一种数据存储纠错方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种数据存储纠错方法、装置及电子设备，该方法包括：将接收到的待存数据分别保存到第一存储器和第二存储器中作为第一数据和第二数据；根据数据映射表为所述待存数据分配存储地址，将所述第一存储器中的第一数据依次写入到第一数据块的第一数据页中，并查询所述第一数据页的状态；在查询得到所述第一数据页的状态为错误的情况下，将所述第二存储器中保存的与所述第一数据块已写入的第一数据对应的第二数据写入到第二数据块，并在所述数据映射表中将所述第一数据块的地址更新为所述第二数据块的地址。通过本发明专利技术实施例，实现了固态硬盘在进行数据写入时的纠错能力，提高了该固态硬盘所存储的数据的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种数据存储纠错方法、装置及电子设备
本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种数据存储纠错方法、装置及电子设备。
技术介绍
当前，NAND闪存技术的发展推动了固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)产业。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能，而且在很大程度上收到NAND控制器算法的影响。NAND是一种非易失性存储设备，最小可读取单位叫页(page)，最小可擦除的单位叫块(block)，一个块往往由很多页构成。在块擦除后，可以对块内的页进行写入操作。写入操作很慢，比读取操作慢得多，而擦除操作又比写入更加慢得多。现有SSD主要由NAND闪存、用于缓存数据的静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)，以及一个主控芯片(SSDController)所构成。有时候，还需要断电保护系统。为了保障整个SSD的写性能，当主控芯片将从主机获取的数据发送给NAND内存后，将不同步等待页编程(NANDPAGEPROGRAM)完毕，主控芯片就会直接返回正确的状态给主机。即主控芯片并未确定数据是否写成功，就本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据存储纠错方法，其特征在于，所述方法包括：/n将接收到的待存数据分别保存到第一存储器和第二存储器中作为第一数据和第二数据，所述第一存储器为静态随机存取存储器，所述第二存储器为非挥发性的磁性随机存储器；/n根据数据映射表为所述待存数据分配存储地址，将所述第一存储器中的第一数据依次写入到第一数据块的第一数据页中，并查询所述第一数据页的状态；所述存储地址包括与所述待存数据对应的第一数据块的地址，以及所述第一数据块下的第一数据页的地址；/n在查询得到所述第一数据页的状态为错误的情况下，将所述第二存储器中保存的与所述第一数据块已写入的第一数据对应的第二数据写入到第二数据块，并在所述数据映射表中...

【技术特征摘要】
1.一种数据存储纠错方法，其特征在于，所述方法包括：
将接收到的待存数据分别保存到第一存储器和第二存储器中作为第一数据和第二数据，所述第一存储器为静态随机存取存储器，所述第二存储器为非挥发性的磁性随机存储器；
根据数据映射表为所述待存数据分配存储地址，将所述第一存储器中的第一数据依次写入到第一数据块的第一数据页中，并查询所述第一数据页的状态；所述存储地址包括与所述待存数据对应的第一数据块的地址，以及所述第一数据块下的第一数据页的地址；
在查询得到所述第一数据页的状态为错误的情况下，将所述第二存储器中保存的与所述第一数据块已写入的第一数据对应的第二数据写入到第二数据块，并在所述数据映射表中将所述第一数据块的地址更新为所述第二数据块的地址。


2.根据权利要求1所述的数据存储纠错方法，其特征在于，在所述数据映射表中将所述第一数据块的地址更新为所述第二数据块的地址的步骤后，所述方法还包括：
根据更新后的数据映射表，将所述第一存储器中保存的剩余的第一数据写入到所述第二数据块中。


3.根据权利要求1所述的数据存储纠错方法，其特征在于，所述在查询得到所述第一数据页的状态为错误的情况下，所述方法还包括：
停止将所述第一存储器中的第一数据写入到第一数据块中。


4.根据权利要求1所述的数据存储纠错方法，其特征在于，所述方法还包括：
在查询得到所述第一数据块下所有的第一数据页的状态均正常时，将所述第二存储器中保存的与所述第一数据块已保存的第一数据对应的第二数据进行清除。


5.一种数据存储纠错装置，其特征在于，所述装置包括：
数据接收模块，用于将接收到的待存数据分别保存到第一存储器和第二存储器中作为第一数据和第二数据，所述第一存储器为静态随机存取存储器，所述第二存...

【专利技术属性】
技术研发人员：麻伟建，郭建平，刘天航，
申请(专利权)人：杭州华澜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33