发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列技术

本发明专利技术提供一种发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列，剥离方法包括：提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；提供辅助基板；涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列
本专利技术涉及LED
，特别涉及一种发光二极管衬底的剥离方法。
技术介绍
随着技术的发展与进步，MicroLED已经展现出了超越OLED的许多优势。例如，MicroLED的LED晶粒更小、寿命更长，并且，MicroLED在模组厚度、功耗、亮度、屏幕响应时间、解析度、显示效果等方面都远超OLED。因此，MicroLED是一项极具竞争力的技术。近年来，GaN基LED凭借直接带隙、优良的光电特性，在薄膜制备、晶体生长等光电器件制备方面取得了多项重大技术突破。然而，直接生长厚层GaN基底比较困难，所以目前大多以价格低廉的蓝宝石衬底作为异质衬底，在蓝宝石衬底上形成GaN外延层、LED器件。但是，蓝宝石衬底与GaN材料的晶格失配较大，造成GaN外延层中存在高密度的线位错，降低了GaN材料的质量。此外，蓝宝石衬底的导电及导热性能较差，影响了GaN基LED器件的电学和光学性能。为了获得高质量的LED器件，人们往往采用激光剥离的方式去掉蓝宝石衬底的方法来解决上述的不利影响。由于激光照射时会在剥离界面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管衬底的剥离方法，其特征在于，所述剥离方法包括：/n提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；/n提供辅助基板；/n涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；/n于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及/n激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管衬底的剥离方法，其特征在于，所述剥离方法包括：
提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；
提供辅助基板；
涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；
于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及
激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离。


2.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，键合所述衬底和所述辅助基板后，所述键合胶粘合所述牺牲层的表面和所述辅助基板的表面形成所述密闭空间，所述多个发光二极管器件位于所述密闭空间内。


3.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，激光照射所述键合胶，所述键合胶从所述辅助基板的表面上移除。


4.根据权利要求1所述的剥离方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦冬，李庆，于波，赵柯，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32