一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统技术方案

本发明专利技术公开一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，将压电传感器与忆阻器件相集成，使压力信号转变为电学信号，以此来驱动忆阻器件，完成数据的记录与存储。在压力发电片的输出端口设计保护电路，使外加的力学信号不至于将忆阻器件击穿。该智能数据存储系统工作时，不论记录、转换、擦除均不需再加外接电压。本发明专利技术开创性地将压电传感器与忆阻器集成为一个智能数据存储系统，由压电传感器与忆阻器相结合，并形成了初步应用，经过多次测试，系统稳定性较高，能适应多种环境，应用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】
一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统
本专利技术涉及纳米材料应用领域及微电子
，具体涉及一种基于压电传感器/忆阻器的智能数据存储系统。
技术介绍
作为近年来迅猛发展的一项技术科学，人工智能正以前所未有的速度改变着人类的生活。相较于人类，人工智能设备具有更好的运算速度、储存空间、可靠性和持久性，人工智能已经渐渐的进入人类生活的方方面面。当今社会是一个高速发展的社会，人们对于数据存储的需求快速增长。处理大量的信息对现有的存储设备的性能提出了更高的要求。当前市面上主流的非易失性存储技术在尺寸、功耗、可靠性等方面逐渐遇到发展的瓶颈。1971年华裔科学家蔡少棠教授首次提出了忆阻器的概念，他推断在电阻、电容和电感器之外，应该还有一种元件，代表着电荷与磁通量之间的关系。直到2008年，惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件，掀起忆阻研究热潮。纳米忆阻器件的出现，有望实现非易失性随机存储器。忆阻器，全称记忆电阻器(Memristor)。它是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻器与记忆和电阻都有关系，它的电阻值会随着通过电流量的变化而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，采用压电传感器与忆阻器进行集成，以压力发电片和外接电路构成压电传感器，实现通过施加压力的方法改变忆阻器的阻值，从而完成对数据的记录与存储。/n

【技术特征摘要】
20190519 CN 201910416285X1.一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，采用压电传感器与忆阻器进行集成，以压力发电片和外接电路构成压电传感器，实现通过施加压力的方法改变忆阻器的阻值，从而完成对数据的记录与存储。


2.根据权利要求1所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，忆阻器自下而上由下电极、阻变层和上电极依次叠加设置而成，阻变层为Ga2O3薄膜。


3.根据权利要求2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，下电极厚度为50-200nm、阻变层厚度为10-100nm、上电极厚度为50-200nm。


4.根据权利要求2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，下电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或其他导电材料中的一种。


5.根据权利要求2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，上电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或其他导电材料中的一种。


6.根据权利要求4或者5所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，导电金属为Ta、Cu、Ag、W、Ni、Al或Pt的一种；金属合金为Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al或Al/Zr合金的一种；导电金属化合物为TiN或ITO；其他导电材料如AZO、F...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正春，李沛君，弭伟，吴健文，朱博，郭睿轩，伏特，朱云昊，李珍，赵金石，张楷亮，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：天津;12