一种用于功率器件封装的烧结设备制造技术

本实用新型专利技术涉及功率半导体器件制造技术领域，具体提供一种用于功率器件封装的烧结设备，包括：第一承靠座、与所述第一承靠座相对设置的第二承靠座、用于密封所述第一承靠座和所述第二承靠座的烧结腔体；所述第一承靠座和所述第二承靠座可彼此相对地往复移动；所述烧结腔体包括包围所述第一承靠座并且固定设置的第一腔体结构，以及包围所述第二承靠座设置并且随所述第二承靠座往复移动的第二腔体结构；所述第一承靠座上具有固定结构，所述固定结构为从四周包围待烧结器件并且与待烧结器件等高或者低于所述待烧结器件高度的弹性定位环。根据本实用新型专利技术的烧结设备，结构简单，保证功率器件的位置稳定，保证成品率，提升烧结效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于功率器件封装的烧结设备
本技术涉及功率半导体器件制造
，尤其涉及一种用于功率器件封装的烧结设备。
技术介绍
在功率半导体封装领域，寻求低温工艺、高温服役、热膨胀系数相匹配、高导热导电、低成本的互连材料成为现在急需解决的问题。焊接及引线键合的传统材料工艺存在熔点低、高温蠕变失效、引线缠绕、寄生参数等无法解决的问题，新型互连材料正从焊接向烧结技术发展。现有技术常用烧结互连材料为纳米银材料，但是纳米银烧结技术存在不足：1)银材料本身价格较高，限制其不能被广泛使用；2)银和SiC芯片背面材料热膨胀系数的不同，需要添加其它中间金属层提高互连性能，从而增加了工艺复杂性成本；3)银层存在电迁移现象，不利于功率器件长期可靠应用。为解决上述问题，技术人发现与纳米银近似的纳米铜颗粒，纳米铜颗粒可以在低温条件下熔融，烧结后熔点接近铜单质材料(1083℃)，可构筑稳定的金属互连层。然而现有烧结设备多数是基于较为成熟的纳米银材料开发的，其设备并未深入考虑材料在工艺中的抗氧化要求。而纳米铜材料在烧结键合过程中，容易出现氧化问题。不仅如此，纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于功率器件封装的烧结设备，其特征在于，包括：第一承靠座(1)、与所述第一承靠座(1)相对设置的第二承靠座(2)、用于密封所述第一承靠座(1)和所述第二承靠座(2)的烧结腔体(3)；/n所述第一承靠座(1)和所述第二承靠座(2)可彼此相对地往复移动；/n所述烧结腔体(3)包括包围所述第一承靠座(1)并且固定设置的第一腔体结构(301)，以及包围所述第二承靠座(2)并且随所述第二承靠座(2)往复移动的第二腔体结构(302)；/n所述第一承靠座(1)上具有固定结构，所述固定结构为从四周包围待烧结器件并且与待烧结器件等高或者低于所述待烧结器件高度的弹性定位环。/n

【技术特征摘要】
1.用于功率器件封装的烧结设备，其特征在于，包括：第一承靠座(1)、与所述第一承靠座(1)相对设置的第二承靠座(2)、用于密封所述第一承靠座(1)和所述第二承靠座(2)的烧结腔体(3)；
所述第一承靠座(1)和所述第二承靠座(2)可彼此相对地往复移动；
所述烧结腔体(3)包括包围所述第一承靠座(1)并且固定设置的第一腔体结构(301)，以及包围所述第二承靠座(2)并且随所述第二承靠座(2)往复移动的第二腔体结构(302)；
所述第一承靠座(1)上具有固定结构，所述固定结构为从四周包围待烧结器件并且与待烧结器件等高或者低于所述待烧结器件高度的弹性定位环。


2.根据权利要求1所述的用于功率器件封装的烧结设备，其特征在于，所述第一腔体结构(301)上设有用于通入或者排出气体的第一通孔(3011)，所述第二腔体结构(302)上设有用于排出或者通入气体的第二通孔(3021)。


3.根据权利要求1所述的用于功率器件封装的烧结设备，其特征在于，还包括用于支承并驱动所述第一承靠座(1)往复移动的第一驱动机构(4)、用于驱动所述第二承靠座(2)往复移动的第二驱动机构(5)以及用于支承所述第一驱动机构(4)、所述第二驱动机构(5)和所述第一腔体结构(301)的支承台(6)。


4.根据权利要求3所述的用于功率器件封装的烧结设备，其特征在于，所述第一驱动机构(4)包括用于驱动所述第一承靠座(1)的第一驱动装置(401)和用于支承所述驱动装置(401)的支架(402)。


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【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，叶怀宇，田天成，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44