可调谐激光器芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种可调谐激光器芯片。本发明专利技术的可调谐激光器芯片，包括：一光电发射单元，发射激光；一波长调谐单元，与所述光电发射单元电性分隔，调谐所述激光的波长；所述波长调谐单元包括至少一薄膜热电堆，所述薄膜热电堆间相互串联；所述波长调谐单元直接集成在所述光电发射单元中。本发明专利技术的可调谐激光器芯片可独立工作并实现波长的调谐，芯片及其封装模块集成度高，调制速率高，调制波长范围大。

【技术实现步骤摘要】
可调谐激光器芯片
本专利技术属于半导体激光器
，尤其涉及一种可调谐激光器芯片。
技术介绍
与本案相关的现有技术可以参考如下几种可调谐激光器的技术：主要有垂直腔面发射激光器（VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，简称VCSEL）、分布式反馈激光器（DistributedFeedbackLaser，简称DFB）、分布布拉格反射激光器（DistributedBraggReflection，简称DBR）以及取样光栅分布布拉格反射激光器（SampledGratingDistributedBraggReflector，简称SGDBR）等技术。可调谐方式主要有三种：微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，简称MEMS)调谐、电流调谐、以及温度调谐。基于MEMS技术的调谐方法是通过在谐振腔上方形成悬臂梁或薄膜结构，在悬臂梁或薄膜与固定器件之间施加偏压形成静电力，悬臂梁或薄膜上下移动，谐振腔长度改变，进而实现波长调谐，但器件结构复杂易失效，成品率低；电流调谐是通过给上下DBR注入不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调谐激光器芯片，其特征在于：包括：/n一光电发射单元，发射激光；/n一波长调谐单元，与所述光电发射单元电性分隔，调谐所述激光的波长；/n所述波长调谐单元包括至少一薄膜热电堆，所述薄膜热电堆间相互串联；所述波长调谐单元直接集成在所述光电发射单元中。/n

【技术特征摘要】
1.一种可调谐激光器芯片，其特征在于：包括：
一光电发射单元，发射激光；
一波长调谐单元，与所述光电发射单元电性分隔，调谐所述激光的波长；
所述波长调谐单元包括至少一薄膜热电堆，所述薄膜热电堆间相互串联；所述波长调谐单元直接集成在所述光电发射单元中。


2.根据权利要求1所述的可调谐激光器芯片，其特征在于：所述光电发射单元和所述波长调谐单元通过键合或直接生长的方式集成。


3.根据权利要求1所述的可调谐激光器芯片，其特征在于：所述薄膜热电堆包括：
一绝缘热阻层；
至少两个P型热电臂，生长在所述绝缘热阻层一侧；
至少两个N型热电臂，与所述P型热电臂呈电串联、热并联连接，生长在所述绝缘热阻层另一侧。


4.根据权利要求3所述的可调谐激光器芯片，其特征在于：所述N型热电臂与P型热电臂的电串联节点分布在绝缘热阻层的上下表面。


5.根据权利要求1所述的可调谐激光器芯片，其特征在于：所述光电发射单元为垂直腔面发射激光器VCSEL芯片。


6.根据权利要求5所述的可调谐激光器芯片，其特征在于：所述VCSEL芯片单元包括外延晶圆，所述外延晶圆包括：
一N型单晶衬底，
以及依次外延生长在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋世金，汤惠淋，王雷，刘浩飞，朱刘，刘留，苏小平，程勇，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50