The invention discloses a PTAT bias circuit for an energy bandgap reference voltage source, comprising a starting branch circuit. The acceleration circuit forces the PTAT bias circuit to switch from the degraded operating point to the normal operating point prior to the start of an additional power indication signal. When the feedback signal indicating the initialization of the PTAT bias circuit is detected, the starting branch circuit terminates the operation of the accelerated branch circuit independently of the start of the power charging indication signal.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种参考偏压电路，特别是涉及PTAT(与绝对温度成比例)的偏压电路以及合并了一PTAT偏压电路的能带隙电压参考电路。更特别的是，本专利技术涉及用于PTAT(与绝对温度成比例)的偏压电路的启动电路。
技术介绍
能带隙参考电压源电路是该领域中众所周知的，这些电路提供一独立于电路中温度变化的电压标准。能带隙参考电压源的参考电压是一个双载子接面晶体管(双载子晶体管)的基极与发射极间所发展的电压Vbe和另外两个双载子晶体管的基极-发射极电压Vbe之差(ΔVbe)的函数。第一个双载子晶体管的基极-发射极电压Vbe具有一个负的温度系数，或者当温度升高时基极-发射极电压Vbe将会减少。另外两个双载子晶体管的差分电压ΔVbe将会具有一个正的温度系数，这就意味着当温度升高时该差分基极-发射极电压ΔVbe也随之升高。独立于能带隙电压参考电压源的温度的参考电压通过缩放差分基极-发射极电压ΔVbe以及求其与第一个双载子晶体管的基极-发射极电压Vbe之和而得到调整。现在参阅图1以便理解Razavi，2001，McGraw-Hill，New York，NY，pp.377-38...
【技术保护点】
一种用于与绝对温度成比例（ＰＴＡＴ）的偏压电路的起始加速电路，其特征在于，包括：一第一导电型的ＭＯＳ晶体管，具有一连接到一第一电源电压的源极，一连接以接收一电源指示信号的栅极，及一漏极；一第二导电型的第一ＭＯＳ晶体管，具有一 连接以接收来自该ＰＴＡＴ偏压电路的ＰＴＡＴ偏压的漏极，一与该第一导电型的ＭＯＳ晶体管的漏极进行通信的栅极，及一连接一第二电源电压源的源极；以及一第二导电型的第二ＭＯＳ晶体管，其具有一与该第一导电型的ＭＯＳ晶体管的漏极及该第二导电型的 第一ＭＯＳ晶体管的栅极进行通信的漏极，一连接以接收来自该ＰＴＡＴ偏压电路的回...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许人寿，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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