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在衬底之上形成穿过电介质叠层垂直地延伸的第一开口。电介质叠层包括垂直地交替的电介质层和牺牲层。移除牺牲层的面向开口的部分以形成多个第一凹槽。沿着多个第一凹槽的侧壁形成多个停止结构。在多个第一凹槽中的多个停止结构之上形成多个存储结构。从与多个...
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