【技术实现步骤摘要】
封装结构的减薄方法
本专利技术涉及封装
,特别涉及一种封装结构的减薄方法。
技术介绍
随着SIP产品朝着小型化、低功耗及高功能方向的发展,Mold技术成为SIP快速发展的关键技术之一。目前,封装产品时,针对不同厚度的封装产品,需选用不同型号的封装模具。常规型号的封装模具为1.2mm、0.85mm或0.7mm封装模具,用以分别塑封成型出厚度为1.2mm、0.85mm或0.7mm的封装产品,对厚度低于1.2mm、0.85mm或0.7mm的封装产品,比如厚度为1.0mm的封装产品,则需要重新制作适配的封装模具,但是封装模具的生产周期长,制作昂贵,生产成本高,且制约了快速打样的进程,生产效率低。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种封装结构的减薄方法,旨在解决现有技术中针对不同厚度的封装产品需制作不同型号封装模具导致的生产成本高以及生产效率低的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提出一种封装结构的减薄方法,所述封装结构的减薄方法包括如下步骤:提供一基板,所述基板包括封装有电子单元的封 ...
【技术保护点】
1.一种封装结构的减薄方法,其特征在于,所述封装结构的减薄方法包括如下步骤:/n提供一基板,所述基板包括封装有电子单元的封装结构,所述封装结构的厚度大于预设厚度;/n对所述塑封结构的封装表面进行镭射,直至所述塑封结构的厚度减薄至预设厚度。/n
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的减薄方法,其特征在于,所述封装结构的减薄方法包括如下步骤:
提供一基板,所述基板包括封装有电子单元的封装结构,所述封装结构的厚度大于预设厚度;
对所述塑封结构的封装表面进行镭射,直至所述塑封结构的厚度减薄至预设厚度。
2.如权利要求1所述的封装结构的减薄方法,其特征在于,所述对所述塑封结构的封装表面进行镭射,直至所述塑封结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括:
对所述封装结构的封装表面沿S形路径进行镭射,并在S形路径折弯处控制镭射光线延迟第一预设时间,直至对封装表面完成全面镭射。
3.如权利要求2所述的封装结构的减薄方法,其特征在于,所述第一预设时间为0.1ms~0.3ms。
4.如权利要求1所述的封装结构的减薄方法,其特征在于,所述对所述塑封结构的封装表面进行镭射,直至所述塑封结构的厚度减薄至预设厚度的步骤,还包括:
对所述封装结构的封装表面沿直线路径进行多次镭射,并在任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟第二预设时间,直至对封装表面完成全面镭射。
5.如权利要求4所述的封装结构的减薄方法,其特征在于,所述第二预设时间为0.1ms~0.3ms。
6.如权利要求1-5中任一项所述的封装结构的减薄方法,其特征在于,所述基板包括多个所述封装结构,多个所述封装结构阵列布置;
所述对所述塑封结构的封装表面进行镭射,直至所述塑封结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鲁亭,蒋忠华,
申请(专利权)人:青岛歌尔微电子研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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