【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对存储器单元进行编程的技术交叉参考本专利申请案主张由卡斯特罗(Castro)等人在2018年8月22日申请的标题为“用于对存储器单元进行编程的技术(TECHNIQUESFORPROGRAMMINGAMEMORYCELL)”、让渡给其受让人且其全部以引用的方式明确并入本文中的第16/108,784号美国专利申请案的优先权。
技术介绍
下文大体上涉及操作存储器阵列且更明确来说涉及对自选择存储器装置进行编程。存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、相机、数字显示器及类似者)中的信息。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来进行存储。例如，二进制装置具有通常由逻辑“1”或一逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所述经存储信息，所述电子装置的组件可读取或感测所述存储器装置中的经存储状态。为存储信息，所述电子装置的组件可在所述存储器装置中写入或编程状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n在写入操作期间将具有第一极性的第一脉冲施加到存储第一逻辑状态的存储器单元；/n响应于施加所述第一脉冲而检测所述存储器单元处的骤回事件；/n响应于检测到所述骤回事件而将具有不同于所述第一极性的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元；及/n至少部分基于施加所述第二脉冲到所述存储器单元而将不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态存储于所述存储器单元中。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180822 US 16/108,7841.一种方法，其包括：
在写入操作期间将具有第一极性的第一脉冲施加到存储第一逻辑状态的存储器单元；
响应于施加所述第一脉冲而检测所述存储器单元处的骤回事件；
响应于检测到所述骤回事件而将具有不同于所述第一极性的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元；及
至少部分基于施加所述第二脉冲到所述存储器单元而将不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态存储于所述存储器单元中。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
将第一电压施加到与所述存储器单元耦合的第一存取线；及
将第二电压施加到与所述存储器单元耦合的第二存取线，其中施加所述第一脉冲是至少部分基于施加所述第一电压及所述第二电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
将所述第二电压施加到所述第一存取线；及
将所述第一电压施加到所述第二存取线，其中施加所述第二脉冲是至少部分基于施加所述第一电压到所述第二存取线及施加所述第二电压到所述第一存取线。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
检测跨所述存储器单元的电压的量值的减小，其中检测所述骤回事件是至少部分基于检测到所述电压的所述量值的所述减小。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述骤回事件是至少部分基于所述第一逻辑状态的值不同于待存储到所述存储器单元的所述第二逻辑状态的值。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
至少部分基于待存储到所述存储器单元的所述第二逻辑状态的值而选择所述第一脉冲的电压量值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于施加所述第一脉冲而降低所述存储器单元的阈值电压。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储器单元的所述降低的阈值电压是至少部分基于所述第一逻辑状态。
9.根据权利要求7所述的方法，其中响应于所述骤回事件的发生而减小所述存储器单元的所述阈值电压的量值达一持续时间。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在降低所述阈值电压时的所述持续时间期间将所述第二脉冲施加到所述存储器单元。
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在所述持续时间期间执行读取操作或其它操作，其中在所述持续时间之后施加所述第二脉冲。
12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
响应于在所述持续时间之后施加所述第二脉冲到所述存储器单元而检测所述存储器单元处的第二骤回事件。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器单元的所述降低的阈值电压是至少部分基于所述第一逻辑状态。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元包括自选择存储器单元。
15.一种方法，其包括：
在写入操作期间将具有第一极性的第一脉冲施加到存储第一逻辑状态的存储器单元；
响应于施加所述第一脉冲到所述存储器单元而检测由所述存储器单元存储的所述第一逻辑状态；及
通过在所述写入操作期间响应于检测到所述第一逻辑状态施加具有第二极性的第二脉冲而将第二逻辑状态存储于所述存储器单元中，其中所述第二逻辑状态不同于所述第一逻辑状态。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
将第一电压施加到与所述存储器单元耦合的第一存取线；及
将第二电压施加到与所述存储器单元耦合的第二存取线，其中施加所述第一脉冲是至少部分基于施加所述第一电压及所述第二电压。
17.根据权利要求16所述的方法，其中将所述第一电压施加到所述第一存取线降低所述存储器单元的阈值电压。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二电压大于所述存储器单元的所述降低的阈值电压。
19.根据权利要求15所述的方法，其中检测所述第一逻辑状态是至少部分基于所述存储器单元的阈值电压小于所述第一脉冲的量值。
20.根据权利要求15所述的方法，其中将所述第二逻辑状态存储到所述存储器单元是至少部分基于所述存储器单元的阈值电压降低达一持续时间。
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【专利技术属性】
技术研发人员：H·A·卡斯特罗，I·托尔托雷利，A·皮罗瓦诺，F·佩里兹，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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