一种形成封装件的方法及封装件技术

本发明专利技术提供了一种形成封装件的方法和封装件，方法包括：提供载体和至少一组芯片，每组芯片至少包括第一芯片和第二芯片；将每组芯片的第一芯片和第二芯片正面朝上装设于载体表面，其中第一芯片和第二芯片的上方表面具有第一凸点；将互联器件附接至第一芯片和第二芯片的上方表面，以使每组芯片的第一芯片通过互联器件能够电性连接至第二芯片；在第一芯片和第二芯片的周围形成一塑封层，其中第一芯片和第二芯片和互联器件嵌于塑封层内；在塑封层远离载体的一侧表面进行减薄处理，以暴露出第一芯片和第二芯片的第一凸点；在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面形成第二凸点以及，移除载体。利用上述方法，为多芯片联接提供了灵活，高效和低成本的封装方案。

【技术实现步骤摘要】
一种形成封装件的方法及封装件
本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种形成封装件的方法及封装件。
技术介绍
本部分旨在为权利要求书中陈述的本专利技术的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。随着人工智能时代的到来，半导体集成电路的发展趋势是功能越多且计算速度越快。如果简单使用大芯片的SOC集成来满足这个发展趋势，无疑会使电路设计的难度越来越高，制造成本越来越昂贵。更为实际的解决方案则是采用多个小芯片的异质集成技术来完成功能集成的目的。基于此，目前对于高端封装的重要任务是发展高效率，高密度的多芯片互联技术，通过裸芯片之间的直接联接来形成芯片的物理层功能区块，以此来代替大芯片的SOC集成，实现低成本和高自由度，并具有相同的功能性。现有的多芯片互联技术中，诸如嵌入式多芯片互联桥接(EMIB)通常采用在基板中嵌入硅桥以实现芯片互联，可以增加互联密度和互联效率。然而现有技术中的EMIB需要采用复杂的封装工艺，且成本高昂。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的问题，提出了一种形成封装件的方法以及封装件，利用这种方法和封装件，能够解决上述问题。本专利技术提供了以下方案。第一方面，提供一种形成封装件的方法，包括：提供载体和至少一组芯片，其中每组芯片至少包括第一芯片和第二芯片；将每组芯片包含的第一芯片和第二芯片正面朝上装设于载体的表面，其中第一芯片和第二芯片的上方表面具有第一凸点；将互联器件附接至第一芯片和第二芯片的上方表面，以使每组芯片包含的第一芯片通过互联器件能够电性连接至第二芯片；在第一芯片和第二芯片的周围形成一塑封层，其中第一芯片和第二芯片和互联器件嵌于塑封层内；在塑封层远离载体的一侧表面进行减薄处理，以暴露出第一芯片和第二芯片的第一凸点；在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面形成第二凸点；以及，移除载体。在一些实施例中，芯片组数大于1，方法还包括：移除载体之后，对形成的封装件进行切割以获得多个单元封装体，其中每个单元封装体包含一组芯片。在一些实施例中，互联器件的第一侧面的第一区域形成有多个第一焊盘，用于分别接合至第一芯片的第一凸点，互联器件的第一侧面的第二区域形成有多个第二焊盘，用于分别接合至第二芯片的第一凸点，在互联器件的多个第一焊盘和多个第二焊盘之间形成有扇出电路。在一些实施例中，互联器件形成为无源器件或有源器件。在一些实施例中，互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件。在一些实施例中，将互联器件附接至第一芯片和第二芯片的上方表面，还包括：将互联器件热压接合至第一芯片和第二芯片的上方表面，其中，互联器件形成为柔性电路。在一些实施例中，方法还包括：在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面形成重布线层，在重布线层上形成多个第二凸点。在一些实施例中，在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面形成第二凸点，包括：在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面形成焊料覆盖(soldercapping)层。在一些实施例中，第一芯片的上方表面具有多个高密度第一凸点，第二芯片的上方表面具有多个低密度第一凸点，其中，高密度第一凸点的接触面小于低密度第一凸点，方法还包括：将互联器件的第一焊盘对准接合至第一芯片的高密度第一凸点，以使互联器件的第二焊盘以高密度第一凸点为参考基准自对准接合至第二芯片的低密度第一凸点。在一些实施例中，第一芯片为处理器芯片，第二芯片为存储芯片。第二方面，提供一种封装件，包括：第一芯片和第二芯片，其中第一芯片和第二芯片的上方表面具有多个第一凸点；互联器件，形成于第一芯片和第二芯片的上方表面，第一芯片通过互联器件能够电性连接至第二芯片；塑封层，形成于第一芯片和第二芯片的周围，其中第一芯片和第二芯片和互联器件嵌于塑封层内，第一芯片和第二芯片的第一凸点暴露于塑封层的上方表面；多个第二凸点，形成在塑封层的上方表面。在一些实施例中，互联器件的第一侧面的第一区域形成有多个第一焊盘，用于分别接合至第一芯片的第一凸点，互联器件的第一侧面的第二区域形成有多个第二焊盘，用于分别接合至第二芯片的第一凸点，在互联器件的多个第一焊盘和多个第二焊盘之间形成有扇出电路。在一些实施例中，互联器件形成为无源器件或有源器件。在一些实施例中，在一些实施例中，互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件。在一些实施例中，互联器件形成为热压接合至第一芯片和第二芯片的上方表面的柔性电路。在一些实施例中，封装件还包括：重布线层，形成在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面，重布线层上形成多个第二凸点。在一些实施例中，多个第二凸点形成为：在塑封层暴露出第一凸点的一侧表面形成的焊料覆盖(soldercapping)层。在一些实施例中，第一芯片的上方表面具有多个高密度第一凸点，第二芯片的上方表面具有多个低密度第一凸点，其中，高密度第一凸点的接触面小于低密度第一凸点，其中，在封装件中，互联器件的第一焊盘对准接合至第一芯片的高密度第一凸点，以使互联器件的第二焊盘以高密度第一凸点为参考基准自对准接合至第二芯片的低密度第一凸点。在一些实施例中，第一芯片为逻辑芯片，第二芯片为存储芯片。本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：根据以上实施例的各个方面，通过采用了新的封装结构设计和独特的工艺流程，以更低的成本和更简单的制造过程实现与EMIB技术相同或类似的效果。一方面，其不需要在衬底(substrate)中嵌入互联器件，减少了设计和制造的复杂性和周期时间。另一方面，消除基板的相关成本，从而为多芯片联接提供了灵活和低成本的解决方案。应当理解，上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，以便能够更清楚地了解本专利技术的技术手段，从而可依照说明书的内容予以实施。为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举例说明本专利技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文的示例性实施例的详细描述，本领域普通技术人员将明白本文所述的优点和益处以及其他优点和益处。附图仅用于示出示例性实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的标号表示相同的部件。在附图中：图1为根据本专利技术一实施例的形成封装件的方法的流程示意图；图2A至图2E为根据本专利技术一实施例在形成封装件的过程中的中间阶段的截面示意图；图3A至图3E为根据本专利技术另一实施例在形成封装件的过程中的中间阶段的截面示意图；图4A至图4E为根据本专利技术又一实施例在形成封装件的过程中的中间阶段的截面示意图；图5A至图5C为根据本专利技术一实施例将互联器件和芯片接合的中间阶段的顶视图；图6A至图6E为根据本专利技术又一实施例在形成封装件的过程中的中间阶段的截面示意图。在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装件的方法，其特征在于，包括：/n提供载体和至少一组芯片，其中每组芯片至少包括第一芯片和第二芯片；/n将每组芯片包含的所述第一芯片和所述第二芯片正面朝上装设于所述载体的表面，其中所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面具有第一凸点；/n将互联器件附接至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面，以使每组芯片包含的所述第一芯片通过所述互联器件能够电性连接至所述第二芯片；/n在所述第一芯片和所述第二芯片的周围形成一塑封层，其中所述第一芯片和所述第二芯片和所述互联器件嵌于所述塑封层内；/n在所述塑封层远离所述载体的一侧表面进行减薄处理，以暴露出所述第一芯片和所述第二芯片的所述第一凸点；/n在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成第二凸点；以及，移除所述载体。/n

【技术特征摘要】
1.一种形成封装件的方法，其特征在于，包括：
提供载体和至少一组芯片，其中每组芯片至少包括第一芯片和第二芯片；
将每组芯片包含的所述第一芯片和所述第二芯片正面朝上装设于所述载体的表面，其中所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面具有第一凸点；
将互联器件附接至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面，以使每组芯片包含的所述第一芯片通过所述互联器件能够电性连接至所述第二芯片；
在所述第一芯片和所述第二芯片的周围形成一塑封层，其中所述第一芯片和所述第二芯片和所述互联器件嵌于所述塑封层内；
在所述塑封层远离所述载体的一侧表面进行减薄处理，以暴露出所述第一芯片和所述第二芯片的所述第一凸点；
在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成第二凸点；以及，移除所述载体。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片组数大于1，所述方法还包括：
移除所述载体之后，对形成的所述封装件进行切割以获得多个单元封装体，其中每个所述单元封装体包含一组芯片。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述互联器件的第一侧面的第一区域形成有多个第一焊盘，用于分别接合至所述第一芯片的第一凸点，所述互联器件的第一侧面的第二区域形成有多个第二焊盘，用于分别接合至所述第二芯片的第一凸点，在所述互联器件的所述多个第一焊盘和所述多个第二焊盘之间形成有扇出电路。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述互联器件形成为无源器件或有源器件。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将互联器件附接至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面，还包括：
将所述互联器件热压接合至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面，其中，所述互联器件形成为柔性电路。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成重布线层，在所述重布线层上形成多个所述第二凸点。


8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成第二凸点，包括：
在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成焊料覆盖层。


9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片的上方表面具有多个高密度第一凸点，所述第二芯片的上方表面具有多个低密度第一凸点，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维平，
申请(专利权)人：上海易卜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31