组合的金属粉末磁芯及所构成的电感装置制造方法及图纸

技术编号:25955139 阅读:22 留言:0更新日期:2020-10-17 03:47
组合的金属粉末磁芯及所构成的电感装置,包括上、下磁轭和布置在上、下磁轭之间的芯柱;其特征在于,上、下磁轭分别呈C型,上、下磁轭的两端部分别与两个芯柱对接组成磁回路,在它们之间的对接位置布置有气隙,气隙中央区域的间距小于周边位置的间距;与现有技术对比,由于磁轭呈C型,为此能够大大减少磁轭肩部位置的漏磁从而减少磁损;其次,由于让气隙周边位置的间距加大,让气隙的中央区域的磁阻远小于周边位置的磁阻从而让磁场向中央区域靠拢而减少漏磁,进而减少漏磁对周边铜线造成涡流。

【技术实现步骤摘要】
组合的金属粉末磁芯及所构成的电感装置
本专利技术涉及组合的金属粉末磁芯及所构成的电感装置。
技术介绍
申请号为201880024695.3,名称为“电抗器”的专利技术专利,提出了两个问题的解决方案,第一个问题是将芯块3A、3B设置为由包含磁性粉末和树脂的复合材料的成形体形成,复合材料的成形体由于在磁性粉末的粉末粒子间夹设有树脂,因此能够降低相对磁导率,因此,在构成磁芯3的芯块3A、3B为复合材料的成形体的情况下,不需要在磁芯3(例如芯块3A、3B间)设置用于调整电抗器1的电感的间隔,或者即使假设设置间隔,间隔也可以较小。由此,在磁芯3(内侧芯部31)难以产生漏磁通,能够减小卷绕部2c的内周面与内侧芯部31的外周面之间的间隙34。也就是说通过改善复合材料的成形体的材料特性让磁芯之间间隙可以很小或没有从而改善漏磁通问题;第二个问题是,披露了将其内侧芯部31的角部313也予以倒角的结构。通过内侧芯部31的角部313被倒角而角部313处的间隙34增大,容易确保树脂的流路(流路截面积),内侧树脂部41的形成变得容易。内侧芯部31的角部313使磁通难以流动,难以作为有效磁路发挥作用,因此对有效磁路的影响比较小。因此,通过内侧芯部31的角部313被倒角,能够确保树脂的流路并有效地抑制有效磁路截面积的减少。也就是说通过角部313被倒角来改善磁芯本体的磁路路径上的磁通难以流动,实际就是沿磁芯本体延伸的从上到下的磁路方向上设置倒角从而让漏磁通难以形成。对于车载升压电感、光伏逆变器电感、充电桩PFC电感等运行于大电流、大功率、高功率密度的应用场合,这些电感客观上要求具有极高的电感电流乘积系数L*I,以防止大电流工作条件下,电感量的急剧下降带来的问题。为了实现这类的功率电感的设计,组成这类电感的磁芯材料一般均采用上述现有技术已经披露的方案及采用磁导率比较低(μr:20~200)的金属压粉磁芯设计而成;但是为了提高其大电流的运用能力,必须在磁芯的拼接处有意引入一定毫米数的非导磁空间作为磁芯气隙。但所谓的非导磁空间内的物质例如空气等,并非完全阻断磁芯气隙中磁场,这些物质由于其相对导磁率ur接近真空的相对导磁率为1,相对于组合磁芯的较低导磁率的情况下,这些所谓的被视为非导磁性的物质甚至是真空的空间,虽然磁阻较大但依然成为重要的磁通分流的能力,这种现象常常被解释成漏磁。在高频大电流激励下,这些磁芯气隙处的非导磁性物质或空间内流通的交变磁通,很大一部分漏磁磁通会直接穿透周边的绕组线圈的铜线表面,由于线圈绕组的大电流应用,绕组铜线形状粗大,在线圈上会形成严重的涡流损耗。
技术实现思路
为了显著改善因大电流、高功率密度的应用场合导致增大气隙,进而导致气隙周边大量的漏磁通穿透铜导线表面形成的涡流的影响,本专利技术首先提出一种通过修改磁芯磁路拼接处的磁芯形状的解决方案,组合的金属粉末磁芯,包括上、下磁轭和布置在所述上、下磁轭之间的芯柱;其特征在于,所述上、下磁轭分别呈C型,所述上、下磁轭的两端部分别与两个所述芯柱对接组成磁回路,在它们之间的对接位置布置有气隙,所述气隙中央区域的间距小于周边位置的间距。其中,所述磁轭呈C型,实际上定义了所述磁轭的两边肩倒角让所述磁轭从整体上看呈C型。所述磁轭肩部被倒角,能够大大减少该部位出现的漏磁从而不仅减少磁损,更重要的是在大功率运行时不会让漏磁大量地对周围的其它含有磁筹的零件例如铁件、铜线造成严重的涡流损害。其中,所述气隙中央区域的间距小于周边位置的间距,实际上就是让所述气隙周边位置的间距加大,让所述气隙的中央区域的磁阻远小于周边位置的磁阻从而让磁场向中央区域靠拢而减少漏磁,进而减少漏磁对周边铜线造成涡流;其中所述气隙中央区域与所述周边位置之间平滑过渡衔接。为了实现该结构,有多种方法可以实现,例如至少在所述上、下磁轭或所述芯柱一侧的转角角位布置为倒角。在所述气隙处的转角角位布置为倒角,定义了形成所述气隙的磁芯表面被设置为倒角结构。所述倒角结构,既可以倒圆角也可以倒斜角结构。其次,所述倒角结构,显然不是因制造工艺的需要而通常存在的工艺倒角,也不是通常所说的去毛刺倒圆,而是比工艺倒角或去毛刺倒圆的角度要大许多的倒圆。在产品制造中这种通常的工艺倒角或去毛刺倒圆的半径不会大于0.5毫米。根据上述结构,与现有技术对比,由于所述磁轭呈C型,为此能够大大减少所述磁轭肩部位置的漏磁从而减少磁损;其次,由于让所述气隙周边位置的间距加大,让所述气隙的中央区域的磁阻远小于周边位置的磁阻从而让磁场向中央区域靠拢而减少漏磁,进而减少漏磁对周边铜线造成涡流。进一步的技术方案还可以是,所述倒角是圆角,所述圆角的半径大于所述气隙中央区域的间距。进一步的技术方案还可以是,所述倒角是45°斜角,所述斜角的直边长度大于所述气隙中央区域的间距。进一步的技术方案还可以是,所述上、下磁轭为整体成型的磁芯,而所述芯柱由多块块状磁块拼接而成。这样可以进一步提高对高磁场强度的适用能力。进一步的技术方案还可以是,垂直于磁芯平面的立体中央区域的间距方向,形成向所述气隙处靠近的磁芯横截面逐步变小的锥形磁芯。本专利技术还提供一种应用权利要求1到4任一所述组合的金属粉末磁芯的电感装置,其特征在于,包括二个线圈绕组及权利要求1到4任一所述的组合的金属粉末磁芯,1个所述芯柱插入到1个所述线圈绕组中,所述上、下磁轭的两端也部分地插入到所述线圈绕组所界定的中央空间中从而让所述气隙也被包围在所述线圈绕组中。进一步的技术方案还可以是,所述芯柱由2段上下布置的子柱体构成。进一步的技术方案还可以是,还包括外固定架,所述组合的金属粉末磁芯及所述线圈绕组被压紧在所述外固定架中。由于本专利技术具有上述特点和优点,为此可以应用到组合的金属粉末磁芯及电感装置中。所述电感装置包括大电流的变压器、适配器、电抗、充电桩PFC电感等。附图说明图1是应用本专利技术技术方案的电感装置的示意图。具体实施方式下面结合附图对应用本专利技术技术方案的组合的金属粉末磁芯及电感装置的结构做进一步的具体说明。如图1所示,电感装置100,包括组合的金属粉末磁芯和线圈绕组(21、22)。本专利技术首先提出一种通过修改磁芯磁路拼接处的磁芯形状的解决方案,设置组合的金属粉末磁芯,所述组合的金属粉末磁芯包括上、下磁轭(11、12)和布置在所述上、下磁轭(11、12)之间的芯柱(13、14)。所述上、下磁轭(11、12)分别呈C型。其中,所述磁轭呈C型,实际上定义了所述磁轭的两边肩部具有倒角R2,该倒角R2最好是大的倒圆结构,让所述磁轭从整体上看呈C型。所述磁轭肩部被倒角,能够大大减少该部位出现的漏磁从而不仅减少磁损,更重要的是在大功率运行时不会让漏磁大量地对周围的其它含有磁筹的零件例如铁件、铜线造成严重的涡流损害。其次,所述上、下磁轭(11、12)的两端部分别与两个所述芯柱(13、14)对接组成磁回路,在它们之间的对接位置布置有气隙3,所述气隙3的中央区域a的间距h1远小于周边位置b的间距h2;其中所述气隙中央区域a与所述周边位置b之间本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.组合的金属粉末磁芯,包括上、下磁轭和布置在所述上、下磁轭之间的芯柱;其特征在于,所述上、下磁轭分别呈C型,所述上、下磁轭的两端部分别与两个所述芯柱对接组成磁回路,在它们之间的对接位置布置有气隙,所述气隙中央区域的间距小于周边位置的间距。/n

【技术特征摘要】
1.组合的金属粉末磁芯,包括上、下磁轭和布置在所述上、下磁轭之间的芯柱;其特征在于,所述上、下磁轭分别呈C型,所述上、下磁轭的两端部分别与两个所述芯柱对接组成磁回路,在它们之间的对接位置布置有气隙,所述气隙中央区域的间距小于周边位置的间距。


2.根据权利要求1所述的组合的金属粉末磁芯,其特征在于,至少在所述上、下磁轭或所述芯柱一侧的转角角位布置为倒角。


3.根据权利要求2所述的组合的金属粉末磁芯,其特征在于,所述倒角是圆角,所述圆角的半径大于所述气隙中央区域的间距。


4.根据权利要求2所述的组合的金属粉末磁芯,其特征在于,所述倒角是45°斜角,所述斜角的直边长度大于所述气隙中央区域的间距。


5.根据权利要求1、2、3或4所述的组合的金属粉末磁芯,其特征在于,所述上、下磁轭为整体成型...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖俊承王一龙邵革良
申请(专利权)人:广东伊戈尔智能电器有限公司佛山市顺德区伊戈尔电力科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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