一种白光LED芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种白光LED芯片封装结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，包括蓝光LED芯片、一用于转换光色的荧光壳和高反射白胶壳，蓝光LED芯片倒置在高反射白胶壳内，高反射白胶壳嵌入荧光壳内、并与荧光壳形成一封闭空间，蓝光LED芯片封装在封闭空间内，LED蓝光芯片包括衬底层、生长在衬底层正面的N型GaN层、生长在N型GaN层部分正面的发光层、生长在N型GaN层部分正面的N型导电层、生长在发光层正面的P型GaN层和生长在P型GaN层部分正面的P型导电层。本发明专利技术能够反射出LED芯片侧面发出的光，提高有效光输出，并能避免漏蓝光的现象，且在LED芯片应用的焊接工序前方便打磨电极，甚至更换，能够提高后工序应用的电极焊接良率。

【技术实现步骤摘要】
一种白光LED芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种白光LED芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件，氮化镓(GaN)基发光二极管作为固态光源一经出现便以其高效率、长寿命、节能环保、体积小等优点被誉为继爱迪生专利技术电灯后人类照明史上的又一次革命，成为国际半导体和照明领域研发与产业关注的焦点，并且以氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III-Ⅴ族氮化物材料具有连续可调的直接带宽为0.7～6.2eV，覆盖了从紫外光到红外光的光谱范围，是制造深紫外、紫外、蓝光、绿光等单色发光器件的理想材料。而市场应用最为广泛的是白光LED，白光LED作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。目前白光LED的制作主要采用的是在蓝光芯片上涂覆黄色荧光粉的工艺制得，即在蓝光LED芯片表面直涂或喷涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种白光LED芯片封装结构，其特征在于，包括蓝光LED芯片、一用于转换光色的荧光壳和高反射白胶壳，所述蓝光LED芯片倒置在高反射白胶壳内，所述高反射白胶壳嵌入荧光壳内、并与荧光壳形成一封闭空间，所述蓝光LED芯片封装在封闭空间内，所述LED蓝光芯片包括衬底层、生长在衬底层正面的N型GaN层、生长在N型GaN层部分正面的发光层、生长在N型GaN层部分正面的N型导电层、生长在发光层正面的P型GaN层和生长在P型GaN层部分正面的P型导电层；/n所述高反射白胶壳的外底面分别独立设有P型电极和N型电极，所述P型电极上设有第一通孔，所述高反射白胶壳的底部设有与第一通孔相匹配的第二通孔，所述第一通孔和...

【技术特征摘要】
1.一种白光LED芯片封装结构，其特征在于，包括蓝光LED芯片、一用于转换光色的荧光壳和高反射白胶壳，所述蓝光LED芯片倒置在高反射白胶壳内，所述高反射白胶壳嵌入荧光壳内、并与荧光壳形成一封闭空间，所述蓝光LED芯片封装在封闭空间内，所述LED蓝光芯片包括衬底层、生长在衬底层正面的N型GaN层、生长在N型GaN层部分正面的发光层、生长在N型GaN层部分正面的N型导电层、生长在发光层正面的P型GaN层和生长在P型GaN层部分正面的P型导电层；
所述高反射白胶壳的外底面分别独立设有P型电极和N型电极，所述P型电极上设有第一通孔，所述高反射白胶壳的底部设有与第一通孔相匹配的第二通孔，所述第一通孔和第二通孔内填充有导电填充剂，所述P型电极通过导电填充剂与P型导电层接触并电连接，所述N型电极上设有第三通孔，所述高反射白胶壳的底部设有与第三通孔相匹配的第四通孔，所述第三通孔和第四通孔内填充有导电填充剂，所述N型电极通过导电填充剂与N型导电层接触并电连接。


2.根据权利要求1所述的一种白光LED芯片封装结构，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔均为锥形孔，所述第一通孔和第三通孔靠近高反射白胶壳的一端均为小径端，所述第二通孔和第四通孔靠近LED蓝光芯片的一端均为大径端。


3.根据权利要求2所述的一种白光LED芯片封装结构，其特征在于，所述荧光壳的深度与蓝光LED芯片的厚度相同，所述荧光壳的长度和宽度大于蓝光LED芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓辉，石磊，蒋雨芯，赵世纪，
申请(专利权)人：重庆工程职业技术学院，
类型：发明
国别省市：重庆;50