【技术实现步骤摘要】
一种二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种二极管及其制作方法。
技术介绍
在电子电路中，二极管的应用十分广泛，选择合适的二极管，对整个电子电路系统来讲是十分重要的。二极管经常会遇到尖峰电压超过二极管的击穿电压的情况，导致二极管发生雪崩击穿，电流突然增加，雪崩电流大小可以增加到无穷大，并且普通二极管雪崩一般发生在终端的局部区域，由于流过较大的雪崩电流，使局部区域温度升高，有时会导致二极管的热损坏。因此，选择合适的二极管需要该二极管能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量，雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时二极管元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿能力。但目前的二极管在反向电压较大时就直接发生雪崩击穿，其雪崩耐量能力较弱，导致在很多电路中无法满足使用要求。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术中二极管的雪崩耐量能力较弱的技术问题，提出了一种二极管及其制作方法，这种二极管能够在一定反向电压范围内具有特定反向...
【技术保护点】
1.一种二极管，其特征在于，包括：/nN基体(1)，所述N基体(1)上形成有有源区P+层(2)；/n有源区P+层(2)，所述有源区P+层(2)内设有多个mos结构(21)，所述有源区P+层(2)上设有阳极金属(4)；/n多个mos结构(21)，所述mos结构(21)包括沟槽(211)，所述沟槽(211)内形成有栅氧化层(212)和多晶硅(213)，所述沟槽(211)侧壁外设有与阳极金属(4)电连接的N+层(214)，所述沟槽(211)上设有绝缘介质层(3)以隔开所述多晶硅(213)和所述阳极金属(4)，当所述二极管施加反向电压增大时，所述多晶硅(213)施加开启电压，所述沟...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种二极管，其特征在于，包括：
N基体(1)，所述N基体(1)上形成有有源区P+层(2)；
有源区P+层(2)，所述有源区P+层(2)内设有多个mos结构(21)，所述有源区P+层(2)上设有阳极金属(4)；
多个mos结构(21)，所述mos结构(21)包括沟槽(211)，所述沟槽(211)内形成有栅氧化层(212)和多晶硅(213)，所述沟槽(211)侧壁外设有与阳极金属(4)电连接的N+层(214)，所述沟槽(211)上设有绝缘介质层(3)以隔开所述多晶硅(213)和所述阳极金属(4)，当所述二极管施加反向电压增大时，所述多晶硅(213)施加开启电压，所述沟槽(211)外形成导电沟道，所述导电沟道与所述二极管内的空间电荷区连接，所述二极管内形成反向电流。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括P+场环(5)，所述多晶硅(213)向沟槽(211)外延伸与所述P+场环(5)电连接，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)与所述N基体(1)和有源区P+层(2)之间设有场氧(8)。
3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述P+场环(5)为多个，所述多晶硅(213)与一个或多个所述P+场环(5)电连接。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述多晶硅(213)向沟槽(211)外延伸，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)上设有金属层(6)与外部电路电连接，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)与所述N基体(1)和有源区P+层(2)之间设有场氧(8)。
5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)的第一端设有所述绝缘介质层(3)与所述阳极金属(4)隔开，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)的第二端设有保护层(31)包裹所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)。
6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括内部P+环结(7)，所述多晶硅(213)延伸与所述内部P+环结(7)电连接，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)与所述N基体(1)和有源区P+层(2)之间设有场氧(8)。
技术研发人员：张景超，林茂，戚丽娜，井亚会，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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