一种防腐蚀能力强的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体、第一硅片本体、正电极、第二硅片本体和环氧树脂底部防腐片，所述晶体内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片，且环氧树脂底部防腐片顶端的中心位置处设有第二硅片本体，并且第二硅片本体上方的晶体内部设有导通腔，所述导通腔内部的中心位置处设有连通结构，且导通腔远离第二硅片本体一侧的晶体内部设有第一硅片本体，并且第一硅片本体的顶端设有吸收结构，所述晶体的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片，且晶体底部的两外侧壁上皆设有负电极。本实用新型专利技术不仅提高了单晶硅片使用时对光能的吸收效率，确保了单晶硅片使用时的导电性能，而且延长了单晶硅片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种防腐蚀能力强的单晶硅片
本技术涉及单晶硅片
，具体为一种防腐蚀能力强的单晶硅片。
技术介绍
单晶硅片，硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用于制造半导体器件、太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，随着太阳能电池市场的快速成长，太阳能电池板主要是由此类单晶硅片所制成。现今市场上的此类单晶硅片种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的不足之处，具体问题有以下几点。（1）现有的此类单晶硅片不便于对光能进行折射处理，导致其对光能的吸收效率较低，时常困扰着人们；（2）现有的此类单晶硅片不便于对第一硅片本体与第二硅片本体进行高效连通处理，导致其导电性能一般，还需加以改善；（3）现有的此类单晶硅片防腐性能一般，导致第一硅片本体与第二硅片本体易产生损坏的现象，使用寿命较短。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防腐蚀能力强的单晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出单晶硅片不便于对光能进行折射处理、不便于对第一硅片本体与第二硅片本体进行高效连通处理以及防腐性能一般的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体、第一硅片本体、正电极、第二硅片本体和环氧树脂底部防腐片，所述晶体内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片，且环氧树脂底部防腐片顶端的中心位置处设有第二硅片本体，并且第二硅片本体上方的晶体内部设有导通腔，所述导通腔内部的中心位置处设有连通结构，且导通腔远离第二硅片本体一侧的晶体内部设有第一硅片本体，并且第一硅片本体的顶端设有吸收结构，所述晶体的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片，且晶体底部的两外侧壁上皆设有负电极，负电极的一端依次贯穿晶体以及环氧树脂侧翼防腐片并与第二硅片本体的外壁相连接，并且负电极上方的晶体外壁上皆设有正电极，正电极的一端依次贯穿晶体以及环氧树脂侧翼防腐片并与第一硅片本体的外壁相连接。优选的，所述环氧树脂侧翼防腐片远离导通腔一侧的外壁上皆设有燕尾安置槽，且燕尾安置槽内部的中心位置处设有凸型紧固件，凸型紧固件的一端延伸至燕尾安置槽的外部并与晶体的内壁固定连接，以便将环氧树脂侧翼防腐片安装于晶体的内壁上进行防腐处理。优选的，所述吸收结构的内部依次设有黑体吸光片体、双层氮化硅减反射层以及刻蚀绒面，所述第一硅片本体的顶端安装有黑体吸光片体，且黑体吸光片体远离第一硅片本体一侧的外壁上设有双层氮化硅减反射层，以便对光能进行折射处理，同时还降低光能产生反射的现象。优选的，所述双层氮化硅减反射层的顶端安装有等间距的刻蚀绒面，刻蚀绒面远离双层氮化硅减反射层的一端延伸至晶体的外部，提高了对光能的吸收效率。优选的，所述连通结构的内部依次设有下连通块体、导通基片、上连通块体以及连接杆，所述导通腔内部的中心位置处设有导通基片，且导通基片的两端皆安装有两组连接杆，连接杆远离导通基片的一端分别与第一硅片本体以及第二硅片本体的一端相连接，以便将导通基片设置于导通腔的内部。优选的，所述导通基片的顶端安装有等间距的上连通块体，上连通块体远离导通基片的一端与第一硅片本体的底端相连接，且导通基片的底端安装有等间距的下连通块体，下连通块体远离导通基片的一端与第二硅片本体的顶端相连接，以便对第一硅片本体与第二硅片本体进行高效连通处理。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该防腐蚀能力强的单晶硅片不仅提高了单晶硅片使用时对光能的吸收效率，确保了单晶硅片使用时的导电性能，而且延长了单晶硅片的使用寿命；（1）通过设置有黑体吸光片体、双层氮化硅减反射层以及刻蚀绒面，通过将黑体吸光片体设置于第一硅片本体的顶部，使其对光能进行吸收处理，同时将双层氮化硅减反射层设置于黑体吸光片体的顶部，使其对光能进行折射处理，因双层氮化硅减反射层的顶端设置有等间距的刻蚀绒面，且刻蚀绒面的外壁皆呈凹型结构，进一步增强了对光能的折射效率，从而提高了单晶硅片使用时对光能的吸收效率；（2）通过设置有下连通块体、导通基片、上连通块体以及连接杆，通过连接杆将导通基片设置于导通腔内部的中心位置处，因导通基片的两端分别设置有等间距的上连通块体与下连通块体，且两者皆具有良好的导电性能，以便对第一硅片本体与第二硅片本体进行高效连通处理，从而确保了单晶硅片使用时的导电性能；（3）通过设置有环氧树脂侧翼防腐片、环氧树脂底部防腐片、燕尾安置槽以及凸型紧固件，通过燕尾安置槽内部的凸型紧固件将环氧树脂侧翼防腐片固定设置于晶体的两内侧壁上，且晶体内部的底端设置有环氧树脂底部防腐片，因环氧树脂侧翼防腐片与环氧树脂底部防腐片皆具有良好的防腐性能，使得单晶硅片的防腐性能得到提升，降低第一硅片本体与第二硅片本体产生腐化等损坏现象，从而延长了单晶硅片的使用寿命。附图说明图1为本技术的正视剖面结构示意图；图2为本技术的图1中A处放大结构示意图；图3为本技术的吸收结构剖视放大结构示意图；图4为本技术的连通结构剖视放大结构示意图。图中：1、晶体；2、环氧树脂侧翼防腐片；3、吸收结构；301、黑体吸光片体；302、双层氮化硅减反射层；303、刻蚀绒面；4、第一硅片本体；5、正电极；6、负电极；7、连通结构；701、下连通块体；702、导通基片；703、上连通块体；704、连接杆；8、第二硅片本体；9、导通腔；10、环氧树脂底部防腐片；11、燕尾安置槽；12、凸型紧固件。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-4，本技术提供的一种实施例：一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体1、第一硅片本体4、正电极5、第二硅片本体8和环氧树脂底部防腐片10，晶体1内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片10，且环氧树脂底部防腐片10顶端的中心位置处设有第二硅片本体8，并且第二硅片本体8上方的晶体1内部设有导通腔9，导通腔9内部的中心位置处设有连通结构7，连通结构7的内部依次设有下连通块体701、导通基片702、上连通块体703以及连接杆704，导通腔9内部的中心位置处设有导通基片702，且导通基片702的两端皆安装有两组连接杆704，连接杆704远离导通基片702的一端分别与第一硅片本体4以及第二硅片本体8的一端相连接，导通基片702的顶端安装有等间距的上连通块体703，上连通块体703远离导通基片702的一端与第一硅片本体4的底端相连接，且导通基片702的底端安装有等间距的下连通块体701，下连通块体701远离导通基片702的一端与第二硅片本体8的顶端相连接；通过连接杆704将导通基片702设置于导通腔9内部的中心位置处，因导通基片702的两端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体（1）、第一硅片本体（4）、正电极（5）、第二硅片本体（8）和环氧树脂底部防腐片（10），其特征在于：所述晶体（1）内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片（10），且环氧树脂底部防腐片（10）顶端的中心位置处设有第二硅片本体（8），并且第二硅片本体（8）上方的晶体（1）内部设有导通腔（9），所述导通腔（9）内部的中心位置处设有连通结构（7），且导通腔（9）远离第二硅片本体（8）一侧的晶体（1）内部设有第一硅片本体（4），并且第一硅片本体（4）的顶端设有吸收结构（3），所述晶体（1）的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片（2），且晶体（1）底部的两外侧壁上皆设有负电极（6），负电极（6）的一端依次贯穿晶体（1）以及环氧树脂侧翼防腐片（2）并与第二硅片本体（8）的外壁相连接，并且负电极（6）上方的晶体（1）外壁上皆设有正电极（5），正电极（5）的一端依次贯穿晶体（1）以及环氧树脂侧翼防腐片（2）并与第一硅片本体（4）的外壁相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体（1）、第一硅片本体（4）、正电极（5）、第二硅片本体（8）和环氧树脂底部防腐片（10），其特征在于：所述晶体（1）内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片（10），且环氧树脂底部防腐片（10）顶端的中心位置处设有第二硅片本体（8），并且第二硅片本体（8）上方的晶体（1）内部设有导通腔（9），所述导通腔（9）内部的中心位置处设有连通结构（7），且导通腔（9）远离第二硅片本体（8）一侧的晶体（1）内部设有第一硅片本体（4），并且第一硅片本体（4）的顶端设有吸收结构（3），所述晶体（1）的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片（2），且晶体（1）底部的两外侧壁上皆设有负电极（6），负电极（6）的一端依次贯穿晶体（1）以及环氧树脂侧翼防腐片（2）并与第二硅片本体（8）的外壁相连接，并且负电极（6）上方的晶体（1）外壁上皆设有正电极（5），正电极（5）的一端依次贯穿晶体（1）以及环氧树脂侧翼防腐片（2）并与第一硅片本体（4）的外壁相连接。


2.根据权利要求1所述的一种防腐蚀能力强的单晶硅片，其特征在于：所述环氧树脂侧翼防腐片（2）远离导通腔（9）一侧的外壁上皆设有燕尾安置槽（11），且燕尾安置槽（11）内部的中心位置处设有凸型紧固件（12），凸型紧固件（12）的一端延伸至燕尾安置槽（11）的外部并与晶体（1）的内壁固定连接。


3.根据权利要求1所述的一种防腐蚀能力强的单晶硅片，其特征在于：所述吸收结...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈柯，
申请(专利权)人：深圳市百度微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44