【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示面板及坏点修复方法、显示器
本专利技术属于涉及显示
，特别是涉及一种微发光二极管显示面板及显示器。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED，μLED，简称：微LED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的微小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。微LED显示器属于自发光显示器，与OLED显示器相比，具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，具有较大的应用潜力。制备微LED显示面板时，可通过在驱动背板上批量转移并焊接LED芯片阵列实现像素阵列加工。然而，受限于微LED的制程工艺，转移到驱动背板上的微LED阵列通常会包括光电性能异常的微LED。现有技术中，在检测到坏点之后，一般采用坏点剔除与定点单个放置的修复方法对坏点进行修复，即，剔除每个坏点，并在坏点处放置一个新的Micro-LED芯片。然而，这种修复方法需要多次重复剔除坏点并多次重复放置新的...
【技术保护点】
1.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，所述微发光二极管显示面板包括：/n基板，所述基板上设有若干像素单元，每个所述像素单元中设有主像素区和备份像素区；/n其中，所述备份像素区中设有一个备份微发光二极管，所述备份微发光二极管为蓝色微发光二极管。/n
【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，所述微发光二极管显示面板包括：
基板，所述基板上设有若干像素单元，每个所述像素单元中设有主像素区和备份像素区；
其中，所述备份像素区中设有一个备份微发光二极管，所述备份微发光二极管为蓝色微发光二极管。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述主像素区中设有第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一微发光二极管、所述第二微发光二极管和所述第三微发光二极管分别为蓝光微发光二极管。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述备份微发光二极管、所述第一微发光二极管、所述第二微发光二极管和所述第三微发光二极管中任意两个蓝光微发光二极管上分别设置第一色转换层和第二色转换层，其中，所述第一色转换层为红色量子点层，所述第二色转换层为蓝色量子点层。
5.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一微发光二极管、所述第二微发光二极管和所述第三微发光二极管分别为蓝光微发光二极管、红光微发光二极管或者绿光微发光二极管。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述基板为TFT驱动背板。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦冬，李庆，于波，黄朝葵，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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