征摘要】
1.一种可调谐单纵模半导体激光器，其特征在于，包括：
多层半导体层(100)，其设置在衬底(1)上，用于产生不同频率间隔的多纵模激光；
包层(7)，其设置在所述多层半导体层之上，用于限制光场和载流子扩散；
欧姆接触层(8)，其设置在所述包层(7)之上；
其中，在所述包层(7)及所述欧姆接触层(8)上光刻及刻蚀形成有第一脊型波导(9)及第二脊型波导(10)，所述第一脊型波导(9)中心位置及所述第二脊型波导(10)中心位置十字正交弯曲连接，所述第一脊型波导(9)及所述第二脊型波导(10)用于将所述不同频率间隔的多纵模激光实现特定频率的单纵模激光发射；所述多层半导体层(100)与所述第一脊型波导(9)构成第一法布里珀罗腔半导体激光器，所述多层半导体层(100)与所述第二脊型波导(10)构成第二法布里珀罗腔半导体激光器。


2.根据权利要求1所述的可调谐单纵模激光器，其特征在于，所述第一脊型波导(9)及所述第二脊型波导(10)为条状型结构，其中，所述第一脊型波导(9)的长度与所述第二脊型波导(10)的长度不等。


3.根据权利要求1或2所述的可调谐单纵模激光器，其特征在于，所述第一脊型波导(9)及所述第二脊型波导(10)的长度为600μm～1100μm，其宽度为2μm～4μm。


4.根据权利要求3所述的可调谐单纵模激光器，其特征在于，所述第一脊型波导(9)及第二脊型波导(10)十字正交处弯曲连接的曲率半径为300μm～700μm。


5.根据权利要求1所述的可调谐单纵模激光器，其特征在于，所述第一法布里珀罗腔半导体激光器(101)及第二法布里珀罗腔半导体激光器(102)采用独立的电激励。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏施君，祝宁华，许博蕊，袁海庆，王欣，白金花，孙文惠，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11