一种晶棒的加工方法及晶片技术

本公开提供一种晶棒的加工方法及晶片，该方法包括：检测晶棒原始晶向；将除晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的预设晶向不同；在每个子区域的两端边界线处预开槽，形成围绕晶棒外周设置的多个预开凹槽；针对任一子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，沿晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动刀头，形成当前子区域的开槽；重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；沿预开凹槽沿晶棒切割晶棒，以使各子区域切割后形成为单独硅块。本公开晶棒的加工方法及晶片，能够提升效率及设备产能。

【技术实现步骤摘要】
一种晶棒的加工方法及晶片
本专利技术涉及半导体晶圆
，尤其涉及一种晶棒的加工方法及晶片。
技术介绍
在单晶硅晶片的加工过程中，晶棒在切片前，会通过X-Ray(X射线)衍射等来确定结晶方向，然后会对晶棒开Notch槽，晶片Notch槽是指，有意在硅片周边上加工成具有规定形状和尺寸的V槽，这种V槽在后续制程、以及以后IC制造、加工和搬运设备中起定位作用。Notch槽依据不同的客户要求，需要沿着不同的晶向进行开槽，例如，开槽晶向有<1,0,0>和<1,1,0>两种。针对客户不同Notch开槽晶向的要求，常用的方法是：先将一整根晶棒通过BandSaw(带锯)切成若干个硅块(Block)，然后在对每个Block分别进行单一晶向的开槽，这样操作比较麻烦，花费时间和人力较多。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种晶棒的加工方法及晶片，能够提升效率，有效提升设备产能。本公开实施例所提供的技术方案如下：一方面，本公开实施例提供了一种晶棒的加工方法，包括如下步骤：检测晶棒的原始晶向；将晶棒除所述晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，根据所述原始晶向，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的所述预设晶向不同；在每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽，以形成围绕所述晶棒外周设置的多个预开凹槽；针对任一所述子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转所述晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，并沿所述晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动所述刀头，以形成当前子区域的开槽；重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；各子区域的开槽完成后，沿所述预开凹槽沿所述晶棒的径向切割所述晶棒，以使各所述子区域切割后形成为单独硅块。示例性的，所述方法中，从靠近所述晶棒的头部端或尾部端中其中一端的第一子区域开始，至靠近所述晶棒的头部端或尾部端中另一端的第n子区域，依次完成各子区域上的开槽。示例性的，在所述每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽之前，所述方法还包括：对所述晶棒外径进行研磨。示例性的，所述方法中，采用砂轮对所述晶棒外径进行研磨，并在研磨完成后，通过调整所述砂轮的位置，旋转所述晶棒，利用所述砂轮在所述晶棒上形成所述预开凹槽。示例性的，在各所述子区域切割后形成为单独硅块之后，所述方法还包括：利用线切割方式，将各所述硅块切割为晶片，其中各所述硅块上的预开凹槽所对应位置处形成的晶片，作为测试片。示例性的，所述开槽的深度为1±0.05mm。示例性的，所述开槽包括V型槽。示例性的，所述检测晶棒的原始晶向，具体包括：利用X射线检测方法检测晶棒的原始晶向。一种晶片，利用如上所述的晶棒的加工方法制备而成。本公开实施例所带来的有益效果如下：本公开实施例所提供的晶棒的加工方法及晶片，通过在一根晶棒上同时进行多种预定晶向的开槽，可提升效率，避免人员和设备反复对晶棒切成的若干硅块进行开槽，有效提升设备产能。附图说明图1表示本公开实施例提供的一种晶棒的加工方法中待划分各子区域的预定晶向示意图；图2表示本公开实施例提供的一种晶棒的加工方法中在各子区域的边界线预开槽前的示意图；图3表示本公开实施例提供的一种晶棒的加工方法中在各子区域的边界线预开槽后的示意图；图4表示本公开实施例提供的一种晶棒的加工方法中在第一子区域形成开槽的示意图；图5表示本公开实施例提供的一种晶棒的加工方法中在第二子区域形成开槽的示意图；图6表示本公开实施例提供的一种晶棒的加工方法中在第三子区域形成开槽的示意图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在对本公开实施例所提供的晶棒的加工方法及晶片进行详细说明之前，有必要对相关技术进行以下说明：在相关技术中，在单晶硅晶片的加工过程中，晶棒在切片前，会通过X-Ray(X射线)衍射等来确定结晶方向，然后会对晶棒开Notch槽，晶片Notch槽是指，有意在硅片周边上加工成具有规定形状和尺寸的V槽，这种V槽在后续制程、以及以后IC制造、加工和搬运设备中起定位作用。Notch槽依据不同的客户要求，需要沿着不同的晶向进行开槽，例如，开槽晶向有<1,0,0>和<1,1,0>两种。针对客户不同Notch开槽晶向的要求，常用的方法是：先将一整根晶棒通过BandSaw(带锯)切成若干个硅块(Block)，然后在对每个Block分别进行单一晶向的开槽，这样操作比较麻烦，花费时间和人力较多。针对上述问题，本公开实施例提供了一种晶棒的加工方法及晶片，能够提升效率，有效提升设备产能。如图1至图6所示，本公开实施例提供了一种晶棒的加工方法，包括如下步骤：检测晶棒10的原始晶向；将晶棒10除所述晶棒10的头部11和尾部12之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域100，根据所述原始晶向，确定不同子区域100的预设晶向，相邻两个子区域100的所述预设晶向不同；在每个所述子区域100的两端边界线处进行预开槽，以形成围绕所述晶棒10外周设置的多个预开凹槽110；针对任一所述子区域100，根据当前子区域100的预设晶向，旋转所述晶棒10旋转至预定角度，控制刀头20下降至当前子区域100一侧边界线处的预开凹槽110内，并沿所述晶棒10的轴向方向另一侧边界线处的预开凹槽110移动所述刀头20，以形成当前子区域100的开槽120；重复上述步骤，依次形成各子区域100上的开槽120；各子区域100的开槽120完成后，沿所述预开凹槽110沿所述晶棒10的径向切割所述晶棒10，以使各所述子区域100切割后形成为单独硅块30。上述方案，在将晶棒10切本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶棒的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：/n检测晶棒的原始晶向；/n将晶棒除所述晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，根据所述原始晶向，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的所述预设晶向不同；/n在每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽，以形成围绕所述晶棒外周设置的多个预开凹槽；/n针对任一所述子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转所述晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，并沿所述晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动所述刀头，以形成当前子区域的开槽；/n重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；/n各子区域的开槽完成后，沿所述预开凹槽沿所述晶棒的径向切割所述晶棒，以使各所述子区域切割后形成为单独硅块。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶棒的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
检测晶棒的原始晶向；
将晶棒除所述晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，根据所述原始晶向，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的所述预设晶向不同；
在每个所述子区域的两端边界线处进行预开槽，以形成围绕所述晶棒外周设置的多个预开凹槽；
针对任一所述子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转所述晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，并沿所述晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动所述刀头，以形成当前子区域的开槽；
重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；
各子区域的开槽完成后，沿所述预开凹槽沿所述晶棒的径向切割所述晶棒，以使各所述子区域切割后形成为单独硅块。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述方法中，从靠近所述晶棒的头部端或尾部端中其中一端的第一子区域开始，至靠近所述晶棒的头部端或尾部端中另一端的第n子区域，依次完成各子区域上的开槽。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙介楠，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61