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本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对...该专利属于北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学授权不得商用。