一种防腐蚀能力强的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体、第一硅片本体、正电极、第二硅片本体和环氧树脂底部防腐片，所述晶体内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片，且环氧树脂底部防腐片顶端的中心位置处设有第二硅片本体，并且第二硅片本体上方的晶体内部设有导通腔，所述导通腔内部的中心位置处设有连通结构，且导通腔远离第二硅片本体一侧的晶体内部设有第一硅片本体，并且第一硅片本体的顶端设有吸收结构，所述晶体的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片，且晶体底部的两外侧壁上皆设有负电极。本实用新型专利技术不仅提高了单晶硅片使用时对光能的吸收效率，确保了单晶硅片使用时的导电性能，而且延长了单晶硅片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种防腐蚀能力强的单晶硅片
本技术涉及单晶硅片
，具体为一种防腐蚀能力强的单晶硅片。
技术介绍
单晶硅片，硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用于制造半导体器件、太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，随着太阳能电池市场的快速成长，太阳能电池板主要是由此类单晶硅片所制成。现今市场上的此类单晶硅片种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的不足之处，具体问题有以下几点。（1）现有的此类单晶硅片不便于对光能进行折射处理，导致其对光能的吸收效率较低，时常困扰着人们；（2）现有的此类单晶硅片不便于对第一硅片本体与第二硅片本体进行高效连通处理，导致其导电性能一般，还需加以改善；（3）现有的此类单晶硅片防腐性能一般，导致第一硅片本体与第二硅片本体易产生损坏的现象，使用寿命较短。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防腐蚀能力强的单晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出单晶硅片不便于对光能进行折射处理、不便于对第一硅片本体与第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体（1）、第一硅片本体（4）、正电极（5）、第二硅片本体（8）和环氧树脂底部防腐片（10），其特征在于：所述晶体（1）内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片（10），且环氧树脂底部防腐片（10）顶端的中心位置处设有第二硅片本体（8），并且第二硅片本体（8）上方的晶体（1）内部设有导通腔（9），所述导通腔（9）内部的中心位置处设有连通结构（7），且导通腔（9）远离第二硅片本体（8）一侧的晶体（1）内部设有第一硅片本体（4），并且第一硅片本体（4）的顶端设有吸收结构（3），所述晶体（1）的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片（2），且晶体（1）底部的两外侧壁上皆设...

【技术特征摘要】
1.一种防腐蚀能力强的单晶硅片，包括晶体（1）、第一硅片本体（4）、正电极（5）、第二硅片本体（8）和环氧树脂底部防腐片（10），其特征在于：所述晶体（1）内部的底端安装有环氧树脂底部防腐片（10），且环氧树脂底部防腐片（10）顶端的中心位置处设有第二硅片本体（8），并且第二硅片本体（8）上方的晶体（1）内部设有导通腔（9），所述导通腔（9）内部的中心位置处设有连通结构（7），且导通腔（9）远离第二硅片本体（8）一侧的晶体（1）内部设有第一硅片本体（4），并且第一硅片本体（4）的顶端设有吸收结构（3），所述晶体（1）的两内侧壁上皆安装有环氧树脂侧翼防腐片（2），且晶体（1）底部的两外侧壁上皆设有负电极（6），负电极（6）的一端依次贯穿晶体（1）以及环氧树脂侧翼防腐片（2）并与第二硅片本体（8）的外壁相连接，并且负电极（6）上方的晶体（1）外壁上皆设有正电极（5），正电极（5）的一端依次贯穿晶体（1）以及环氧树脂侧翼防腐片（2）并与第一硅片本体（4）的外壁相连接。


2.根据权利要求1所述的一种防腐蚀能力强的单晶硅片，其特征在于：所述环氧树脂侧翼防腐片（2）远离导通腔（9）一侧的外壁上皆设有燕尾安置槽（11），且燕尾安置槽（11）内部的中心位置处设有凸型紧固件（12），凸型紧固件（12）的一端延伸至燕尾安置槽（11）的外部并与晶体（1）的内壁固定连接。


3.根据权利要求1所述的一种防腐蚀能力强的单晶硅片，其特征在于：所述吸收结...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈柯，
申请(专利权)人：深圳市百度微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44