MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统技术方案

本发明专利技术提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。

【技术实现步骤摘要】
MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统
本专利技术涉及存储器领域，具体地涉及一种MRAM存储阵列温度自检测方法，一种MRAM存储阵列温度自检测系统，一种MRAM存储阵列存储控制方法和一种MRAM存储阵列存储控制系统。
技术介绍
芯片产业备受全球关注，其是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志，而存储器是芯片的一个非常重要的模块，用来存储芯片产生的数据。在工业中，存储器主要用来保存设备运行参数、日志、负荷记录等数据，在设备中起非常重要的作用。MRAM(MagneticRandomAccessMemory，磁性随机存储器)是一种最新型的存储器。MRAM具有非易失性，读写速度快，基本上可以无限次地重复写入，像SRAM/DRAM一样快速随机读写，像Flash闪存一样在断电后永久保留数据等优点，现在已经在航空航天、工业自动化、智能电网等对数据安全可靠性要求较高的领域有初步应用。跟传统硅基存储器相比，MRAM的信息存储在磁性材料中，通过电流对存储单元进行读写操作，因此环境温度变化会对存储芯片产生影响，一般表现为当温度较低时，由于铁磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；/n生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值；/n生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值；/n根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值，判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围；/n所述写错误率基础值...

【技术特征摘要】
1.一种MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法包括：
为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；
生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值；
生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值；
根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值，判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围；
所述写错误率基础值和所述读错误率基础值为MRAM存储阵列正常工作时的写错误率值和读错误率值。


2.根据权利要求1所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
改变所述写错误检测区域地址和所述读错误检测区域地址为第二存储阵列分区的地址，按照与第一存储阵列分区相同的步骤实现对第二阵列分区的温度检测。


3.根据权利要求1所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值，包括：
S101：生成一个随机数组，记为第一数组；
S102：将所述第一数组写入所述写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中；
S103：读取所述第一存储阵列中的数据，得到第二数组；
S104：比较所述第一数组与所述第二数组，在所述第一数组与所述第二数组不一致时记录一次写错误次数；
S105：重复步骤S101-S104j次；
S106：根据所记录的写错误次数和重复次数j计算得到所述第一存储阵列的写错误率测量值。


4.根据权利要求3所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值，包括：
生成一个固定数组，记为第三数组；
将所述第三数组写入所述读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中；
重复读取y次所述第二存储阵列中数据，得到y个第四数组；
将每个第四数组分别与所述第三数组比较，在所述第三数组与所述第四数组不一致时记录一次读错误次数；
根据所记录的读错误次数和重复读取次数y计算得到所述第二存储阵列的读错误率测量值。


5.根据权利要求4所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围，包括：
比较所述写错误率基础值、所述读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值；
若所述写错误率...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵东艳，王于波，邵瑾，陈燕宁，曹凯华，周芝梅，袁远东，潘成，付振，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，北京芯可鉴科技有限公司，国网思极紫光青岛微电子科技有限公司，国网信息通信产业集团有限公司，北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京;11