【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电路，尤其是一种电压调整器电路。本专利技术还涉及一 种电阻偏差补偿方法。
技术介绍
深亚微米工艺下，集成电路的生产制造过程存在较大的失配和偏差，其中电阻元件的受工艺影响相当大；通常电路设计中考虑工艺偏差影响值 为士20%，当系统的极点与电阻相关时，整个系统极点受各种影响的偏移最 大也会达到±20%之多，这样可能会使得原来刚达到系统稳定性要求的相位 裕度和增益裕度下降，从而严重影响电路系统性能，也会影响量产产品的 成品率。这成为所有电路设计者不得不考虑的问题。为了解决这一问题，当前主要的技术有设计时尽量避免使用电阻元 件作为系统的主要功能元件；在制定设计参数时预留较大余量；或者在设 计电路时采用电阻比例等方法抵消电阻的直接作用等等。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电压调整器电路，以及这种电 压调整器电路实现的电阻偏差补偿方法，能够有效的降低电阻由于工艺偏 差或者温度偏差等因素对电路的增益和相位产生的影响，保证电路的性能。为解决上述技术问题，本专利技术电压调整器电路的技术方案是，包括一 个运算放大器，所述运算放大器的正向输入端接...
【技术保护点】
一种电压调整器电路，其特征在于，包括一个运算放大器，所述运算放大器的正向输入端接收输入信号，所述运算放大器的输出端连接到一个ＮＭＯＳ管Ｍ１的栅极，所述ＮＭＯＳ管Ｍ１的漏极接电源端，衬底端接地，源极通过两个串联的电阻Ｒ１和Ｒ２接地，所述两个电阻Ｒ１和Ｒ２之间引出一条反馈线，连接到所述运算放大器的反向输入端，所述运算放大器还连接有一个偏置电路，所述偏置电路为所述运算放大器提供偏置信号，所述偏置电路工作状态为亚阈值区，以满足补偿要求，所述ＮＭＯＳ管Ｍ１的源极作为所述电压调整器电路的输出端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟醒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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