【技术实现步骤摘要】
一种含硅废水处理系统
本技术涉及工业废水处理
,具体涉及一种含硅废水处理系统。
技术介绍
目前在硅行业加工领域,特别是硅方、硅片加工行业中产生大量的含硅废水,其中含有的硅酸盐以SiO2计可达5%-10%,所排废水中的硅是由金刚线切割硅棒、硅方产生的单质硅,在切割时采用水冷,产生的废水排放出来后反应生成SiO2溶解于水中,溶解的SiO2有很强的聚合能力,逐渐结合在一起形成带负电的SiO2胶体溶液,且水中的硅胶体可与溶解性硅互相转换,若随水流直接排放,将随温度和pH的变化逐渐析出,容易污染水体,堵塞管道。对于该种废水的处理,国内外并无比较经济有效的处理方法,且出泥成分复杂,没有太大的回收价值。通常的废水除硅办法有混凝沉淀除硅法、膜处理除硅、离子交换除硅法等,其中混凝除硅法以其操作简便得到最广泛的应用。混凝除硅法是利用氢氧化物或金属氧化物对硅的吸附和凝聚来达到除硅效果的一种物理化学法,该方法非深度除硅,在实际应用过程中一般通过投加镁系、铁系、铝系盐及石灰进行除硅,该方法能去除水中60%以上的胶体硅,但溶解性硅 ...
【技术保护点】
1.一种含硅废水处理系统,其特征在于,包括:/n电絮凝反应池;/n絮凝剂生成装置,所述絮凝剂生成装置设置于所述电絮凝反应池内,所述絮凝剂生成装置包括金属阳极,所述金属阳极为铝、铁、镁或其合金,所述金属阳极用于原位生成絮凝剂。/n
【技术特征摘要】
1.一种含硅废水处理系统,其特征在于,包括:
电絮凝反应池;
絮凝剂生成装置,所述絮凝剂生成装置设置于所述电絮凝反应池内,所述絮凝剂生成装置包括金属阳极,所述金属阳极为铝、铁、镁或其合金,所述金属阳极用于原位生成絮凝剂。
2.根据权利要求1所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述电絮凝反应池下游还设置有絮凝沉淀池,所述絮凝沉淀池用于通过水溶性高分子聚合物絮凝剂使经过所述电絮凝反应池处理的所述废水中的含硅废物沉淀去除。
3.根据权利要求2所述的含硅废水处理系统,其特征在于,还包括:
平流式沉淀池,所述平流式沉淀池连接在所述絮凝沉淀池的下游,用于积聚经所述絮凝沉淀池处理后的含硅废水所沉淀下来的污泥。
4.根据权利要求3所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述平流式沉淀池包括:
进水口,所述进水口设在所述平流式沉淀池的靠近所述絮凝沉淀池的一端,所述进水口形成为多个均匀分布的淹没进水孔;
污泥斗,所述污泥斗设置于所述平流式沉淀池的底部;
排泥管,所述排泥管与所述污泥斗的底部相连通;
出水口,所述出水口设置在所述平流...
【专利技术属性】
技术研发人员:王怀敏,陆粉菊,江少英,
申请(专利权)人:曲靖晶龙电子材料有限公司,
类型:新型
国别省市:云南;53
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