一种半导体级直拉复投筒制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体级直拉复投筒，包括筒本体、钼杆和置于所述筒本体下端的主石英伞，在所述钼杆上且位于所述主石英伞上方还设有副石英伞；所述主石英伞上还设有用于隔离钼杆和硅料并贯穿所述副石英伞设置的石英筒；所述筒本体上端面设有用于调节所述主石英伞和所述副石英伞升降位置的定位组件。本实用新型专利技术复投筒，缓冲硅料的下落速度，降低硅料对主石英伞的冲击，降低硅料飞溅的风险；固定下降距离，以调整复投筒开伞高度和下料速度；防止钼杆直接与硅料接触，保证进入复投筒内硅料的纯度，提升直拉单晶品质；提高复投筒强度，延长其使用寿命，降低复投筒制备成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体级直拉复投筒
本技术属于半导体直拉单晶辅助设备
，尤其是涉及一种半导体级直拉复投筒。
技术介绍
在半导体级单晶制备过程中，复投筒是一种常用的重要投料工具，复投筒的结构直接影响着硅料的投料量和拉制质量。中国公开专利CN210636091U提出一种新型直拉单晶用复投器，包括复投筒、石英伞和固定架，复投筒为上宽下窄式结构，这一结构的复投筒有以下问题：首先：对于单个设置在复投筒下端的石英伞其受到硅料下落的冲击力较大，石英伞的底部冲击力很大，在下料时会带动复投料发生旋转，导致硅料在落入硅料液面后增加溅硅风险。其次：同时由于其采用钼杆作为拉杆对石英伞进行操作，不仅易于造成硅料被钼金属污染，严重影响半导体级单晶硅的技术参数，无法应用于半导体级单晶硅的复投；而且在复投筒的上端面没有防呆设计，复投开伞时存在安全隐患。还有：这一结构中的中间的第二筒部与下段的第三筒部之间的过渡结构为横截平面，其靠近第三筒部上端面外壁处容易产生应力集中，导致复投筒第三筒部与第二筒部连接处强度不够，容易出现裂纹，严重影响复投筒的使用寿命。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体级直拉复投筒，包括筒本体、钼杆和置于所述筒本体下端的主石英伞，其特征在于，在所述钼杆上且位于所述主石英伞上方还设有副石英伞；所述主石英伞上还设有用于隔离钼杆和硅料并贯穿所述副石英伞设置的石英筒；所述筒本体上端面设有用于调节所述主石英伞和所述副石英伞升降位置的定位组件。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体级直拉复投筒，包括筒本体、钼杆和置于所述筒本体下端的主石英伞，其特征在于，在所述钼杆上且位于所述主石英伞上方还设有副石英伞；所述主石英伞上还设有用于隔离钼杆和硅料并贯穿所述副石英伞设置的石英筒；所述筒本体上端面设有用于调节所述主石英伞和所述副石英伞升降位置的定位组件。


2.根据权利要求1所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述筒本体为双层结构，包括外层筒和与所述外层筒内壁相适配的内层筒，所述内层筒厚度是所述外层筒厚度的1/4-1/3。


3.根据权利要求2所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述内层筒下端面内嵌固设于置于所述外层筒内壁的卡槽内，所述卡槽靠近所述主石英伞一端，且距离所述外层筒下端面100-200mm。


4.根据权利要求2或3所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述外层筒厚度为10-20mm。


5.根据权利要求4所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述副石英伞置于所述筒本体下段部远离所述主石英伞一端设置，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁长宏，娄中士，李鹏飞，田旭东，马飞，田宇翔，常瑞新，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古;15