一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，包括：传送线；以及设于所述传送线上的石墨舟缓存组件，所述石墨舟缓存组件包括：缓存底板，其与所述传送线滑动连接；以及至少三片缓存支撑板，其在底板与所述缓存底板相固接；其中，所述缓存支撑板的侧边敞开形成有缓存让位口以使得所述缓存支撑板呈C字形结构；两两所述缓存支撑板等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板之间的石墨舟缓存空间。根据本实用新型专利技术，其在传送线上设置至少两个石墨舟缓存空间来提高石墨舟缓存上料机构缓存上料多个石墨舟的能力，从而通过多个普通石墨舟的配合使用来避免由于延长石墨舟跨度而导致的石墨舟强度可靠性降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构
本技术涉及太阳能光伏电池领域，特别涉及一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构。
技术介绍
太阳能光伏电池是一种具有光-电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏収电的最基本单元，在太阳能收集转化过程中，太阳光照射到太阳能电池的硅片上，其中一部分太阳光会被反射，即使对将硅表面设计成绒面，虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率，但是，还是会有一部分的太阳光会被反射，据测算，光在硅表面的反射损失率高达35％左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而提高转换效率，同时薄膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类：物理气象沉积(PVD)和化学气象沉积(CVD)。等离子增强型化学气相沉积(PECVD)是化学气相沉积的一种，PECVD(Plasma本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，包括：/n传送线(11)；以及/n设于所述传送线(11)上的石墨舟缓存组件(12)，所述石墨舟缓存组件(12)包括：/n缓存底板(121)，其与所述传送线(11)滑动连接；以及/n至少三片缓存支撑板(122)，其在底板与所述缓存底板(121)相固接；/n其中，所述缓存支撑板(122)的侧边敞开形成有缓存让位口(1221)以使得所述缓存支撑板(122)呈C字形结构；两两所述缓存支撑板(122)等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板(122)之间的石墨舟缓存空间。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，包括：
传送线(11)；以及
设于所述传送线(11)上的石墨舟缓存组件(12)，所述石墨舟缓存组件(12)包括：
缓存底板(121)，其与所述传送线(11)滑动连接；以及
至少三片缓存支撑板(122)，其在底板与所述缓存底板(121)相固接；
其中，所述缓存支撑板(122)的侧边敞开形成有缓存让位口(1221)以使得所述缓存支撑板(122)呈C字形结构；两两所述缓存支撑板(122)等距间隔设置以形成位于相邻两片所述缓存支撑板(122)之间的石墨舟缓存空间。


2.如权利要求1所述的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，每片所述缓存支撑板(122)的顶部设有缓存支撑组件(123)，所述缓存支撑组件(123)包括：
单向导正件(1231)，其半包覆或者全包覆式地安装于所述缓存支撑板(122)的顶部；以及
托举部(1232)，其一体式地结合于所述单向导正件(1231)的底部；
其中，所述托举部(1232)从所述单向导正件(1231)出发朝着所述石墨舟缓存空间的内部延伸。


3.如权利要求2所述的适用于管式PECVD的石墨舟缓存上料机构，其特征在于，所述托举部(1232)的长度大于所述单向导正件(1231)的长度，以使得所述托举部(1232)的两端突出于所述单向导正件(1231)的两端，从而使得所托举部(1232)与所述单向导正件(1231)之间形成位于所述单向导正件(1231)的两端的导向缺口，其中，所述单向导正件(1231)的两端转动连接有位于所述导向缺口处的导向滚轮(1233)。


4....

【专利技术属性】
技术研发人员：周玉龙，刘景博，王玉明，
申请(专利权)人：苏州拓升智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32