【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
[0001]本公开内容涉及三维(3D)存储器器件及其制造方法。
技术介绍
[0002]通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺来将平面存储器单元按比例缩小到较小的尺寸。然而，当存储器单元的特征尺寸接近下限时，平面工艺和制造技术变得越来越有挑战性且造价昂贵。作为结果，平面存储器单元的存储器密度接近上限。
[0003]3D存储器架构可以处理在平面存储器单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制往返存储器阵列的信号的外围设备。
技术实现思路
[0004]在本公开内容中公开了3D存储器器件和用于形成其的方法的实施方式。
[0005]在一个示例中，公开了用于形成3D存储器器件的方法。在衬底之上形成穿过电介质叠层垂直地延伸的第一开口。电介质叠层包括电介质层和与电介质层交错的牺牲层。移除牺牲层的面向开口的部分以形成多个第一凹槽。沿着多个第一凹槽的侧壁形成多个停止结构。在多个第一凹槽中的多个停止结构之上形成多个存储结构。从与多个...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：在衬底之上形成穿过电介质叠层垂直地延伸的第一开口，所述电介质叠层包括电介质层和与所述电介质层交错的牺牲层；移除所述牺牲层的面向所述开口的部分，以形成多个第一凹槽；沿着所述多个第一凹槽的侧壁形成多个停止结构；在所述多个第一凹槽中的所述多个停止结构之上形成多个存储结构；从与所述多个第一凹槽相对的多个第二凹槽移除所述多个牺牲层，以暴露所述多个停止结构；移除所述多个停止结构，以暴露所述多个存储结构；以及在所述多个第二凹槽中的所述多个存储结构之上形成多个阻挡结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个停止结构包括：使外延层从所述牺牲层的面向所述第一凹槽的所述侧壁生长。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个停止结构包括：氧化所述牺牲层的面向所述第一凹槽的所述侧壁的部分。4.根据权利要求1
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3中的任一项所述的方法，还包括：在移除所述多个牺牲层之前，在所述第一开口中的所述存储结构之上顺序地形成隧穿层和半导体沟道。5.根据权利要求1
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4中的任一项所述的方法，还包括：在移除所述多个牺牲层之前，形成穿过所述电介质叠层垂直地延伸的第二开口，其中，移除所述多个牺牲层包括：穿过所述第二开口相对于所述电介质层和所述停止结构选择性地湿蚀刻所述牺牲层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，移除所述多个停止结构包括：穿过所述第二开口和所述第二凹槽相对于所述电介质层和所述存储结构选择性地湿蚀刻所述停止结构。7.根据权利要求5或6所述的方法，还包括：在形成所述多个阻挡结构之后，在所述第二开口中形成狭缝结构。8.根据权利要求1
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7中的任一项所述的方法，其中，形成所述多个阻挡结构包括：氧化所述存储结构的面向所述第二凹槽的侧壁的部分。9.根据权利要求1
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8中的任一项所述的方法，还包括：在形成所述多个阻挡结构之后，在所述第二凹槽中形成多个导电层，使得所述存储结构中的每个存储结构的垂直尺寸与所述多个导电层中的相应导电层的垂直尺寸在名义上相同。10.根据权利要求1
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9中的任一项所述的方法，其中，所述停止结构包括多晶硅，所述存储结构包括氮化硅，并且所述阻挡结构包括氧化硅。11.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：在衬底之上形成穿过电介质叠层垂直地延伸的第一开口，所述电介质叠层包括电介质层和与所述电介质层交错的牺牲层；移除所述牺牲层的面向所述开口的部分，以形成多个第一凹槽；沿着所述多个第一凹槽的侧壁以及顶表面和底表面形成多个第一阻挡结构；在所述多个第一凹槽中的所述多个第一阻挡结构之上形成多个存储结构；移除所述多个牺牲层，以形成多个第二凹槽并暴露所述多个第一阻挡结构；以及沿着所述多个第二凹槽的侧壁以及顶表面和底表面形成多个第二阻挡结构，使得所述多个第二阻挡结构中的每个第二阻挡结构的厚度与所述多个第一阻挡结构中的每个第一
阻挡结构的厚度在名义上相同。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构包括相同的材料。13.根据权利要求12所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，刘小欣，高庭庭，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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