光电转换元件和电子设备制造技术

本公开提供了一种光电转换元件，其包括：光电转换膜；配置在所述光电转换膜两侧的一对电极，所述光电转换膜夹在其间；和配置在所述光电转换膜和一个电极之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件和电子设备本申请是申请日为2015年4月8日、专利技术名称为“光电转换膜、光电转换元件和电子设备”的申请号为201580020332.9专利申请的分案申请。相关申请的交叉参考本申请要求于2014年5月13日提交的日本在先专利申请JP2014-099816和2015年1月6日提交的日本在先专利申请JP2015-000695的优先权权益，每个申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本公开涉及光电转换膜、光电转换元件和电子设备。
技术介绍
近来，已经提出了一种具有由有机材料制成的光电转换膜层叠起来的多层结构的固态图像传感器。例如，专利文献1披露了一种用于吸收蓝色光、绿色光和红色光的有机光电转换膜顺次层叠的固态图像传感器。在专利文献1所披露的固态图像传感器中，各颜色的信号通过在各有机光电转换膜中对与该颜色对应的光进行光电转换而被提取。此外，专利文献2披露了一种用于吸收绿色光的有机光电转换膜和硅光电二极管顺次层叠的固态图像传感器。在专利文献2所披露的固态图像传感器中，绿色光的信号利用有机光电转换膜而被提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其包括：/n光电转换膜；/n配置在所述光电转换膜两侧的一对电极，所述光电转换膜夹在其间；和/n配置在所述光电转换膜和所述电极中的一个电极之间的空穴阻挡层，/n其中，所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。/n

【技术特征摘要】
20140513 JP 2014-099816;20150106 JP 2015-0006951.一种光电转换元件，其包括：
光电转换膜；
配置在所述光电转换膜两侧的一对电极，所述光电转换膜夹在其间；和
配置在所述光电转换膜和所述电极中的一个电极之间的空穴阻挡层，
其中，所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。


2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述空穴阻挡层包含由通式(5)表示的化合物：



其中，在通式(5)中，R50选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基，并且
其中，Ar5～Ar8每一个表示取代或未取代的杂芳基。


3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，Ar5～Ar8和R50中的至少一个是吸电子基团。


4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，所述吸电子基团选自卤素、氰基、硝基、磺酰基、芳基磺酰基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾花良哲，根岸佑树，长谷川雄大，竹村一郎，榎修，茂木英昭，松泽伸行，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP