【技术实现步骤摘要】
一种沟槽MOSFET器件的终端结构及制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件终端结构及制造方法，尤其是一种沟槽MOSFET器件的终端结构及制造方法，属于半导体器件的制造
技术介绍
在功率半导体器件领域，现有的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(TrenchMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,TrenchMOSFET)通常用沟槽结构作为终端保护区，如图1所示，且传统结构的终端保护区在第一导电类型漂移区2上设有至少一个栅沟槽20，利用多个栅沟槽20的分压作用，用来改善芯片外围的局部电场集中效应，从而提升芯片的击穿电压及可靠性，虽然沟槽结构能够有效提高终端耐压，但对于中压120V～150V的沟槽MOSFET器件来说，想进一步提高耐压，需增加沟槽的数量，使得终端的宽度较大，有源区面积减小，不利于降低导通电阻，若不增加沟槽数量，当击穿电压达到120V以上时，会出现的明显的终端耐压较弱的现象，具体表现为终端击穿电压较低，雪崩能力差，可靠性下降等问题，上述问题均与终端结构耐...
【技术保护点】
1.一种沟槽MOSFET器件的终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底(1)及位于第一导电类型衬底(1)上的第一导电类型漂移区(2)，其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区(2)内设有与所述元胞区邻接的过渡区沟槽(3)、位于终端保护区边缘的截止沟槽(4)，所述过渡区沟槽(3)和截止沟槽(4)间设有缓变结第二导电类型阱区(5)，所述缓变结第二导电类型阱区(5)上覆盖有绝缘介质(6)，所述绝缘介质(6)上覆盖有源极金属(7)，所述源极金属(7)穿过绝缘介质(6)与缓变结第二导电类型阱区(5)欧姆接触。/n
【技术特征摘要】
1.一种沟槽MOSFET器件的终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底(1)及位于第一导电类型衬底(1)上的第一导电类型漂移区(2)，其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区(2)内设有与所述元胞区邻接的过渡区沟槽(3)、位于终端保护区边缘的截止沟槽(4)，所述过渡区沟槽(3)和截止沟槽(4)间设有缓变结第二导电类型阱区(5)，所述缓变结第二导电类型阱区(5)上覆盖有绝缘介质(6)，所述绝缘介质(6)上覆盖有源极金属(7)，所述源极金属(7)穿过绝缘介质(6)与缓变结第二导电类型阱区(5)欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET器件的终端结构，其特征在于：在终端保护区，从所述过渡区沟槽(3)指向所述截止沟槽(4)的方向上，所述缓变结第二导电类型阱区(5)的深度逐渐减小，形成渐变梯度。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET器件的终端结构，其特征在于：所述过渡区沟槽(3)内设有栅氧化层(8)及被所述栅氧化层(8)包围的栅极导电多晶硅(9)。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET器件的终端结构，其特征在于：所述截止沟槽(4)内设有截止氧化层(10)及被所述截止氧化层(10)包围的截止多晶硅(11)，所述截止沟槽(4)上设有截止环金属(12)，所述截止环金属(12)穿过绝缘介质(6)与所述第一导电类型漂移区(2)接触。
5.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET器件的终端结构，其特征在于：在所述元胞区，在所述第一导电类型漂移区(2)内设有第二导电类型体区(13)、位于所述第二导电类型体区(13)内的第一导电类型源区(14)及位于第二导电类型体区(13)间的栅沟槽，所述栅沟槽内设有栅氧化层(8)及被所述栅氧化层(8)包围的栅极导电多晶硅(9)，所述导电多晶硅(8)上覆盖有绝缘介质(6)，所述绝缘介质(6)上覆盖有源极金属(7)，所述源极金属(7)穿过绝缘介质(6)内分别与第二导电类型体区(13)、第一导电类型源区(14)欧姆接触。
6.一种沟槽MOSFET器件的终端结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：
步骤一.提供一半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区(2)以及位于所述第一导电类型漂移区(2)下方的第一导电类型衬底(1)，所述第一导电类型漂移区(2)的上表面为半导体基板的第一主面(001)，第一导电类型衬底(1)的下表面为半导体基板的第二主面(002)；
步骤二.在第一主面(001)上淀积氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘锋，周祥瑞，刘秀梅，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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