一种晶圆CMP后清洗的搬送方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆CMP后清洗的搬送方法,包括如下步骤：步骤S01、交接单元接收CMP后的晶圆；步骤S02、双机械手将交接单元内的第一片晶圆搬送至第一清洗单元进行第一次清洗；步骤S03、双机械手将第一片晶圆搬送至第二清洗单元进行第二次清洗；步骤S04、双机械手将交接单元内的第二片晶圆搬送至第一清洗单元进行第一次清洗；步骤S05、第二片晶圆在第一清洗单元清洗后保湿等待，并在第一片晶圆第二次清洗完之前进入第二清洗单元；步骤S06、双机械手将第一片晶圆和第二片晶圆的位置互换，第二片晶圆在第二清洗单元内清洗，第一片晶圆送至装载台的晶圆盒内；步骤S07、重复步骤S02~步骤S06，将晶圆依次放入晶圆盒内，本发明专利技术有效的减少晶圆的搬送时间，提高了产能。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆CMP后清洗的搬送方法
本专利技术属于晶圆清洗的相关
，尤其涉及一种用于晶圆CMP后清洗的搬送方法。
技术介绍
晶圆的清洗是半导体器件生产过程中非常重要的步骤，清洗的是否干净直接影响了器件的性能和良率，所以在半导体器件的制备流程中，需要对晶圆进行多次清洗。在现有的半导体制造工艺中，一般采用化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)方法进行平坦化工艺，然而，在CMP的过程中会产生很多残留物(residue)，从而形成缺陷(defect)，所以CMP之后需要对晶圆(wafer)进行清洗，以减少缺陷。现有的清洗方法一般是直接利用机械手后将CMP后的晶圆放置在载台上，然后利用机械手将一片片的晶圆依次搬送到各个清洗机构处进行直接清洗，这样虽然能将晶圆清洗干净，但是长时间的实际加工后发现，这样晶圆搬送的清洗方式搬送效率低，搬送时间长，导致清洗的产能达不到高需求，严重制约了晶圆的进一步发展。
技术实现思路
本专利技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种能提升晶圆CMP后清洗的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆CMP后清洗的搬送方法,其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S01、交接单元接收CMP后的晶圆并进行预清洗；/n步骤S02、双机械手将交接单元内的第一片晶圆搬送至第一清洗单元进行第一次清洗；其中，第一次清洗的时间为110~130秒；/n步骤S03、双机械手将第一次清洗后的第一片晶圆搬送至第二清洗单元进行第二次清洗；其中，第二次清洗的时间为170~190秒；/n步骤S04、双机械手返回至交接单元，将交接单元内的第二片晶圆搬送至第一清洗单元进行第一次清洗；/n步骤S05、所述第二片晶圆在第一清洗单元清洗完毕后保湿等待，然后所述第二片晶圆在所述第一片晶圆第二次清洗完毕之前进入到第二清洗单元...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆CMP后清洗的搬送方法,其特征在于，包括如下步骤：
步骤S01、交接单元接收CMP后的晶圆并进行预清洗；
步骤S02、双机械手将交接单元内的第一片晶圆搬送至第一清洗单元进行第一次清洗；其中，第一次清洗的时间为110~130秒；
步骤S03、双机械手将第一次清洗后的第一片晶圆搬送至第二清洗单元进行第二次清洗；其中，第二次清洗的时间为170~190秒；
步骤S04、双机械手返回至交接单元，将交接单元内的第二片晶圆搬送至第一清洗单元进行第一次清洗；
步骤S05、所述第二片晶圆在第一清洗单元清洗完毕后保湿等待，然后所述第二片晶圆在所述第一片晶圆第二次清洗完毕之前进入到第二清洗单元内；
步骤S06、双机械手将第一片晶圆和第二片晶圆的位置互换后，所述第二片晶圆在第二清洗单元内进行清洗，而所述第一片晶圆经由双机械手送至装载台的晶圆盒内；
步骤S07、依次重复步骤S02~步骤S06，将晶圆依次放入装载台的晶圆盒内，当晶圆的数量达到需求时，由后续机械...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，朴灵绪，郭巍，
申请(专利权)人：若名芯半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32