温度稳定的参考电压电路制造技术

本发明专利技术涉及一种低电压能隙参考电路，其主要是以电流加总技术为基础，且由一电路产生具有正与负温度系数参考电压的低电压能隙参考电路；其中这些参考电压是连接至放大电路，并根据那些放大电路中的电阻器的比率产生具有大小相等、方向相反的温度系数的参考电压，以藉此制造一个温度独立的参考电压，来自这些放大电路中的每一电流是合并在一个总和电阻器之中合计，这电阻器的大小决定此温度独立的参考电压大小。

Temperature stable reference voltage circuit

The present invention relates to a low voltage bandgap reference circuit, which is mainly to the current total technology as the foundation, and a low voltage circuit with positive and negative temperature coefficient of the reference voltage bandgap reference circuit; wherein the reference voltage is connected to the amplifier circuit, reference voltage and temperature coefficient is equal to the size in the opposite direction according to the ratio of those resistors in amplifier circuit of manufacturing a temperature independent reference voltage to thereby, from each of these current amplifier circuit is a resistor in the sum total with the reference voltage size of this resistor is determined by the size of the temperature independent.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种温度稳定的参考电压电路，尤其涉及一种使用于低供应电压且小于1V的能隙参考电压电路。
技术介绍
参考电路从内存、模拟、混合模式到数字电路在很多应用范围中是必要的。对一个低电压参考的需求，尤其在移动电话电池里特别明显。低电压操作是制造过程技术进展的趋势。当电源电压是小于1.5V之下时，在常见的能隙参考电路里是很难稳定操作的。因此，稳定操作在低供应电源的新能隙参考电压技术需求是不可避免的。对于电源供应电压小于1.5V以下的能隙参考电路的讨论请参照如下H.Banba、H.Shiga、A.Umezawa、T.Miyaba、T.Tanzawa、S.Atsumi、及K.Sakui于1999年5月的固态电路的IEEE杂志第34期第5号第670-673页中可操作在1V以下的CMOS能隙参考电路，描述一BGA电路，在此Vref是从两个电流和之中被转换，其中一个与Vf成比例和另一个跟VT成比例，及J.Doyle、Y.J.Lee、Y.-B.Kim、H.Wilsch、及F.Lombardi于2004年1月的固态电路的IEEE杂志第39期第1号第252-255页中，具有1V电源供应电压的C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压能隙参考电路，其特征在于，包含：一参考电路，于一第一输出产生具有负温度系数的第一参考电压，于一第二输出产生具有正温度系数的第二参考电压；一第一放大电路，连接至该参考电路的第一输出，以产生对该第一参考电压成正比且与一 第一电阻器成倒数的电流；一第二放大电路，连接至该参考电路的第二输出，以产生对该第二参考电压成正比且与一第二电阻器成倒数的电流；及一加总电路，连接至该第一与第二放大电路，该加总电路是透过一第三电阻器计算该第一与第二放大电路中的 电流总和，以产生一温度独立的输出参考电压，其对该第三电阻器的大小成比例。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许人寿，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]