一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料及其制备方法。本发明专利技术提供了一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料的制备方法，包括以下步骤：混合铈盐、羧酸类配体和溶剂，静置一段时间，原位生长棒束状铈基金属有机框架材料，Ce‑MOF；再通过高温煅烧得到束状氧化铈。将棒束状氧化铈、钴盐、镍盐、成核剂分散于溶剂中，溶剂热反应后得到前驱体；然后将前驱体加入到硫源溶液中，硫化得到硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料。本发明专利技术将硫化钴镍纳米片铆定在氧化铈导电基底上，解决了硫化物易团聚、活性位点少、导电性差、不稳定的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料及其制备方法和应用
本专利技术属于电极材料
，特别涉及一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料制备方法
技术介绍
超级电容器，是一种介于传统电容器和充电电池之间的新型储能器件。因其功率密度高、充放电循环寿命长、充电时间短、贮存寿命长和工作温度范围宽等优点而备受关注。开发廉价、高效的电极材料是提升超级电容器性能的关键。过渡金属硫化物，如硫化钴、硫化镍是研究中使用最广泛的电极材料之一。但是硫化物导电性差、氧化还原反应位点较少，从而导致电容低、倍率性能差，同时硫化钴在循环测试过程体积膨胀、不稳定。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术采用了一种操作简便、成本低廉的制备方法实现了一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化铈材料的制备，一方面，棒束状氧化铈具有丰富的活性位点和氧空位，与硫化钴镍纳米片形成核壳结构后，促进镍钴硫化物与氧化铈之间发生电子迁移，更有利于电解质通过空位渗透到材料的内部发生反应；另一方面，将硫化钴镍纳米片铆定在氧化铈基底上，可防止充放电过程中电极材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化钸材料的制备方法，其特征是包括以下步骤： (1)将0.434g的Ce(NO

【技术特征摘要】
1.一种硫化钴镍纳米片包覆的棒束状氧化钸材料的制备方法，其特征是包括以下步骤：(1)将0.434g的Ce(NO3)3·6H2O和0.21g的1，3，5，-苯三甲酸，分别溶解于20mL去离子水和乙醇中，得到A和B溶液。将A与B溶液迅速混合，室温下静置10min，洗涤离心干燥，得到棒束状Ce-MOF；(2)将所述步骤(1)得到的棒束状Ce-MOF置于马弗炉中，在650℃下煅烧2h，升温速率为2℃/min得到棒束状CeO2；(3)将20mg棒束状CeO2、0.747g六次甲基四胺、0.291gCo(NO3)2·6H2O和0.291gNi(NO3)2·6H2O分散于溶剂中，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛志高，陶凯，韩磊，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33