一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，包括：传送线；以及设于所述传送线上的石墨舟缓存组件，所述石墨舟缓存组件包括：缓存底板，其与所述传送线滑动连接；以及至少三片缓存支撑板，其在底板与所述缓存底板相固接；其中，所述缓存支撑板的侧边敞开形成有缓存让位口以使得所述缓存支撑板呈C字形结构；两两所述缓存支撑板等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板之间的石墨舟缓存空间。根据本实用新型专利技术，其在传送线上设置至少两个石墨舟缓存空间来提高石墨舟缓存上料机构缓存上料多个石墨舟的能力，从而通过多个普通石墨舟的配合使用来避免由于延长石墨舟跨度而导致的石墨舟强度可靠性降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构
本技术涉及太阳能光伏电池领域，特别涉及一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构。
技术介绍
太阳能光伏电池是一种具有光-电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏収电的最基本单元，在太阳能收集转化过程中，太阳光照射到太阳能电池的硅片上，其中一部分太阳光会被反射，即使对将硅表面设计成绒面，虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率，但是，还是会有一部分的太阳光会被反射，据测算，光在硅表面的反射损失率高达35％左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而提高转换效率，同时薄膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类：物理气象沉积(PVD)和化学气象沉积(CVD)。等离子增强型化学气相沉积(PECVD)是化学气相沉积的一种，PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物，其沉积温度低是其最突出的优点。PECVD的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性。在太阳能光伏电池领域中，采用不同结构形式的缓存机构来实现石墨舟的缓存是众所周知的。在研究和实现石墨舟的缓存的过程中，技术人发现现有技术中的缓存机构至少存在如下问题：随着PECVD设备的产能要求越来越高，由最初的单管240片发展到现在的600片，石墨舟的尺寸变的越来越大，石墨舟跨度越来越长，石墨舟本身的强度可靠性降低容易损坏。有鉴于此，实有必要开发一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构用以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足之处，本技术的主要目的是，提供一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其在传送线上设置至少两个石墨舟缓存空间来提高石墨舟缓存上料机构缓存上料多个石墨舟的能力，从而通过多个普通石墨舟的配合使用来避免由于延长石墨舟跨度而导致的石墨舟强度可靠性降低的问题。本技术的另一个目的是，提供一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其通过在缓存支撑板的侧边敞开形成有缓存让位口使得所述缓存支撑板呈C字形结构，来提高机械手取放石墨舟的便捷性，同时还能防止机械手在取放石墨舟时由于和缓存支撑板发生碰撞导致的石墨舟损坏等问题。为了实现根据本技术的上述目的和其他优点，提供了一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，包括：传送线；以及设于所述传送线上的石墨舟缓存组件，所述石墨舟缓存组件包括：缓存底板，其与所述传送线滑动连接；以及至少三片缓存支撑板，其在底板与所述缓存底板相固接；其中，所述缓存支撑板的侧边敞开形成有缓存让位口以使得所述缓存支撑板呈C字形结构；两两所述缓存支撑板等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板之间的石墨舟缓存空间。可选的，每片所述缓存支撑板的顶部设有缓存支撑组件，所述缓存支撑组件包括：单向导正件，其半包覆或者全包覆式地安装于所述缓存支撑板的顶部；以及托举部，其一体式地结合于所述单向导正件的底部；其中，所述托举部从所述单向导正件出发朝着所述石墨舟缓存空间的内部延伸。可选的，所述托举部的长度大于所述单向导正件的长度，以使得所述托举部的两端，从而使得所托举部与所述单向导正件之间形成位于所述单向导正件的两端的导向缺口，其中，所述单向导正件的两端转动连接有位于所述导向缺口处的导向滚轮。可选的，所述导向滚轮的转轴与左支撑部的长度方向相平行，以使得所述导向滚轮的滚轮面至少部分地侵入至所述左支撑部的正上方。可选的，所述托举部的顶面设有两块缓存导正块，两块所述缓存导正块间隔且相向设置以形成位于两者之间的缓存导正空间，所述缓存导正块的内侧形成有倾斜向下延伸的缓存导正面以使得所述缓存导正空间的宽度在从上至下的方向上呈逐渐缩小之势。可选的，所述缓存支撑组件被布置为使得相邻两个缓存支撑板上的托举部彼此相对。可选的，所述传送线包括：两根导向轨，两根所述导向轨平行且间隔设置以形成位于两者之间的导向通道；两根传送皮带，每根所述传送皮带穿套于相应一根所述导向轨之上；以及传送驱动器，其与所述传送皮带传动连接。可选的，每根所述导向轨的内侧一体式地形成有皮带支撑轨，每根所述传送皮带穿套于相应一根所述皮带支撑轨之上，其中，所述皮带支撑轨的顶面低于所述导向轨的顶面。上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：由于其在传送线上设置至少两个石墨舟缓存空间来提高石墨舟缓存上料机构缓存上料多个石墨舟的能力，从而通过多个普通石墨舟的配合使用来避免由于延长石墨舟跨度而导致的石墨舟强度可靠性降低的问题。上述技术方案中的另一个技术方案具有如下优点或有益效果：由于其通过在缓存支撑板的侧边敞开形成有缓存让位口使得所述缓存支撑板呈C字形结构，来提高机械手取放石墨舟的便捷性，同时还能防止机械手在取放石墨舟时由于和缓存支撑板发生碰撞导致的石墨舟损坏等问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制，其中：图1为根据本技术一个实施方式提出的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构的立体图，图中缓存有两个石墨舟；图2为根据本技术一个实施方式提出的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构的正视图；图3为根据本技术一个实施方式提出的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构的右视图；图4为根据本技术一个实施方式提出的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构的立体图，图中没有缓存石墨舟；图5为根据本技术一个实施方式提出的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构中传送线的立体图；图6为根据本技术一个实施方式提出的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构中传送线的立体图，图中隐藏了传送皮带。具体实施方式下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在附图中，为清晰起见，可对形状和尺寸进行放大，并将在所有图中使用相同的附图标记来指示相同或相似的部件。除非另作定义，此处使用的技术术语本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，包括：/n传送线(11)；以及/n设于所述传送线(11)上的石墨舟缓存组件(12)，所述石墨舟缓存组件(12)包括：/n缓存底板(121)，其与所述传送线(11)滑动连接；以及/n至少三片缓存支撑板(122)，其在底板与所述缓存底板(121)相固接；/n其中，所述缓存支撑板(122)的侧边敞开形成有缓存让位口(1221)以使得所述缓存支撑板(122)呈C字形结构；两两所述缓存支撑板(122)等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板(122)之间的石墨舟缓存空间。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，包括：
传送线(11)；以及
设于所述传送线(11)上的石墨舟缓存组件(12)，所述石墨舟缓存组件(12)包括：
缓存底板(121)，其与所述传送线(11)滑动连接；以及
至少三片缓存支撑板(122)，其在底板与所述缓存底板(121)相固接；
其中，所述缓存支撑板(122)的侧边敞开形成有缓存让位口(1221)以使得所述缓存支撑板(122)呈C字形结构；两两所述缓存支撑板(122)等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板(122)之间的石墨舟缓存空间。


2.如权利要求1所述的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，每片所述缓存支撑板(122)的顶部设有缓存支撑组件(123)，所述缓存支撑组件(123)包括：
单向导正件(1231)，其半包覆或者全包覆式地安装于所述缓存支撑板(122)的顶部；以及
托举部(1232)，其一体式地结合于所述单向导正件(1231)的底部；
其中，所述托举部(1232)从所述单向导正件(1231)出发朝着所述石墨舟缓存空间的内部延伸。


3.如权利要求2所述的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，所述托举部(1232)的长度大于所述单向导正件(1231)的长度，以使得所述托举部(1232)的两端突出于所述单向导正件(1231)的两端，从而使得所托举部(1232)与所述单向导正件(1231)之间形成位于所述单向导正件(1231)的两端的导向缺口，其中，所述单向导正件(1231)的两端转动连接有位于所述导向缺口处的导向滚轮(1233)。


4....

【专利技术属性】
技术研发人员：周玉龙，刘景博，王玉明，
申请(专利权)人：苏州拓升智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32