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一种可调谐单纵模激光器及其制备方法技术
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文档序号:28044779
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本公开提供了一种可调谐单纵模半导体激光器,包括:多层半导体层,其用于产生不同频率间隔的多纵模激光;包层,其设置在多层半导体层之上,用于限制光场和载流子扩散;欧姆接触层,其设置在包层之上;其中,在包层及欧姆接触层上光刻及刻蚀形成有第一脊型波导...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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