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本发明提供一种发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列，剥离方法包括：提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；提供辅助基板；涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助...
该专利属于苏州芯聚半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州芯聚半导体有限公司授权不得商用。

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