能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂制造技术

本发明专利技术公开一种能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂，具有如下通式(A)所示结构。该光产酸剂对波长300-450nm特别是365nm的活性能量射线具有高灵敏度、溶解度高且耐热性优异。溶解度高且耐热性优异。溶解度高且耐热性优异。

【技术实现步骤摘要】
能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂


[0001]本专利技术属于有机化学
，涉及用作光产酸剂的化合物，具体涉及一种能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂及其应用。

技术介绍

[0002]作为光刻工序中使用的抗蚀剂材料，典型示例之一是含有树脂和光产酸剂的树脂组合物，其中的树脂例如可以是羧酸的叔丁基酯或苯酚的叔丁基醚、甲硅烷基醚等。当照射紫外线等活性能量射线时，光产酸剂分解产生强酸【任选地，曝光后可进一步进行加热(PEB)】，在强酸作用下，羧酸衍生物或苯酚衍生物脱保护生成羧酸或苯酚。经过这种化学变化，曝光部分的树脂在碱性显影液中变得易溶，接下来将其与碱性显影液作用，能够促使图案的形成。
[0003]作为波长365nm的I线光刻用抗蚀剂，通常使用重氮萘醌(DNQ)抗蚀剂，但是化学增幅型抗蚀剂能够具有DNQ抗蚀剂不能达到的高灵敏度，并且有利于制作厚膜抗蚀剂，因此使用化学增幅型的I线光刻受到关注。目前，用于I线的化学增幅型抗蚀剂中所用的光产酸剂已知有多种类型，如萘基硫酰亚胺衍生物、杂蒽酮衍生物、香豆素衍生物、酰基氧化磷衍生物、肟酯衍生物等，可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂，具有通式(A)所示结构：其中，R1为C
1-C
20
的直链或支链的烷基或氟代烷基、C
6-C
18
的取代或未取代的芳基、或樟脑基；L为C
4-C
18
的含N、S或O的杂环基，任选地，L上的至少一个氢原子可以被R2所取代；其中，R2选自下列基团：卤素；C
1-C
20
的直链或支链的(卤)烷基，任选地，其中的-CH
2-可以被-O-或-S-所取代；苯基，任选地，其中的至少一个氢原子可以被C
1-C4的烷基所取代；C
7-C
10
的苯基烷基，任选地，其中的-CH
2-可以被-O-所取代；R1’-
CO-，其中R1’
表示C
1-C6的烷基、苯基，且任选地，苯基中的至少一个氢原子可以被C
1-C4的烷基或烷氧基所取代；R2’-
CO-O-R3’-
，其中R2’
表示C
1-C8的烷基、苯基，R3’
表示空或C
3-C4的炔基,并且所述烷基中的-CH
2-可任选地被-O-所取代，所述苯基中的至少一个氢原子可任选地被C
1-C4的烷基所取代；C
2-C6的直链或支链的烯基，任选地，其中的-CH
2-可以被-O-所取代；以C
6-C
10
的芳基为封端的C
2-C4的烯基；C
2-C6的直链或支链的炔基；以C
6-C
10
的芳基为封端的...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓春，胡春青，龚艳，刘葛，
申请(专利权)人：常州强力电子新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：