【技术实现步骤摘要】
垂直非易失性存储器件
实施方式涉及垂直非易失性存储器件。
技术介绍
非易失性存储器件即使在不给其供电时也保持所存储的数据。为了提高非易失性存储器件的集成度，单元晶体管可以在垂直方向上堆叠。
技术实现思路
实施方式针对一种垂直非易失性存储器件，其包括：堆叠体，其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，堆叠体在栅极图案中和在层间绝缘图案中具有在堆叠方向上延伸的贯通孔；半导体柱，其在贯通孔中并在堆叠方向上延伸；数据存储结构，其在栅极图案与贯通孔中的半导体柱之间，数据存储结构包括电荷存储层；以及虚设电荷存储层，其在贯通孔中在层间绝缘图案的侧壁上朝向半导体柱。实施方式还针对一种垂直非易失性存储器件，其包括：堆叠体，其包括在堆叠方向上交替地堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，堆叠体具有在栅极图案和层间绝缘图案中在堆叠方向上延伸的贯通孔，堆叠体包括凹陷孔，凹陷孔与贯通孔连通并在朝向栅极图案的方向上从层间绝缘图案的侧壁凹入；数据存储结构，其包括在凹陷孔中与栅极图案接触的阻挡绝缘层、在凹陷孔中与阻挡绝缘层接触的电荷...
【技术保护点】
1.一种垂直非易失性存储器件，包括：/n堆叠体，其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，所述堆叠体在所述栅极图案中和在所述层间绝缘图案中具有在所述堆叠方向上延伸的贯通孔；/n半导体柱，其在所述贯通孔中并且在所述堆叠方向上延伸；/n数据存储结构，其在所述栅极图案与所述贯通孔中的所述半导体柱之间，所述数据存储结构包括电荷存储层；以及/n虚设电荷存储层，其在所述贯通孔中在所述层间绝缘图案的侧壁上朝向所述半导体柱。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190927 KR 10-2019-01198211.一种垂直非易失性存储器件，包括：
堆叠体，其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，所述堆叠体在所述栅极图案中和在所述层间绝缘图案中具有在所述堆叠方向上延伸的贯通孔；
半导体柱，其在所述贯通孔中并且在所述堆叠方向上延伸；
数据存储结构，其在所述栅极图案与所述贯通孔中的所述半导体柱之间，所述数据存储结构包括电荷存储层；以及
虚设电荷存储层，其在所述贯通孔中在所述层间绝缘图案的侧壁上朝向所述半导体柱。
2.如权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中所述电荷存储层和所述虚设电荷存储层具有不连续结构，在该不连续结构中所述电荷存储层和所述虚设电荷存储层不在所述贯通孔中沿所述堆叠方向连续地延伸。
3.如权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，还包括在所述贯通孔中与所述电荷存储层接触的隔离绝缘层，其中所述电荷存储层通过所述隔离绝缘层与所述虚设电荷存储层分离。
4.如权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中所述电荷存储层在所述栅极图案的侧壁的部分上，并且所述虚设电荷存储层在所述层间绝缘图案的侧壁的部分上。
5.如权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中所述数据存储结构包括在朝向所述栅极图案的方向上在所述半导体柱上依次形成的隧道绝缘层、所述电荷存储层和阻挡绝缘层。
6.如权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中所述阻挡绝缘层包括单个绝缘层或多个绝缘层。
7.如权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中所述阻挡绝缘层在所述栅极图案的侧壁的整体或部分上。
8.如权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中所述阻挡绝缘层具有不连续结构，在该不连续结构中所述阻挡绝缘层不在所述贯通孔中沿所述堆叠方向连续地延伸。
9.如权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中所述隧道绝缘层具有连续结构，在该连续结构中所述隧道绝缘层在所述贯通孔中沿所述堆叠方向延伸。
10.如权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中所述电荷存储层和所述虚设电荷存储层在所述贯通孔中在沿所述堆叠方向的不同的线上。
11.一种垂直非易失性存储器件，包括：
堆叠体，其包括在堆叠方向上交替地堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，所述堆叠体具有在所述栅极图案和所述层间绝缘图案中在所述堆叠方向上延伸的贯通孔，所述堆叠体包括凹陷孔，所述凹陷孔与所述贯通孔连通并且在朝向所述栅极图案的方向上从所述层间绝缘图案的侧壁凹入；
数据存储结构，其包括在所述凹陷孔中与所述栅极图案接触的阻挡绝缘层、在所述凹陷孔中与所述阻挡绝缘层接触的电荷存储层、以及与所述电荷存储层接触并且在所述贯通孔中在所述堆叠方向上延伸的隧道绝缘层；
半导体柱，其与所述数据存储结构接触并且在所述贯通孔和所述凹陷孔中在所述堆叠方向上延伸；以及
技术研发人员：孙荣晥，李普英，李昇原，李承桓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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