一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路。本实用新型专利技术的控制电路包括“充电/放电”电路、“引爆”电路和“自毁”电路三部分，分别驱动电子雷管执行单片机输出的“充电/放电”、“引爆”和“自毁”指令，故障诊断电路监测控制电路的“充电”、“引爆”、“放电”、“自毁”四个状态，包括“充电”状态反馈电路、“引爆”状态反馈电路、“放电”状态反馈电路和“自毁”状态反馈电路。本实用新型专利技术避免了电子雷管引爆系统操作的盲目性，从而提高引爆系统的可靠性和安全性，提高了军事演练水平。

【技术实现步骤摘要】
一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路
本技术属于火军工引爆
，具体涉及一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路。
技术介绍
电子雷管的控制逻辑由单片机程序实现，单片机输出信号的执行由外围控制电路完成。单片机可靠性高，但控制电路由多个分立电子元器件组成，其可靠性取决于各电子元器件的自身性能及其相互连接。因此，电子雷管控制电路自身的可靠性大大低于单片机。又因电子雷管的体积限制，内置控制电路板体积及散热条件也受限，控制电路模块一般不设冗余电路。在以上条件下，本技术研究如何从电子雷管控制电路方面提高整个引爆系统的可靠性。考虑如果能实时监测控制电路中关键元器件的工作状态，并反馈给单片机，进而与上位机通讯，作为后续控制操作的依据，确保因分立电子元器件原因造成的电子雷管失效率大大降低，提高军事演练水平。
技术实现思路
针对
技术介绍
中所述的现实问题，本技术提出了一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路，具有安全性能佳的优点，解决了现有技术中电子雷管控制电路无状态反馈的问题。本技术所采用的技术方案包含如下内容：一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路。该电路包括控制电路和故障诊断电路两部分。1.控制电路包括“充电/放电”电路、“引爆”电路和“自毁”电路三部分。(1)“充电/放电”电路：单片机输出的“充电/放电”控制信号接增强型NMOS管T1的栅极，T1的源极接地，+15V充电电源信号经二极管VD1和放电电阻R1接T1的漏极，VD1的阴极通过68μF/50V的陶瓷电容C1接地。T1的栅极经0.01μF的独石电容C3接地。(2)“引爆”电路：为进一步降低电路的静态与动态功耗，提高“引爆”控制电路的驱动能力，单片机输出的“引爆”控制信号先通过两级CMOS反相器F1和F2，再接增强型NMOS管T2的栅极，T2的漏极接VD1的阴极，T2的源极经桥丝电阻R2接地。T2的栅极经0.01μF的独石电容C4接地。(3)“自毁”电路：单片机输出的“自毁”控制信号接增强型NMOS管T3的栅极，T3的漏极接+3.3V单片机供电电源，T3的源极接地。T3的栅极经0.01μF的独石电容C5接地。2.故障诊断电路监测控制电路的“充电”、“引爆”、“放电”、“自毁”四个重要状态。(1)“充电”状态反馈电路：VD1的阴极接单片机自带的10位A/D转换接口的输入端，转换输出数字信号D1即为“充电”状态检测信号g0。(2)“引爆”状态反馈电路：单片机输出的“引爆”控制信号和“充电”状态检测信号g0作为与非门Y1的输入，Y1的输出再接非门F1，F1的输出即为“引爆”故障信号g1。(3)“放电”状态反馈电路：单片机输出的“充电/放电”控制信号和“充电”状态检测信号g0作为与非门Y2的输入，Y2的输出再接非门F2，F2的输出即为“放电”故障信号g2。(4)“自毁”状态反馈电路：单片机供电电源接单片机自带的10位A/D转换接口的输入端，转换输出数字信号为D2。单片机输出的“自毁”控制信号和D2作为与非门Y3的输入，Y3的输出再接非门F3，F3的输出即为“自毁”故障信号g3。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：1.本电子雷管的控制及故障诊断电路提供了一种控制加反馈的思想，弥补了现有电子雷管控制电路中，缺少对关键分立元器件的实时状态反馈的缺陷，避免了电子雷管引爆系统操作的盲目性，从而提高引爆系统的可靠性和安全性。2.本电子雷管的控制及故障诊断电路大大降低了因控制电路故障造成的电子雷管失效率，提高联合军事演练水平。附图说明图1军事演练电子雷管控制系统组成框图；图2军事演练电子雷管控制及故障诊断电路原理图；图3军事演练电子雷管控制及故障诊断电路工作流程图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图进一步说明。图1所示为军事演练电子雷管控制系统组成框图，控制电路分别驱动电子雷管执行单片机输出的“充电/放电”、“引爆”和“自毁”指令。本技术增加了对控制电路的故障诊断电路。在单片机发出控制指令后，控制电路是否准确无误地执行指令，需要从控制电路采集“充电”、“引爆”、“放电”、“自毁”的实时状态数据反馈给单片机。根据单片机发出的动作指令与相应元器件状态间的逻辑关系，由故障诊断电路中逻辑门输出的高低电平判定控制电路是否正确执行“充电”、“引爆”、“放电”、“自毁”等指令。图2所示为军事演练电子雷管控制及故障诊断电路原理图。该电路包括控制电路和故障诊断电路两部分。1.控制电路包括“充电/放电”电路、“引爆”电路和“自毁”电路三部分。(1)“充电/放电”电路：单片机输出的“充电/放电”控制信号接增强型NMOS管T1的栅极，T1的源极接地，+15V充电电源信号经二极管VD1和放电电阻R1接T1的漏极，VD1的阴极通过68μF/50V的陶瓷电容C1接地。T1的栅极经0.01μF的独石电容C3接地。(2)“引爆”电路：为进一步降低电路的静态与动态功耗，提高“引爆”控制电路的驱动能力，单片机输出的“引爆”控制信号先通过两级CMOS反相器F1和F2，再接增强型NMOS管T2的栅极，T2的漏极接VD1的阴极，T2的源极经桥丝电阻R2接地。T2的栅极经0.01μF的独石电容C4接地。(3)“自毁”电路：单片机输出的“自毁”控制信号接增强型NMOS管T3的栅极，T3的漏极接+3.3V单片机供电电源，T3的源极接地。T3的栅极经0.01μF的独石电容C5接地。2.故障诊断电路监测控制电路的“充电”、“引爆”、“放电”、“自毁”四个重要状态。(1)“充电”状态反馈电路：VD1的阴极接单片机自带的10位A/D转换接口的输入端，转换输出数字信号D1即为“充电”状态检测信号g0。(2)“引爆”状态反馈电路：单片机输出的“引爆”控制信号和“充电”状态检测信号g0作为与非门Y1的输入，Y1的输出再接非门F1，F1的输出即为“引爆”故障信号g1。(3)“放电”状态反馈电路：单片机输出的“充电/放电”控制信号和“充电”状态检测信号g0作为与非门Y2的输入，Y2的输出再接非门F2，F2的输出即为“放电”故障信号g2。(4)“自毁”状态反馈电路：单片机供电电源接单片机自带的10位A/D转换接口的输入端，转换输出数字信号为D2。单片机输出的“自毁”控制信号和D2作为与非门Y3的输入，Y3的输出再接非门F3，F3的输出即为“自毁”故障信号g3。图3所示为军事演练电子雷管控制及故障诊断工作流程图。1.执行单片机输出的“充电/放电”、“引爆”和“自毁”指令(1)执行“充电/放电”指令：当单片机接收到来自引爆器的“充电”控制指令时，单片机输出的“充电/放电”控制信号为低电平，增强型NMOS管T1截止，+15V充电电源信号经二极管VD1对储能电容C1充电，为桥丝电阻R2的引爆储备能量。当单片机接收到来自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路，其特征在于：包括控制电路和故障诊断电路两部分；/n控制电路包括“充电/放电”电路、“引爆”电路和“自毁”电路三部分，分别驱动电子雷管执行单片机输出的“充电/放电”、“引爆”和“自毁”指令；/n“充电/放电”电路，单片机输出的“充电/放电”控制信号接增强型NMOS管T

【技术特征摘要】
1.一种用于军事演练电子雷管的控制及故障诊断电路，其特征在于：包括控制电路和故障诊断电路两部分；
控制电路包括“充电/放电”电路、“引爆”电路和“自毁”电路三部分，分别驱动电子雷管执行单片机输出的“充电/放电”、“引爆”和“自毁”指令；
“充电/放电”电路，单片机输出的“充电/放电”控制信号接增强型NMOS管T1的栅极，T1的源极接地，+15V充电电源信号经二极管VD1和放电电阻R1接T1的漏极，VD1的阴极通过68μF/50V的陶瓷电容C1接地，T1的栅极经0.01μF的独石电容C3接地；
“引爆”电路，单片机输出的“引爆”控制信号先通过两级CMOS反相器F1和F2，再接增强型NMOS管T2的栅极，T2的漏极接VD1的阴极，T2的源极经桥丝电阻R2接地，T2的栅极经0.01μF的独石电容C4接地；
“自毁”电路，单片机输出的“自毁”控制信号接增强型NMOS管T3的栅极，T3的漏极接+3.3V单片机供电电源，T3的源极接地，T3的栅极经0.01μF的独石电容C5接地；
故障诊断电路监测控制电路的“充电”、“引爆”、“放电”、“自毁”四个状态，包括“充电”状态反馈电路、“引爆”状态反馈电路、“放电”状态反馈电路和“自毁”状态反馈电路；
“充电”状态反馈电路，VD1的阴极接单片机自带的10位A/D转换接口的输入端，转换输出数字信号D1即为“充电”状态检测信号g0；
“引爆”状态反馈电路，单片机输出的“引爆”控制信号和C1的“充电”状态检测信号g0作为与非门Y1的输入，Y1的输出再接非门F1，F1的输出即为“引爆”故障信号g1；
“放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁勇，付少波，何惠英，陈影，赵建辉，赵玲，张淼，李纪红，孙孟雯，
申请(专利权)人：中国人民解放军陆军军事交通学院，
类型：新型
国别省市：天津;12