一种Mini LED屏结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Mini LED屏结构，制作TFT驱动器件，在TFT驱动器件背面上制作金属反射薄膜，TFT驱动器件的电极穿过金属反射薄膜；金属反射薄膜上制作LED发光单元，LED发光单元的电极与TFT驱动器件的电极连接，LED发光单元阵列排布于金属反射薄膜上；制作封装胶，封装胶高度低于LED发光单元的高度；制作透明的水氧吸收层，水氧吸收层覆盖于封装胶和LED发光单元上；在水氧吸收层上制作氮化物封装薄膜。起到保护Mini LED芯片，延长Mini LED屏寿命的作用，氮化物封装薄膜隔离外部水氧的进入，金属反射薄膜将光线向TFT驱动器件发射的光反射回到屏幕出光的方向，增加显示器的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种MiniLED屏结构
本技术属于MiniLED屏领域，尤其涉及一种MiniLED屏结构。
技术介绍
MiniLED(miniLightEmittingDiode)即次毫米发光二极管，其特点使轻薄、功耗低、柔性好可弯曲度高、色域范围好，能精细调节调光分区能，达到更高的HDR、对比度高，并可实现窄边框全面屏显示器件，现已成为市场关注的焦点。MiniLED背光源技术采用倒装封装的形式，避免传统的侧入式背光需要透镜二次光学设计，实现均匀混光，到达更高的对比度效果；并且MiniLED的背光通过阵列驱动实现动态的区域调光，实现更高精细的调色，使LCD屏幕对比度更高，提高了画面显示效果；MiniLED背光亮度高，相比OLED功耗高，现当下采用在背光源的金属板上贴反射膜，将LED照射在金属板上的光通过发射膜反射到LCD基板上，来提高LED的光利用率，实现更加精细的高亮度调光；但是反射膜造价高，张贴反射膜增加了产品成本，增加了工艺步骤；目前MinilLED屏幕多采用金属氧化物TFT驱动，但是金属氧化物TFT采用IGZO薄膜作为有源层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Mini LED屏结构，其特征在于，包括：TFT驱动器件、金属反射薄膜、LED发光单元、封装胶、水氧吸收层和氮化物封装薄膜；/n在所述TFT驱动器件背面上设置金属反射薄膜，所述TFT驱动器件的电极穿过所述金属反射薄膜；在所述金属反射薄膜上设置多个LED发光单元，所述LED发光单元的电极与所述TFT驱动器件的电极连接，多个所述LED发光单元阵列排布于所述金属反射薄膜上；在阵列的多个所述LED发光单元直接填充有所述封装胶，且所述封装胶高度低于所述LED发光单元的高度；所述水氧吸收层覆盖于所述封装胶和所述LED发光单元上；在所述水氧吸收层上设置氮化物封装薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种MiniLED屏结构，其特征在于，包括：TFT驱动器件、金属反射薄膜、LED发光单元、封装胶、水氧吸收层和氮化物封装薄膜；
在所述TFT驱动器件背面上设置金属反射薄膜，所述TFT驱动器件的电极穿过所述金属反射薄膜；在所述金属反射薄膜上设置多个LED发光单元，所述LED发光单元的电极与所述TFT驱动器件的电极连接，多个所述LED发光单元阵列排布于所述金属反射薄膜上；在阵列的多个所述LED发光单元直接填充有所述封装胶，且所述封装胶高度低于所述LED发光单元的高度；所述水氧吸收层覆盖于所述封装胶和所述L...

【专利技术属性】
技术研发人员：温质康，庄丹丹，乔小平，苏智昱，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35