亲水性基材及亲水性基材的制作方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种形成有表面的凹凸性少、平滑性高的亲水性硅烷化合物层的亲水性基材及其制作方法。其解决手段为，在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有亲水性硅烷化合物层的亲水性基材。

【技术实现步骤摘要】
亲水性基材及亲水性基材的制作方法
本专利技术涉及在亲水化处理后的基材表面上形成有亲水性硅烷化合物层的亲水性基材及其制作方法。
技术介绍
为了制作用于捕捉血液和体液中的特定细胞(血球细胞、血液/体液中存在的癌细胞等)的器具，提出了用特殊的高分子涂布基材表面的技术。但是，在特殊的高分子中，有的难以通过涂布制作平滑的表面，由于表面的凹凸性影响特定细胞的捕捉性能，因此希望提供一种形成有癌细胞等特定细胞的捕捉性能等优异的凹凸性被控制的表面的基材(参照专利文献1等)。另外，由于通常在水溶液中进行特定细胞的捕捉，因此还希望提供具有在水溶液中的表面的凹凸性和平滑性被控制的表面的基材。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]JP特表2005-523981号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的课题]本专利技术的目的在于解决上述课题，提供形成有表面的凹凸性少、平滑性高的亲水性硅烷化合物层的亲水性基材及其制作方法。[解决课题的手段]本专利技术涉及在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种亲水性基材，其特征在于，在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有亲水性硅烷化合物层。/n

【技术特征摘要】
20191002 JP 2019-1823741.一种亲水性基材，其特征在于，在亲水化处理后的基材表面的至少一部分上形成有亲水性硅烷化合物层。


2.根据权利要求1所述的亲水性基材，其中，所述亲水化处理是碱溶液处理。


3.根据权利要求1所述的亲水性基材，其中，所述亲水化处理是选自紫外线照射处理、电子束照射处理、离子照射处理和等离子体处理中的至少一种。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层是用亲水性硅烷化合物溶液和/或亲水性硅烷化合物分散液形成的。


5.根据权利要求4所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层是在实施所述亲水化处理后，在3小时以内开始用所述亲水性硅烷化合物溶液和/或所述亲水性硅烷化合物分散液进行处理而形成的。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的亲水性基材，其中，所述亲水性硅烷化合物层是用下述式(I)所示的亲水性硅烷化合物形成的，



式中，R11表示1价烃基，R12和R13相同或不同，表示2价烃基，X11相同或不同，表示烷氧基，X12相同或不同，表示1价烃基或卤素，m表示1～50，n表示0～3。


7.根据权利要求6所述的亲水性基材，其中，所述式(I)所示的硅烷化合物是下述式(I-1)所示的化合物，
R21-O-(CpH2pO)m-(CH2)k-Si(X11)n(X12)3-n(I-1)
式中，R21表示甲基或乙基，X11相同或不同，表示烷氧基，X12相同或不同，表示1价烃基或卤素，p表示1～8，m表示1～50，n表示0～3，k表示1～20。

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【专利技术属性】
技术研发人员：皆川康久，泷井美都子，
申请(专利权)人：住友橡胶工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP