封装构造、半导体装置以及封装构造的形成方法制造方法及图纸

封装构造具备金属部件和树脂部件。上述金属部件具有朝向第一方向的一方的主面。上述树脂部件与上述主面的至少一部分相接配置。上述主面包括粗糙化区域。在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽，该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷，且表面比上述主面粗糙。上述多个第一线状槽分别沿与上述第一方向正交的第二方向延伸，且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上排列。上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装构造、半导体装置以及封装构造的形成方法
本公开涉及一种具备金属部件及树脂部件的封装构造、具备该封装构造的半导体装置以及封装构造的形成方法。
技术介绍
在专利文献1中记载了现有的半导体装置。专利文献1所记载的半导体装置具备引线框(金属部件)、半导体元件以及模制树脂(树脂部件)。半导体元件搭载于引线框。模制树脂覆盖引线框的一部分和半导体元件。模制树脂通过与引线框的接合支撑于该引线框。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006－310609号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在现有的半导体装置中，模制树脂为了防止引线框的局部的腐蚀、保护半导体元件而形成。因此，要求防止模制树脂剥离。本公开鉴于上述课题而作成，其目的在于提供一种能够抑制树脂部件从金属部件剥离的封装构造。目的还在于提供具备该封装构造的半导体装置及封装构造的形成方法。用于解决课题的方案由本公开的第一方面提供的封装构造具备：金属部件，其具有朝向第一方向的一方的主面；以及树脂部件，其与上述主面的至少一部分相接配置，上述主面包括粗糙化区域，在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽，该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷，且表面比上述主面粗糙，上述多个第一线状槽分别沿与上述第一方向正交的第二方向延伸，且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上排列，上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个。在上述封装构造的优选的实施方式中，沿上述第一方向观察，上述多个第一线状槽的每一个从上述粗糙化区域的上述第二方向的一方的端缘到另一方的端缘不间断地相连。在上述封装构造的优选的实施方式中，沿上述第一方向观察，上述多个第一线状槽的每一个为沿上述第二方向延伸的直线状。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述主面在上述粗糙化区域中具备被在上述第三方向上相邻的两个第一线状槽夹着的隆起部，沿上述第一方向观察，上述隆起部从上述粗糙化区域的上述第二方向的一方的端缘到另一方的端缘不间断地相连。在上述封装构造的优选的实施方式中，在上述粗糙化区域还形成有多个第二线状槽，该多个第二线状槽的每一个的表面比上述主面粗糙，上述多个第二线状槽分别沿上述第三方向延伸，且在上述第二方向上排列，沿上述第一方向观察，上述多个第一线状槽每一个和上述多个第二线状槽的每一个交叉。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述粗糙化区域包括交叉底面和非交叉底面，沿上述第一方向观察，上述交叉底面与上述第一线状槽及上述第二线状槽双方重叠，沿上述第一方向观察，上述非交叉底面仅与上述第一线状槽及上述第二线状槽的任一方重叠，上述交叉底面比上述非交叉底面在上述第一方向上从上述主面分离得更远。在上述封装构造的优选的实施方式中，沿上述第一方向观察，上述多个第二线状槽的每一个为直线状。在上述封装构造的优选的实施方式中，相邻的两个上述第一线状槽的间隔和相邻的两个上述第二线状槽的间隔大致相同。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述多个第一线状槽的每一个中，与上述第二方向正交的截面中的端缘弯曲。在上述封装构造的优选的实施方式中，在各上述第一线状槽的表面形成有比在上述粗糙化区域中由上述多个第一线状槽形成的凹凸微小的凹凸。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述多个第一线状槽的表层是由上述金属部件的原料的氧化物构成的氧化物层。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述多个第一线状槽以预定的间距尺寸排列。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述第一线状槽的宽度为10～200μm。在上述封装构造的优选的实施方式中，上述第一线状槽的深度相对于上述第一线状槽的宽度的比例为0.2～1.2。由本公开的第二方面提供的半导体装置具备由上述第一方面提供的封装构造，该半导体装置具备：第一开关元件；以及分别与上述第一开关元件导通的第一端子及第二端子，上述树脂部件覆盖上述第一开关元件、上述第一端子的一部分以及上述第二端子的一部分，上述粗糙化区域设于上述第一端子。在上述半导体装置的优选的实施方式中，上述第一端子包括被上述树脂部件覆盖的第一焊盘部和从上述树脂部件露出的第一端子部，上述粗糙化区域形成于上述第一焊盘部中的与上述第一端子部相连的侧的端缘部分。在上述半导体装置的优选的实施方式中，上述粗糙化区域还设于上述第二端子。在上述半导体装置的优选的实施方式中，上述第二端子包括被上述树脂部件覆盖的第二焊盘部和从上述树脂部件露出的第二端子部，上述粗糙化区域形成于上述第二焊盘部中的与上述第二端子部相连的侧的端缘部分。在上述半导体装置的优选的实施方式中，还具备：绝缘基板，其具有朝向上述第一方向的上述一方的基板主面；以及第一导电部件，其配置于上述基板主面，且导通接合有上述第一开关元件，上述第一端子与上述第一导电部件导通接合。在上述半导体装置的优选的实施方式中，上述粗糙化区域设于上述第一导电部件的接合有上述第一开关元件的侧的面的至少一部分。在上述半导体装置的优选的实施方式中，还具备：第二导电部件，其配置于上述基板主面，且与上述第一导电部件分离；第二开关元件，其与上述第二导电部件导通接合，且与上述第一开关元件不同；以及第三端子，其与上述第二导电部件导通接合，上述第三端子包括被上述树脂部件覆盖的第三焊盘部及从上述树脂部件露出的第三端子部，上述第二开关元件与上述第一导电部件导通。在上述半导体装置的优选的实施方式中，上述粗糙化区域设于上述第二导电部件的接合有上述第二开关元件的侧的面的至少一部分。在上述半导体装置的优选的实施方式中，还具备在上述第一方向上夹在上述第二端子部与上述第三端子部之间的绝缘部件，上述绝缘部件的一部分仅在上述第一方向上与上述第二端子部及上述第三端子部重叠。由本公开的第三方面提供的封装构造的形成方法包括如下工序：准备具有朝向第一方向的一方的主面的金属部件的工序；粗糙化处理工序，对上述主面的至少一部分进行粗糙化处理，形成粗糙化区域；以及树脂部件形成工序，以至少与上述粗糙化区域相接的方式形成树脂部件，在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽，该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷，且表面比上述主面粗糙，上述多个第一线状槽的每一个沿与上述第一方向正交的第二方向延伸，且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上排列，上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个。在上述封装构造的形成方法的优选的实施方式中，在上述粗糙化处理工序中，通过对上述金属部件照射激光光束形成上述多个第一线状槽。专利技术效果根据本公开的封装构造，能够抑制树脂部件从金属部件剥离。另外，根据本公开的半导体装置，能够抑制树脂部件从金属部件剥离，抑制半导体元件暴露于外部空气。而且，根据本公开的封装构造的形成方法，能够提供上述封装构造。附图说明图1是表示第一实施方式的封装构造的俯视图。图2是沿着图1的II－II线的剖视图。图3是放大了图1的区域III的局部放大俯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装构造，其特征在于，具备：/n金属部件，其具有朝向第一方向的一方的主面；以及/n树脂部件，其与上述主面的至少一部分相接配置，/n上述主面包括粗糙化区域，/n在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽，该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷，且表面比上述主面粗糙，/n上述多个第一线状槽分别沿与上述第一方向正交的第二方向延伸，且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上排列，/n上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180829 JP 2018-1603701.一种封装构造，其特征在于，具备：
金属部件，其具有朝向第一方向的一方的主面；以及
树脂部件，其与上述主面的至少一部分相接配置，
上述主面包括粗糙化区域，
在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽，该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷，且表面比上述主面粗糙，
上述多个第一线状槽分别沿与上述第一方向正交的第二方向延伸，且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上排列，
上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个。


2.根据权利要求1所述的封装构造，其特征在于，
沿上述第一方向观察，上述多个第一线状槽的每一个从上述粗糙化区域的上述第二方向的一方的端缘到另一方的端缘不间断地相连。


3.根据权利要求2所述的封装构造，其特征在于，
沿上述第一方向观察，上述多个第一线状槽的每一个为沿上述第二方向延伸的直线状。


4.根据权利要求3所述的封装构造，其特征在于，
上述主面在上述粗糙化区域中具备被在上述第三方向上相邻的两个第一线状槽夹着的隆起部，
沿上述第一方向观察，上述隆起部从上述粗糙化区域的上述第二方向的一方的端缘到另一方的端缘不间断地相连。


5.根据权利要求3所述的封装构造，其特征在于，
在上述粗糙化区域还形成有多个第二线状槽，该多个第二线状槽的每一个的表面比上述主面粗糙，
上述多个第二线状槽分别沿上述第三方向延伸，且在上述第二方向上排列，
沿上述第一方向观察，上述多个第一线状槽每一个和上述多个第二线状槽的每一个交叉。


6.根据权利要求5所述的封装构造，其特征在于，
上述粗糙化区域包括交叉底面和非交叉底面，
沿上述第一方向观察，上述交叉底面与上述第一线状槽及上述第二线状槽双方重叠，
沿上述第一方向观察，上述非交叉底面仅与上述第一线状槽及上述第二线状槽的任一方重叠，
上述交叉底面比上述非交叉底面在上述第一方向上从上述主面分离得更远。


7.根据权利要求5或6所述的封装构造，其特征在于，
沿上述第一方向观察，上述多个第二线状槽的每一个为直线状。


8.根据权利要求7所述的封装构造，其特征在于，
相邻的两个上述第一线状槽的间隔和相邻的两个上述第二线状槽的间隔大致相同。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的封装构造，其特征在于，
上述多个第一线状槽的每一个中，与上述第二方向正交的截面中的端缘弯曲。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的封装构造，其特征在于，
在各上述第一线状槽的表面形成有比在上述粗糙化区域中由上述多个第一线状槽形成的凹凸微小的凹凸。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的封装构造，其特征在于，
上述多个第一线状槽的表层是由上述金属部件的原料的氧化物构成的氧化物层。


12.根据权利要求1～11中任一项所述的封装构造，其特征在于，
上述多个第一线状槽以预定的间距尺寸排列。


13.根据权利要求1～12中任一项所述的封装构造，其特征在于，
上述第一线状槽的宽度为10～200μm。


14.根据权利要求1～13中任一项所述的封装构造，其特征在于，
上述第一线状...

【专利技术属性】
技术研发人员：富士和则，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP