【技术实现步骤摘要】
硫族化物存储器装置组件和组合物
涉及硫族化物存储器装置组件和组合物。
技术介绍
下文大体上涉及存储器装置，且更具体地说，涉及硫族化物存储器装置组件和化学方法。存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有常常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在多种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)、动态RAM(dynamicRAM，DRAM)、同步动态RAM(synchronousdynamicRAM，SDRAM)、铁电RAM(ferroelectricRAM，FeRAM)、磁性RAM(magneticRAM，MRAM)、电阻式RAM(resistiveRAM，RRAM)...
【技术保护点】
1.一种物质组合物，其包括：/n相对于所述组合物的总重量按重量计呈大于或等于40％的量的硒；/n相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于10％到35％的量的砷；以及/n相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于0.15％到35％的量的选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的群组的至少一个元素。/n
【技术特征摘要】
1.一种物质组合物，其包括：
相对于所述组合物的总重量按重量计呈大于或等于40％的量的硒；
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于10％到35％的量的砷；以及
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于0.15％到35％的量的选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的群组的至少一个元素。
2.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括：
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于1％到20％的量的锗。
3.根据权利要求2所述的组合物，其进一步包括：
硅，其中所述硅、所述锗与选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的所述群组的所述至少一个元素的组合相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈大于或等于20％的量。
4.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括：
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于1％到15％的量的硅。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中硒的所述量相对于所述组合物的所述总重量按重量计大于或等于45％。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中砷的所述量相对于所述组合物的所述总重量按重量计范围介于12％到32％。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的所述群组的所述至少一个元素相对于所述组合物的所述总重量按重量计范围介于0.15％到24％。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物的阈值电压漂移在90摄氏度的温度下在三天之后小于或等于250毫伏。
9.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物的玻璃转变温度大于280摄氏度。
10.一种设备，其包括：
存储器元件；以及
选择器装置，其与所述存储器元件耦合，其中所述选择器装置具有包括以下各项的组合物：
相对于所述组合物的总重量按重量计呈大于或等于40％的量的硒；
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于10％到35％的量的砷；以及
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于0.15％到35％的量的选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的群组的至少一个元素。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述选择器装置的所述组合物包括：
相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于1％到20％的量的锗。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述选择器装置的所述组合物包括：
硅，其中所述硅、所述锗与选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的所述群组的所述至少一个元素的组合相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈大于或等于20％的量。
13.根据权利要求10所述的设备，其中所述选择...
【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·凡蒂尼，F·丹尼尔·吉利，恩里科·瓦雷西，斯瓦帕尼尔·A·朗加德，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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