激光发射器调节电路及激光发射器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种激光发射器调节电路及激光发射器，该激光发射器调节电路包括：用于检测激光器芯片温度的温度检测器；位于激光发射器内且具有单向导电性的温度调节件，温度调节件用于受控地产生热量并将所产生的热量传递至激光发射器内部的激光器芯片；以及，与温度调节件电路连接的调节单元，用于调节温度调节件的信号强度，通过调节温度调节件的信号强度对所述温度调节件产生的热量进行调节，以通过调节温度调节件产生的热量调节激光器芯片的温度。本实用新型专利技术用以解决现有技术中通过热电制冷器TEC对激光发射器内的环境温度进行控制导致电能损耗增大且成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
激光发射器调节电路及激光发射器
本技术涉及激光发射器领域，尤其涉及一种激光发射器调节电路及激光发射器。
技术介绍
对于光纤通信系统而言，若要充分利用光纤在传输容量上的优势，则需构建波分复用系统。传统的按照网格对光纤传输带宽进行划分，可以划分为CWDM(CoarseWavelengthDivisionMultiplexing，稀疏波分复用)技术、DWDM(DenseWavelengthDivisionMultiplexing密集波分复用)技术、局域网波分多路复用Lan-WDM技术。随着5G系统的建设，运营商也提出了新的波分网络的划分方式，称之为半有源系统Open-WDM/MWDM。在5G系统中，光模块中激光器芯片的工作波长随着温度变化存在一定的漂移，激光器芯片的工作波长在全温范围内的漂移范围约为9.5nm。为了保证通道之间的串扰控制，对于CWDM复用方式，要求波长偏移范围不超过6.5nm。对于其他复用系统，偏移量的控制更加严格。目前在实际应用中，激光器的极限波长偏移达到9.5nm，远远达不到系统对不超过6.5nm偏移的要求。为了解决这一问题，需要对激光器工作时的温度进行调节以使输出波长范围达标。传统的激光器温控方案是使用TEC(ThermalElectricCooler，热电制冷器)来控制激光发射器工作的环境温度，但是由于TEC工作时需要专用的芯片加以控制，由此使得成本较高。并且，TEC在加热和致冷的工作状态，随着温度控制范围的增加，使得温度的使用效率降低，从而导致大量无效的电能损耗产生。随着光模块对功耗的限制，往往不能满足实际光模块的使用需求。由此，有必要提供一种激光器温控的方案，以提高激光器工作温度控制的效率并降低无效电能的损耗。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种激光发射器调节电路及激光发射器，用以解决现有技术中通过热电制冷器TEC对激光发射器内的环境温度进行控制而导致电能损耗增大且成本较高的问题。为实现上述目的，本技术是这样实现的：第一方面，本技术提供一种激光发射器调节电路，包括：用于检测所述激光器芯片温度的温度检测器；位于激光发射器内且具有单向导电性的温度调节件，所述温度调节件用于受控地产生热量并将所产生的热量传递至激光发射器内部的激光器芯片；以及与所述温度调节件电路连接的调节单元，用于调节所述温度调节件的信号强度，通过调节所述温度调节件的信号强度对所述温度调节件产生的热量进行调节，以通过调节所述温度调节件产生的热量调节激光器芯片的温度。作为本技术的进一步改进，所述温度调节件布置于所述激光器芯片的上方，以通过所述激光器芯片支撑所述温度调节件。作为本技术的进一步改进，所述温度调节件位于所述激光器芯片的一侧，且与所述激光器芯片的侧面紧贴布置。作为本技术的进一步改进，所述激光发射器内部还配置有基板，所述温度调节件与所述激光器芯片间隔布置于所述基板上，所述温度调节件产生的热量通过所述基板传递给所述激光器芯片。作为本技术的进一步改进，所述温度调节件工作于反向击穿状态。作为本技术的进一步改进，所述温度调节件为稳压二极管。作为本技术的进一步改进，所述温度调节件为普通二极管、三极管、场效应管或可控硅。第二方面，本技术还提供一种激光发射器，包括：内部配置有激光器芯片的壳体；以及第一方面所述的激光发射器调节电路，所述激光发射器调节电路配置于所述壳体内。作为本技术的进一步改进，所述壳体内形成有凸台，所述激光发射器调节电路配置于所述凸台上。本技术的有益效果为：本技术的激光发射器调节电路根据温度检测器所检测的激光器芯片的温度对位于激光发射器内的温度调节件的信号强度进行调节，通过改变温度调节件的信号强度改变温度调节件所产生的热量，以改变激光器芯片被温度调节件进行热传递后的温度，从而通过调节激光器芯片的工作温度对激光发射器输出的激光光束的波长进行调节。如此，本技术通过改变具有单向导电性的温度调节件的信号强度对传递至激光器芯片的工作温度进行调节，与现有技术中通过热电制冷器TEC对激光发射器内的环境温度进行控制的方案相比，本技术实施例的激光发射器调节电路通过利用温度调节件在其工作中因耗散功率所产生的热量对激光器芯片进行加热，能够有效地降低电能的损耗。同时，由于现有技术中通过热电制冷器TEC实现温度控制的方式较为复杂，在热电制冷器TEC工作时需要使用专用的芯片对TEC进行控制，由此无疑增加了对激光器芯片温度进行控制的成本，且增加了整体设备的成本以及TEC的物料成本，因此本技术的激光发射器调节电路能够有效降低对激光器芯片进行控温的成本，以满足光纤传输系统对光模块的成本比较低的要求。附图说明图1为本技术一个实施例的激光发射器的示意性结构图；图2为本技术另一个实施例的激光发射器的示意性结构图；图3为本技术一个实施例的激光发射器调节电路的示意性结构图；图4为本技术一个实施例的温度调节件与激光器芯片之间的示意性位置关系结构图；图5为本技术另一个实施例的温度调节件与激光器芯片之间的示意性位置关系结构图；图6为二极管的示意性工作原理图；图7为本技术再一个实施例的温度调节件与激光器芯片之间的示意性位置关系结构图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内。以下结合附图，详细说明本技术各实施例提供的技术方案。光纤通信系统中包含有具有激光发射器的光模块。如图1所示，本技术实施例的激光发射器100可包括：内部配置有激光器芯片10的壳体20，壳体20内布置有用于对激光发射器100输出的激光光束的波长进行调节的激光发射器调节电路30。壳体20内形成有凸台21，激光发射器调节电路30配置于凸台21上。其中，凸台21可与壳体20一体成型连接，也可通过其他方式进行固定连接。图1为激光发射器100的其中一种封装结构图，其中，引脚1表示监控探测器mPD的正极，引脚6表示监控探测器mPD的负极，引脚2表示激光器芯片10的正极，引脚4表示热敏电阻的负极，引脚3表示激光发射器调节电路30中温度调节件302(如二极管)的正极，引脚5表示激光发射器调节电路30中温度调节件302(如二极管)的负极。引脚7表示调制吸收器EA的正极，引脚8表示接地。图2为激光发射器100的另一种封装结构图，其中，引脚1a表示温度调节件302的负极，引脚2a表示温度调节件302的正极，引脚3a表示接地，引脚4a表示调制器Modulatoranode的正极，引脚5a表示接地，引脚6a表示监控探测器mPD的负极，引脚7a表示激光器芯片10的正极，引脚8a表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光发射器调节电路，其特征在于，包括：/n用于检测激光器芯片温度的温度检测器；/n位于激光发射器内且具有单向导电性的温度调节件，所述温度调节件用于受控地产生热量并将所产生的热量传递至激光发射器内部的激光器芯片；以及，/n与所述温度调节件电路连接的调节单元，用于调节所述温度调节件的信号强度，通过调节所述温度调节件的信号强度对所述温度调节件产生的热量进行调节，以通过调节所述温度调节件产生的热量调节激光器芯片的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种激光发射器调节电路，其特征在于，包括：
用于检测激光器芯片温度的温度检测器；
位于激光发射器内且具有单向导电性的温度调节件，所述温度调节件用于受控地产生热量并将所产生的热量传递至激光发射器内部的激光器芯片；以及，
与所述温度调节件电路连接的调节单元，用于调节所述温度调节件的信号强度，通过调节所述温度调节件的信号强度对所述温度调节件产生的热量进行调节，以通过调节所述温度调节件产生的热量调节激光器芯片的温度。


2.根据权利要求1所述的激光发射器调节电路，其特征在于，
所述温度调节件布置于所述激光器芯片的上方，以通过所述激光器芯片支撑所述温度调节件。


3.根据权利要求1所述的激光发射器调节电路，其特征在于，
所述温度调节件位于所述激光器芯片的一侧，且与所述激光器芯片的侧面紧贴布置。


4.根据权利要求1所述的激光发射器调节电路，其特征在于，
所述激光发射器内...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐俊，郑睿，陈亦凡，
申请(专利权)人：易锐光电科技安徽有限公司，苏州易锐光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34