磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底制造技术

提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底
本公开涉及磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底。
技术介绍
InP(磷化铟)单晶已被广泛用作发光器件和电子器件的衬底。日本特开2011-251892号公报(专利文献1)公开了在通过诸如垂直布里奇曼(Bridgman)法或垂直温度梯度凝固法的VB(垂直舟皿)法使InP单晶生长的步骤中生长InP单晶时通过以6mm/小时以上的速率下拉坩埚来获得位错密度降低并且双晶缺陷的发生受到抑制的InP单晶。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-251892号公报
技术实现思路
根据本公开的一个实施方式的磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。在根据本公开的另一个实施方式的磷化铟单晶衬底中，外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从外周起向内5mm处的位置之间延伸。...

【技术保护点】
1.一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中/n外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中
外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。


2.根据权利要求1所述的磷化铟单晶，其中
所述外周部中的所述残余应变的大小的平均值为2.5×10-6以上且1.5×10-5以下，所述残余应变的大小以径向应变分量Sr与切向应变分量St之差的绝对值|Sr-St|表示。


3.根据权利要求1或2所述的磷化铟单晶，其中
所述直体部的直径为50mm以上且204m...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥尾克司，鸿池一晓，柳泽拓弥，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP