光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车制造方法及图纸

提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接，并且包括元件、半导体构件及互相分离地设置且与所述半导体构件电连接的多个第1金属构件。根据上述构成的光检测器，能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。

【技术实现步骤摘要】
光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车本申请以日本专利申请2019-168949(申请日2019年9月18日)为基础，根据该申请而享有优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式一般来说涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。
技术介绍
存在包括淬灭电阻(quenchingresistance)的光检测器。希望淬灭电阻中的电阻温度依赖性小。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据本专利技术的实施方式，光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接，并且包括元件、半导体构件及多个第1金属构件，所述多个第1金属构件互相分离地设置且与所述半导体构件电连接。根据上述构成的光检测器，能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。附图说明图1是例示第1实施方式的光检测器的示意性俯视图。图2是图1的II-II剖视图。图3是图1的III-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测器，具备：/n元件，其包括光电二极管；及/n淬灭电阻，其与所述元件电连接，并且包括半导体构件和多个第1金属构件，所述多个第1金属构件互相分离且与所述半导体构件电连接。/n

【技术特征摘要】
20190918 JP 2019-1689491.一种光检测器，具备：
元件，其包括光电二极管；及
淬灭电阻，其与所述元件电连接，并且包括半导体构件和多个第1金属构件，所述多个第1金属构件互相分离且与所述半导体构件电连接。


2.根据权利要求1所述的光检测器，
还具备在第1方向上包围所述元件的外周区域，
所述淬灭电阻的至少一部分在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述外周区域排列。


3.根据权利要求2所述的光检测器，
所述外周区域包括：
第1导电型的半导体区域，其在所述第1方向上包围所述元件；及
绝缘部，其在所述第2方向上设置于所述半导体区域与所述淬灭电阻之间。


4.根据权利要求2所述的光检测器，
所述元件包括第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域及在所述第2方向上设置于所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间的第1导电型的第3半导体区域，
所述外周区域包括绝缘部，该绝缘部在所述第1方向上包围所述第1半导体区域、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域。


5.根据权利要求2～4中任一项所述的光检测器，
所述半导体构件在所述第2方向上与所述多个第1金属构件排列。


6.根据权利要求5所述的光检测器，
所述多个第1金属构件各自包括：
第1布线部，其在所述第2方向上与所述半导体构件分离；及
第1连接部及第2连接部，其互相分离地设置于所述半导体构件与所述第1布线部之间，并且将所述半导体构件与所述第1布线部电连接。


7.根据权利要求6所述的光检测器，
所述淬灭电阻还包括与所述半导体构件电连接的多个第2金属构件，
所述多个第2金属构件互相分离，
所述多个第2金属构件各自包括：
第2布线部，其在所述第2方向上与所述半导体构件分离；及
第3连接部及第4连接部，其互相分离地设置于所述半导体构件与所述第2布线部之间，并且将所述半导体构件与所述第2布线部电连接，
所述第2布线部在与所述第1布线部不同的方向上延伸。


8.根据权利要求7所述的光检测器，
所述半导体构件的一部分在所述第1方向上延伸，
关于与所述半导体构件的所述一部分电连接的所述第1金属构件及所述第2金属构件，所述第1金属构件的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：权镐楠，藤原郁夫，佐佐木启太，铃木和拓，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP