存储器设备及其制造方法技术

本公开的实施例总体上涉及一种存储器设备及其制造方法，该存储器设备包括具有单元区域和缩减区域的堆叠结构。该存储器设备还包括多个垂直沟道结构，每个垂直沟道结构包括存储器单元并且垂直穿过单元区域中的堆叠结构。该存储器设备还包括多个支撑结构，每个支撑结构具有每个垂直沟道结构的结构并且垂直穿过缩减区域中的堆叠结构。多个支撑结构根据缩减区域中的堆叠结构的形状而具有不同的高度。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其制造方法相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2019年10月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0123129号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开的各个实施例总体上涉及一种存储器设备及其制造方法，更具体涉及一种包括沿垂直于衬底的方向堆叠的存储器单元的存储器设备及制造该存储器设备方法。
技术介绍
相关技术存储器设备可以包括易失性存储器，当电力中断时，该易失性存储器所存储的数据会丢失。存储器设备还可以包括非易失性存储器，即使电力中断，该非易失性存储器所存储的数据也会保留。随着诸如蜂窝电话和笔记本电脑之类的便携式电子设备的日益普及，需要容量和集成度增加的非易失性存储器设备。进一步提高包括单个层中的衬底上形成的存储器单元的二维非易失性存储器设备的集成度的潜力有限。因此，已经提出了包括衬底上沿垂直方向堆叠的存储器单元的三维(3D)非易失性存储器设备。
技术实现思路
根据本公开的实施例，提供了一种存储器设备，其包括具有单元区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n堆叠结构，具有单元区域和缩减区域；/n多个垂直沟道结构，每个垂直沟道结构包括存储器单元并且垂直穿过所述单元区域中的所述堆叠结构；以及/n多个支撑结构，每个支撑结构具有所述垂直沟道结构中的每个垂直沟道结构的结构并且垂直穿过所述缩减区域中的所述堆叠结构，/n其中所述多个支撑结构根据所述缩减区域中的所述堆叠结构的形状而具有不同的高度。/n

【技术特征摘要】
20191004 KR 10-2019-01231291.一种存储器设备，包括：
堆叠结构，具有单元区域和缩减区域；
多个垂直沟道结构，每个垂直沟道结构包括存储器单元并且垂直穿过所述单元区域中的所述堆叠结构；以及
多个支撑结构，每个支撑结构具有所述垂直沟道结构中的每个垂直沟道结构的结构并且垂直穿过所述缩减区域中的所述堆叠结构，
其中所述多个支撑结构根据所述缩减区域中的所述堆叠结构的形状而具有不同的高度。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述堆叠结构包括被交替地堆叠在基底上的第一材料层和第二材料层。


3.根据权利要求2所述的存储器设备，
其中所述基底包括半导体衬底、外围电路和源极结构中的至少一个；
其中所述第一材料层包括绝缘层；以及
其中所述第二材料层包括导电层。


4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中形成在所述缩减区域中的所述堆叠结构具有阶梯结构。


5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述支撑结构中的每个支撑结构包括垂直穿过所述堆叠结构的垂直孔的内表面而顺序形成的存储器层、沟道层和垂直绝缘层。


6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述存储器层包括沿着所述垂直孔的所述内表面以中空柱形而顺序形成的阻挡层、俘获层和隧道绝缘层。


7.根据权利要求6所述的存储器设备，
其中所述阻挡层和所述隧道绝缘层中的每个层由绝缘层形成；以及
其中所述俘获层由能够俘获电荷的材料形成。


8.根据权利要求5所述的存储器设备，
其中所述沟道层包括多晶硅层，所述多晶硅层沿着所述存储器层的内表面以中空柱形形成；以及
其中所述垂直绝缘层包括在所述沟道层内部以柱形形成的绝缘层。


9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述支撑结构根据所述堆叠结构的高度而具有不同的高度。


10.一种存储器设备，包括：
第一堆叠结构，限定单元区域和缩减区域；
第二堆叠结构，限定所述单元区域和所述缩减区域，其中所述第二堆叠结构堆叠在所述第一堆叠结构上；
多个垂直沟道结构，穿过所述单元区域中的所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构；以及
多个支撑结构，每个支撑结构具有所述垂直沟道结构中的每个垂直沟道结构的结构并且穿过所述缩减区域中的所述第一堆叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR