电子部件制造技术

本发明专利技术提供具备可视性高、并且剥离得到抑制的标记物的电子部件。上述电子部件具备在内部具备导体的单元体、配置于单元体的表面的绝缘膜和至少一个标记物、配置于单元体或者绝缘膜上的外部电极，标记物在电子部件的表面露出，在将配置有标记物的单元体的表面的标记物的最大高度设为M

【技术实现步骤摘要】
电子部件
本专利技术涉及电子部件。
技术介绍
以往出于识别位置和/或方向等目的，在线圈部件等的电子部件上设置标记物。专利文献1中公开了一种层叠电感器，其特征在于，通过在层叠许多片材层进行烧制而得到的长方体形状的芯片内具有螺旋状的线圈导体，在构成芯片的上面侧片材层的内侧和下面侧片材层的内侧分别具有用于显示线圈导体的引出部的位置的标记物层，各标记物层形成具备与芯片相同的宽度的矩形状，各标记物层的芯片侧面侧的2个边在芯片的2个侧面露出，且芯片端面侧的一个边从芯片的端面离开规定距离地位于内侧。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005－166745号公报
技术实现思路
要求电子部件的标记物具有更高的可视性。另外，希望在电子部件的制造工序、作为完成品的电子部件的搬运工序和电子部件的安装工序中，标记物不易剥离。因此，本专利技术的目的在于提供具备可视性高、且剥离得到抑制的标记物的电子部件。本专利技术人等反复研究，结果发现通过控制电子部件中配置标记物的位置和标记物的厚度，标记物的可视性提高，并且标记物的剥离得到抑制，从而完成了本专利技术。根据本专利技术的一个要旨，提供一种电子部件，具备：在内部具备导体的单元体(素体)、在单元体的表面配置的绝缘膜和至少一个标记物、以及在单元体或者绝缘膜上配置的外部电极，标记物在电子部件的表面露出，在将配置有标记物的单元体的表面的标记物的最大高度设为Mmax、将绝缘膜的最大高度设为Imax时，Mmax和Imax满足下述式：Mmax≤Imax。根据本专利技术的电子部件，能够提高标记物的可视性，并且能够抑制标记物的剥离。附图说明图1是示意性表示本专利技术的第1实施方式的电子部件的标记物的局部剖视图。图2是示意性表示标记物的最大高度和绝缘膜的最大高度的局部剖视图。图3是示意性表示本专利技术的第2实施方式的电子部件的标记物的局部剖视图。图4是示意性表示以往的标记物的局部剖视图。图5是本专利技术的电子部件的剖面的光学显微镜图像。符号说明10单元体11金属磁性粉12树脂20绝缘膜21绝缘性材料30标记物具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式的电子部件进行详细说明。但是，以下所示的实施方式以例示为目的，本专利技术不限于以下的实施方式。本说明书中提及的各种数值范围旨在包括下限和上限数值本身。附以“以上”和“以下”的用语的情况当然包括数值本身，即便没有附以“以上”和“以下”的情况，只要没有特别说明，也包括数值本身。例如以1～10的数值范围为例，解释为包含下限值的“1”和上限值的“10”。[第1实施方式]本专利技术的第1实施方式的电子部件具备在内部具备导体的单元体、配置于单元体的表面的绝缘膜和至少一个标记物、配置于单元体或者绝缘膜上的外部电极。图1是示意性表示标记物的形状和配置的局部剖视图。如图1所示，绝缘膜20和至少一个标记物30配置于单元体10的表面。以下，主要以电子部件为电感器等的线圈部件的情况为例进行说明，本实施方式的电子部件不限于线圈部件，本专利技术可以应用于各种电子部件。标记物30在电子部件的表面露出。在将配置有标记物30的单元体10的表面的标记物30的最大高度设为Mmax、将绝缘膜20的最大高度设为Imax时，Mmax和Imax满足下述式。Mmax≤Imax这里，单元体10的表面的标记物30的最大高度Mmax是指在剖面图(与配置有标记物30的单元体10表面垂直的方向的剖面图)中标记物30距单元体10表面的高度为最大的位置的标记物30的高度。同样，单元体10的表面的绝缘膜20的最大高度Imax是指在剖面图中绝缘膜20距单元体10表面的高度为最大的位置的绝缘膜20的高度。更具体而言，如图2所示，标记物30的最大高度Mmax是指在配置有标记物30的单元体10的表面，标记物30的表面距该表面的高度(距离)为最大的位置的高度(以符号(a)表示)。同样，绝缘膜20的最大高度Imax是指在配置有绝缘膜20的单元体10的表面，绝缘膜20的表面距该表面的高度(距离)为最大的位置的高度(以符号(b)表示)。标记物30的最大高度Mmax和绝缘膜20的最大高度Imax可以按以下说明的方法进行测定。首先，将电子部件切断，形成剖面。通过离子铣削对该剖面进行加工。用扫描式电子显微镜(SEM)对加工后的剖面进行观察。SEM的放大倍率优选设定为500倍～5000倍左右。在得到的SEM图像中，可以分别测量标记物30的最大高度Mmax和绝缘膜20的最大高度Imax而求出Mmax和Imax的值。本实施方式的电子部件中，标记物30在电子部件的表面露出。因为标记物30从绝缘膜20露出，所以在电子部件的表面容易识别标记物30，标记物30的可视性优异。标记物30的识别例如可以通过照相机和/或传感器进行。另外，本实施方式的电子部件中，标记物30的最大高度Mmax为绝缘膜20的最大高度Imax以下。例如，图1所示的构成中，标记物30的最大高度Mmax与绝缘膜20的最大高度Imax相同，图2所示的构成中，标记物30的最大高度Mmax小于绝缘膜20的最大高度Imax。这样，标记物30的最大高度Mmax与绝缘膜20的最大高度Imax相同或者小于Imax时，标记物30不易受到来自外部的冲击和/或滑动，因此相对于来自外部的冲击和/或滑动的强度提高，其结果，标记物30的剥离被抑制。与此相对，如图4所示，标记物30的最大高度大于绝缘膜20的最大高度时(即，标记物30从绝缘膜20的表面突出时)，因为标记物30直接暴露于来自外部的冲击和/或滑动，所以与图1和图2的构成比较，存在标记物30容易剥离的趋势。图5中示出本实施方式的电子部件的剖面的光学显微镜图像。如图5所示，标记物30(白色部分)在电子部件的表面露出，标记物30的最大高度Mmax为绝缘膜20的最大高度Imax以下。以下，对构成本实施方式的电子部件的各要素进行更详细的说明。(单元体10)单元体10例如可以为大致长方体形状。本说明书中，“长方体”包括立方体，“大致长方体”也包括角部和棱线部中的至少一位置具有圆度的长方体。单元体10为大致长方体形状时，单元体10的外形尺寸例如可以是长度(L)为1.1mm～1.6mm，宽度(W)为0.6mm～1.4mm，厚度(T)为0.5mm～0.8mm。(金属磁性粉11)单元体10优选含有金属磁性粉11。单元体10含有金属磁性粉11时，可以利用后述的手法在单元体表面选择性地形成绝缘膜20。金属磁性粉11中含有的金属磁性材料例如可以为结晶质或者非晶质的Fe(纯铁)、Fe合金(Fe－Si合金、Fe－Si－Cr合金、Fe－Si－Al合金和Fe－Al合金等)。金属磁性粉11的平均粒径没有特别限定，例如可以为1μm～50μm。如图1～图3所示，单元体10可以含有平均粒径不同的2种以上的金属磁性粉11，但单元体10可以仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子部件，具备：在内部具备导体的单元体、在该单元体的表面配置的绝缘膜和至少一个标记物、以及在所述单元体或者所述绝缘膜上配置的外部电极，/n所述标记物在所述电子部件的表面露出，/n在将配置有所述标记物的所述单元体的表面的所述标记物的最大高度设为M

【技术特征摘要】
20190930 JP 2019-1799551.一种电子部件，具备：在内部具备导体的单元体、在该单元体的表面配置的绝缘膜和至少一个标记物、以及在所述单元体或者所述绝缘膜上配置的外部电极，
所述标记物在所述电子部件的表面露出，
在将配置有所述标记物的所述单元体的表面的所述标记物的最大高度设为Mmax、将所述绝缘膜的最大高度设为Imax时，Mmax和Imax满足下述式：
Mmax≤Imax。


2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述标记物与所述单元体接触。


3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，所述标记物的外边缘部的至少一部分被所述绝缘膜覆盖。


4.根据权利要求1～3中任1项所述的电子部件，其中，所述标记物的至少一部分埋在所述单元体中。


5.根据权利要求1～4中任1项所述的电子部件，其中，所述单元体含有金属磁性粉。


6.根据权利要求5所述的电子部件，其中，存在于所述单元体的表面附近的所述金属磁性粉的平均粒径小于存在于所述单元体的中心部的所述金属磁性粉的平均粒径。


7.根据权利要求5或6所述的电子部件，其中，所述单元体进一步含有树脂。


8.根据权利要求1～7中任1项所述的电子部件，其中，所述标记物为绝缘性。


9.根据权利要求8所述的电子部件，其中，所述标记物含有无机填料，所述无机填料含有选自硼硅酸玻璃、TiO2、SiO2、ZnO、ZrO2以及Al2O3中的1种以上的材料。


10.根据权利要求9所述的电子部件，其中，所述标记物含有无机填料，所述无机填料含有10重量％以上且小于30重量％的硼硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：仪武穗，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP