光刻曝光方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。

【技术实现步骤摘要】
光刻曝光方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种光刻曝光方法。
技术介绍
曝光，是利用光照将掩模板的图形经过光学系统后投影到光刻胶上，实现图形的转移，是集成电路制造中光刻工艺的重要工序之一。在光刻曝光完成后，需要通过对光刻形成的图形关键尺寸(CriticalDimension，CD)进行测量，将CD测量值与目标值之间的比较结果用以反应光刻表现，例如：验证光刻机的曝光能量是否出现漂移，以决定是否在后续操作中对曝光能量进行补偿。通常图形CD的测量值与目标值之间的偏差允许在±(8～10)％之内。但是，在使用光刻机进行光刻曝光前，若光刻机闲置时间较长，光学系统的温度较低，从而在开始进行光刻曝光的前期，光刻机光学系统的温度会出现逐渐上升的态势。在此期间内进行光刻曝光操作的晶片，会出现前后片之间的图形CD差异较大的问题，即光刻曝光的前期，光学系统温度逐渐上升的过程中，所形成的前后片图形CD会呈现逐渐下降的态势，从而误导机台对光刻表现的判断，对后续操作产生不利影响。
技术实现思路
本申请提供了一种光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。本申请提供一种光刻曝光方法，所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。可选的，所述在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形的步骤完成后，还进行：量测目标量测曝光区域处光刻图形的关键尺寸。可选的，所述确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域的步骤，包括：在曝光阵列中，确定目标量测曝光区域；用于进行光刻图形关键尺寸量测的曝光区域为目标量测曝光区域；在曝光阵列中，确定除所述目标量测曝光区域以外的曝光区域，为所述其他曝光区域。可选的，多个晶片的所述曝光阵列排布相同，所述目标量测曝光区域在曝光阵列中的位置相同。可选的，若确定所述目标量测曝光区域包括多个，对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形的步骤，包括：依次对各个所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。可选的，每次所述光刻曝光的曝光参数一致。可选的，对所述其他曝光区域进行的光刻曝光的次数为3次至6次。本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请通过将晶片的目标面划分为曝光阵列，该曝光阵列包括若干个曝光区域，若干个所述曝光区域呈阵列式排布；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。能够使得最终对于同一批次的不同晶片，在各晶片目标量测曝光区域处形成的光刻图形，其关键尺寸相近，不会出现前后片图形CD会呈现逐渐下降的态势。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本申请一实施例提供的光刻曝光方法；图2示出晶片目标面划分为曝光阵列的示意图；图3示出了该曝光矩阵一实施例中其他曝光区域和目标量测曝光区域，在该曝光阵列上的分布示意图；图4示出了量测通过相关技术完成后的曝光阵列，其曝光区域光刻图形关键尺寸变化趋势图；图5示出了量测通过本申请实施例完成后的曝光阵列，其目标量测曝光区域的光刻图形关键尺寸的变化趋势图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。图1示出了本申请一实施例提供的光刻曝光方法，参照图1，该光刻曝光方法包括以下步骤：步骤S1：将晶片的目标面划分为曝光阵列，该曝光阵列包括若干个曝光区域，若干个所述曝光区域呈阵列式排布。图2示出晶片目标面100划分为曝光阵列200的示意图，参照图2，该曝光阵列覆盖该晶片的目标面100，该曝光阵列200包括若干个曝光区域，若干个所述曝光区域呈阵列式排布。需要解释的是，步骤S1中的曝光阵列是在光刻机台中，对晶片的目标面预先拟定的，用于引导曝光的规划，而并非实际形成于晶片目标面上的物理结构。其中晶片的目标面指的是该晶片用于曝光的一侧表面。每个曝光区域所限定的晶片目标面的范围，为一次曝光的范围。对于该曝光阵列，其中的每个曝光区域具有唯一的位置标识码，该位置标识码能够表示曝光区域在该曝光阵列中对应的位置。步骤S2：确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域。所述步骤S2：确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域，包括：首先，在曝光阵列中确定目标量测曝光区域；其中，用于选定进行光刻图形关键尺寸量测的曝光区域为目标量测曝光区域；对于同一批次进行曝光的晶片，其曝光阵列排布相同，目标量测曝光区域在曝光阵列中的具体位置相同，且预先设定于机台中。然后，在曝光阵列中，确定除目标量测曝光区域以外的曝光区域，为其他曝光区域。对于该其他曝光区域，其对应的晶片目标面范围，会经历多次曝光，一次曝光时包括曝光能量等曝光参数一致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括：/n将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；/n确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；/n依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；/n对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括：
将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；
确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；
依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；
对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。


2.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形的步骤完成后，还进行：
量测目标量测曝光区域处光刻图形的关键尺寸。


3.如权利要求1或2所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域的步骤包括：
在曝光阵列中，确定目标量测曝光区域；用于进行光刻图形关键尺寸量测的曝光区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：周曙亮，赵潞明，吴长明，姚振海，金乐群，李玉华，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32