一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器制造技术

本发明专利技术公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅过渡层，硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层，TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。

【技术实现步骤摘要】
一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器
本专利技术涉及半导体材料制造
，具体而言，涉及一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器。
技术介绍
宽带隙半导体(例如SiC、GaN和AlN)用作下一代光电、高频和大功率设备，SiC外延生长过程中，生长温度在1500～1700℃，当外延生长这种晶体时(通过体生长或外延膜生长)，一个大问题是反应堆组件(坩埚、基底和/或加热器)的气相生长条件极其苛刻(高温下腐蚀性气体含量很高)。由常规的低成本耐热材料(例如石墨和涂有SiC涂层的石墨)制成的反应堆组件在SiC和氮化物的块状/外延生长过程中不可避免地受到损坏，从而对产品质量和成品率产生不利影响。在氢化物气相外延生长氮化镓的过程中，镓源的挥发效率是关键因素。然而，目前的氢化物气相外延生长氮化镓所用的装置中，镓源的挥发效率较低，严重制约了生产效率。并且，氮化镓单晶外延生长环境是在高温大量腐蚀性气氛中，普通的石墨或者SiC涂层石墨组件均难以承受这样的高温腐蚀性气氛。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种用于氢化物气相外延生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材(2)，其特征在于，所述石墨基材(2)的外表面包覆有硅过渡层(3)，所述硅过渡层(3)的外表面包覆有TaC涂层(4)，所述TaC涂层(4)由靠近所述硅过渡层(3)的一侧至远离所述硅过渡层(3)的一侧孔隙率逐渐增大。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材(2)，其特征在于，所述石墨基材(2)的外表面包覆有硅过渡层(3)，所述硅过渡层(3)的外表面包覆有TaC涂层(4)，所述TaC涂层(4)由靠近所述硅过渡层(3)的一侧至远离所述硅过渡层(3)的一侧孔隙率逐渐增大。


2.根据权利要求1所述的用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，其特征在于，所述TaC涂层(4)靠近所述硅过渡层(3)的一侧的孔隙率小于2％，所述TaC涂层(4)远离所述硅过渡层(3)的一侧的孔隙率为30％～60％。


3.根据权利要求1所述的用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，其特征在于，所述TaC涂层(4)的厚度为20～200μm。


4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：余盛杰，汪洋，潘影，刘佳宝，柴攀，万强，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43