【技术实现步骤摘要】
LED显示结构的制作方法、LED显示结构以及显示面板
本申请涉及半导体
,具体涉及一种LED显示结构的制作方法、LED显示结构以及显示面板。
技术介绍
MicroLED(LightEmittingDiode,发光二极管)集合了高分辨率、高亮度、低功耗、自发光等特点,越来越被市场所重视。MicroLED显示结构需要将成批量的单颗LED元器件转移到基板上去,基板上有控制电路,这样可以控制每一颗LED元器件发光。相关技术通过巨量转移将成批量的单颗LED元器件安装到基板上,然而在巨量转移过程中,由于转移的颗粒极多,无法保证每一颗LED元器件的连接稳定性,很容易出现元器件脱落、对位不准等异常情况,产品良率低。
技术实现思路
本申请实施例提出了一种LED显示结构的制作方法、LED显示结构以及显示面板,以解决以上问题。本申请实施例通过以下技术方案来实现上述目的。第一方面,本申请实施例提供一种LED显示结构的制作方法,包括:提供驱动基底;在驱动基底上形成基底绝缘层;在基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层发光层均包括第一电极层和设于第一电极层上的发光材料层;图形化至少一层发光层形成图形化的发光结构,发光结构具有多个第一开口,至少部分基底绝缘层由多个第一开口露出;图形化由多个第一开口露出的基底绝缘层,在基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分驱动基底由多个第二开口露出;在第一开口和第二开口中形成金属连接线路电连接驱动基底和至少一层第一电极层;形成第二电极层,第二电极层覆盖发光结构,并与金属连接线路所电连接 ...
【技术保护点】
1.一种LED显示结构的制作方法,其特征在于,包括:/n提供驱动基底;/n在所述驱动基底上形成基底绝缘层;/n在所述基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层所述发光层均包括第一电极层和设于所述第一电极层上的发光材料层;/n图形化所述至少一层发光层形成图形化的发光结构,所述发光结构具有多个第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出;/n图形化由多个所述第一开口露出的所述基底绝缘层,在所述基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分所述驱动基底由多个所述第二开口露出;/n在所述第一开口和所述第二开口中形成金属连接线路电连接所述驱动基底和至少一层所述第一电极层;/n形成第二电极层,所述第二电极层覆盖所述发光结构,并与所述金属连接线路所电连接的所述第一电极层对应的所述发光材料层电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种LED显示结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动基底;
在所述驱动基底上形成基底绝缘层;
在所述基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层所述发光层均包括第一电极层和设于所述第一电极层上的发光材料层;
图形化所述至少一层发光层形成图形化的发光结构,所述发光结构具有多个第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出;
图形化由多个所述第一开口露出的所述基底绝缘层,在所述基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分所述驱动基底由多个所述第二开口露出;
在所述第一开口和所述第二开口中形成金属连接线路电连接所述驱动基底和至少一层所述第一电极层;
形成第二电极层,所述第二电极层覆盖所述发光结构,并与所述金属连接线路所电连接的所述第一电极层对应的所述发光材料层电连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一开口和所述第二开口中形成金属连接线路电连接所述驱动基底和所述第一电极层,包括:
在所述发光结构上顺应性地形成连接金属层,覆盖所述发光结构,并填入所述第一开口和所述第二开口内;
图形化所述连接金属层形成所述金属连接线路,所述金属连接线路电连接所述驱动基底和所述第一电极层。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层所述发光层均包括第一电极层和设于所述第一电极层上的发光材料层,包括:
在所述基底绝缘层上依次形成第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层,所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层均包括所述第一电极层和所述发光材料层。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述图形化所述至少一层发光层形成图形化的发光结构,所述发光结构具有多个第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出,包括:
图形化所述至少一层发光层形成多个所述第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出;
剥离所述第一子发光层上的至少部分所述发光层,所述第一子发光层的所述发光材料层由所述第一开口露出;
图形化由所述第一开口露出的所述发光材料层,所述第一子发光层的至少部分所述第一电极层由所述第一开口露出。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述发光结构上顺应性地形成绝缘材料层,覆盖所述发光结构和所述金属连接线路,并填入所述第一开口和所述第二开口内;
图形化所述绝缘材料层形成电极绝缘层,所述电极绝缘层位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:周兴雨,
申请(专利权)人:OPPO重庆智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:重庆;50
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